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RF POWER SEMICONDUCTOR MARKET ANALYSE

RF Power Semiconductor Market, nach Produkt (RF Power Amplifiers, RF Passives, RF Duplexers, RF Switches und andere HF-Geräte), nach Frequenz (<10 GHz, 10 GHz-20 GHz, 20 GHz-30 GHz, 30 GHz-60 GHz und >60 GHz), nach Material (Silicon, Gallium Arsenide, Silicon Germanium, Gallium Nitride, Silicon Carbide, und Indium

  • Wird veröffentlicht : Nov 2024
  • Code : CMI1151
  • Formate :
      Excel und PDF
  • Branche : Semiconductors

Ein Hochfrequenz-Leistungshalbleiter ist eine Vorrichtung, die als Schalter oder Gleichrichter in der Leistungselektronik verwendet werden kann. Dieser HF-Leistungshalbleiter ist konzipiert, um im Hochfrequenzspektrum zu arbeiten, das etwa 3 kHz bis 300 GHz beträgt.

Die zunehmende Nutzung der langfristigen Entwicklung (LTE) und die Bereitstellung von drahtlosen Netzwerken der nächsten Generation wie 5G sind wichtige Faktoren, die sich durch die zunehmende Popularität mobiler Computergeräte wie Smartphones und Tablets positiv auf das Wachstum des globalen HF-Strom-Halbleitergerätemarkts während der Prognosezeit auswirken werden. Erhöhung der Einführung von drahtlosen Technologien wie LTE Anforderungen an RF-Features in Smartphones, Tablets und anderen relevanten Geräten aufgrund der Anforderung, Hochleistungs-RF-Filter zu verbessern, um die Anforderungen von Smartphones und anderen relevanten Geräten zu erfüllen OEMs sind die Faktoren, die das Wachstum von HF-Leistungshalbleitern Markt treiben. Laut Coherent Market Insights-Analyse wurden 2016 rund 350 Einheiten mobiler Geräte weltweit verkauft, was ab 2015 einen Anstieg von über 3,7% ausmachte. Der Umsatz, der von Smartphone-Geräten generiert wurde, betrug 2016 über 70% Umsatz der globalen mobilen Geräte. Laut dem weltweiten Internet-Bericht 2016, der von der Internet Society Organization veröffentlicht wurde, beliefen sich die Internetnutzer 2015 auf rund 3 Milliarden und 2016 lag die Gesamtzahl der Internetnutzer über 3,2 Milliarden.

Der Anstieg der Kosten für HF-Geräte wird jedoch erwartet, dass das Wachstum des globalen HF-Strom-Halbleitermarktes zurückgehalten wird.

HF-Leistungshalbleiter Marktsteuer

Auf Basis des Produkttyps wird der globale HF-Leistungshalbleitermarkt in:

  • HF-Leistungsverstärker
  • RF Passive
  • RF Duplex
  • HF-Schalter
  • Andere HF-Geräte

Auf Basis der Frequenz wird der globale HF-Leistungshalbleitermarkt in:

  • ≤ 10 GHz
  • 10 GHz-20 GHz
  • 20 GHz-30 GHz
  • 30 GHz-60 GHz
  • >60 GHz

Auf Basis von Material wird der globale HF-Leistungshalbleitermarkt in:

  • Silikon
  • Gallium Arsenid
  • Silikon Germanium
  • Galliumnitrid
  • Siliciumcarbid
  • Indium Phosphid

Auf Basis der Anwendung wird der globale HF-Leistungshalbleitermarkt in:

  • Anwendung von Luft- und Raumfahrt
  • Einsatzbereich
  • Medizinische Anwendung
  • Anwendung
  • Telekommunikation und Datenkommunikation
  • Sonstige Anwendungen

HF-Leistungshalbleiter Markt: Regionale Einblicke

Der globale HF-Strom-Halbleitermarkt auf Basis der Region ist in Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik, Lateinamerika, Mittlerer Osten und Afrika segmentiert. Die Region Asien-Pazifik wird voraussichtlich bis 2025 eine beherrschende Stellung im globalen HF-Leistungshalbleitermarkt einnehmen. Das Wachstum des regionalen Marktes wird auf die erhöhte Nachfrage nach Verbraucherelektronik Produkte. In der Region Asien-Pazifik produzieren Schwellenländer wie Indien und China Hubs für Konsumelektronik, einschließlich Smartphones, Haushaltsgeräte und Fernseher. Laut Coherent Market Insights-Analyse wurden 2016 über 450 Millionen Einheiten Smartphone-Geräte in China verkauft. Niedrige Fertigungskosten in China, Taiwan und Malaysia dürften auch das Wachstum des regionalen HF-Strom-Halbleitermarktes steigern.

HF-Leistungshalbleiter Markt: Wettbewerbshintergrund

Zu den Hauptakteuren im globalen HF-Strom-Halbleitermarkt gehören die Infineon Technologies AG, M/A-COM Technology Solutions Holdings, Inc., NXP Semiconductors N.V., Qorvo, Inc., Broadcom Limited, Toshiba Corporation, Qualcomm Inc., Skyworks Solutions, Inc., Mitsubishi Electric Corporation und Murata Manufacturing.

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Über den Autor

Pooja Tayade

Pooja Tayade – ist eine erfahrene Managementberaterin mit einem starken Hintergrund in der Halbleiter- und Unterhaltungselektronikbranche. In den letzten 9 Jahren hat sie führenden globalen Unternehmen in diesen Sektoren geholfen, ihre Abläufe zu optimieren, Wachstum voranzutreiben und komplexe Herausforderungen zu meistern. Sie hat erfolgreiche Projekte geleitet, die erhebliche geschäftliche Auswirkungen hatten, wie zum Beispiel:

  • Förderung der internationalen Expansion eines mittelgroßen Technologieunternehmens, Bewältigung der Einhaltung gesetzlicher Vorschriften in 4 neuen Ländern und Steigerung des Auslandsumsatzes um 50 %
  • Implementierung von Lean-Manufacturing-Prinzipien, die die Produktionskosten für eine große Halbleiterfabrik um 15 % senkten

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