GAN SEMICONDUCTOR MARKT ANALYSIS

GaN steht für Galliumnitrid und es ist sehr hart, mechanisch stabil breite Bandlücke Halbleiter. GaN wird verwendet, um Halbleiter-Leistungsgeräte sowie Hochfrequenz-Komponenten (RF) und Licht emittierende Anzeige (LEDs) herzustellen. GaN zeigt seine Fähigkeit, die andere alte langsame Silizium-Technologie (Si) für Silizium-Halbleiter bei der Leistungskonvertierung, RF (Radiofrequenz) und analoge Anwendungen zu ersetzen.

Faktoren, die das Wachstum des globalen GaN-Halbleitermarktes vorantreiben:

Das Marktwachstum kann auf die zunehmenden Anwendungen von Galliumnitrid (GaN) in verschiedenen Halbleiterbauelementen zurückgeführt werden. Eine zunehmende Nachfrage nach drahtlosen Kommunikationsgeräten, vor allem in der Verteidigungskommunikation, wird erwartet, dass die Nachfrage nach GaN-Halbleitern erzeugt wird. Galliumnitrid-Technologie wird weit verbreitet in der Entwicklung von Verstärkern verwendet, die in drahtloser Kommunikation verwendet werden, wie Klasse E, Klasse F und Class C Leistungsverstärker. In jüngster Zeit hat sich die Nachfrage nach GaN-Halbleitergeräten in Elektrofahrzeugen wie Onboard-Ladestationen und Elektrofahrzeugaufladung Kioske.

Trends von Global GaN Semiconductor Markt:

Das Wachstum von GaN Semiconductor kann auf die steigende Nachfrage nach Leistungselektronik aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs und hoher Effizienz gewürdigt werden. GaN-Geräte liefern bis zu 3x mehr Leistung oder 3x schnellere Aufladung im Vergleich zu Silizium (Si) Chips, mit bis zu 40% Energieeinsparung.

Branchenakteure konzentrieren sich auf Produktentwicklung, Kooperationen und strategische Partnerschaften, um das Angebot in der GaN-Technologie zu stärken. So kooperierten beispielsweise Aerospace- und Verteidigungstechnologieunternehmen wie L3Harris Technologies, Inc., Northrop Grumman Corporation und BAE Systems im Jahr 2020 mit Regierungsagenturen zur Umsetzung von Galliumnitrid-Halbleitern in Militär- und Radaranwendungen.

Darüber hinaus entwickelte Toshiba Corporation im Jahr 2020 eine Gate-Dielektrische Prozesstechnologie, um die Unterschiede in Eigenschaften wie der Schwellenspannung von GaN-Leistungsgeräten zu reduzieren und die Genauigkeit von GaN-Halbleiter zu verbessern.

GaN Halbleiter Markt: Regionale Einblicke:

Die nordamerikanische Regierung ermutigt die Nutzung energieeffizienter Geräte und gibt Verträge, um GaN-Halbleiter für verschiedene Unternehmen in der Region zu verbessern. Zum Beispiel hat die US-Regierung im März 2015 Raytheon Integrated Defense Systems einen Vertrag von 50,9 Millionen US-Dollar zur Steigerung der GaN-Halbleiterfertigung vergeben. Der Bereich Informations- und Kommunikationstechnologie in der Region hat immer mehr GaN-Halbleiter in Hochfrequenz-Geräten umarmt.

Asien-Pazifik wird aufgrund einer schnellen technologischen Entwicklung als am schnellsten wachsender Markt herauskommen, der zu einer steigenden Nachfrage nach effizienten und leistungsfähigen Hochfrequenzkomponenten (RF) führt. Länder wie China und Japan sind die Marktführer bei der Herstellung von Unterhaltungselektronik, wie LED-Geräte, Smartphones und Gaming-Geräte. Dies ist ein wichtiger Faktor für die Förderung des Wachstums auf dem regionalen Markt. Darüber hinaus haben zunehmende Verteidigungsbudgets in Ländern wie China, Indien und Nordkorea zu einer Zunahme der Nachfrage nach leistungsfähigen Kommunikation insbesondere in 5G geführt. Da GaN-Halbleitergeräte auf dem Markt seitlich diffundierte Metalloxid-Halbleiter (LDMOS)-Geräte ersetzen, insbesondere in 5G-Telekommunikation, Radar und Avionik, wird erwartet, dass diese Verschiebung mehr Nachfrage nach GaN-Halbleitern schafft.

Key Players im globalen GaN Semiconductor Markt:

Zu den wichtigsten Akteuren im GaN-Halbleitermarkt gehören Cree, Inc., Efficient Power Conversion Corporation, Fujitsu Ltd, GaN Systems, Infineon Technologies AG, NexGen Power Systems, NXP Semiconductor, Qorvo, Inc., Texas Instruments Incorporated, Toshiba Corporation und andere.

Global GaN Semiconductor Markt: Steuerwesen:

Auf Basis des Produkttyps wird der globale GaN-Halbleitermarkt in:

• Funkfrequenzgeräte
• Opto-Halbleiter
• Leistungshalbleiter

Auf Basis der Komponente wird der globale GaN-Halbleitermarkt in:

• Transistoren
• Dioden
• Gleichrichter
• Power ICs
• Sonstige

Auf Basis der Wafergröße wird der globale GaN-Halbleitermarkt in:

• 2-Zoll
• 4-Zoll
• 6-Zoll
• 8 Zoll

Der globale GaN-Halbleitermarkt wird auf Basis der Endverwendungsindustrie zu:

• Automobilindustrie
• Verbraucherelektronik
• Verteidigung und Luftfahrt
• Gesundheit
• Information und Kommunikation Technologie
• Industrie und Energie
• Sonstige

Auf Basis der Region wird der globale GaN-Halbleitermarkt in:

• Nordamerika
• Europa
• Asien-Pazifik
• Lateinamerika
• Naher Osten und Afrika