IGBT和超级交界处MOSFET市场 分析

IGBT是一种功率半导体设备,提供快速切换和高效. 它与其他半导体装置竞争,包括Gallium Nitride(GaN),MOSFETs,以及硅碳化物. IGBT通过提供高输入阻力和高压驱动,提供了MOSFET和双极晶体管的综合优势. IGBT对于需要高电流和高分解电压的应用来说是理想的,因为其导电性调制特性得到改进.

全球IGBT和超级路口MOSFET市场估计在2021年价值为127.828亿美元,预计在预测期(2021-2028年)将显示12.5%的CAGR.

最近的事态发展:

2020年12月,日本总部电子公司富士电器有限公司推出X系列IGBT-IPM*1,配有第7代X系列设备.

2020年11月,日本一家总部电子公司富士电气有限公司推出HPnC,*1,搭载7代X系列IGBT*2模块.

2021年6月,三菱电气,一家日本电子公司推出T系列. 工业用2.0kV IGBT模块.

统计:

图 1. 全球IGBT和超级Junction MOSFET市场价值(Mn美元),按区域、 2020 (英语).

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亚太在2020年全球IGBT和超级关卡MOSFET市场占据主导地位,在销量方面占有48.5%的比重,之后分别是欧洲和北美,RoW.

市场动态驱动器

预计在预测期间,对提高能源效率的日益重视将推动全球IGBT和超级交叉口MOSFET市场的增长。 近期对高能效的需求有所增加,为国际电联和超接合的MOSFET提供了充分的机会。 电气和电子行业不断改进设计,导致对 IGBT 和 MOSFET 信息技术。 。 。 与此同时,替代能源和可再生能源市场,特别是太阳能和风能市场,获得了很大的推动作用。 根据"和谐市场洞察"的分析,到2016年,太阳能光伏反转器运输预计将达到5,360万个单位,比2013年的1,430万个单位增长. 此外,日益重视提高输电效率,支持了智能电网市场的增长,从而促进了对国际电联和电力和电信部的需求。

电动车辆和混合电动车辆(EV/HEV)的部署增加,预计将在预测期间促进全球IGBT和超级交叉路口MOSFET的市场增长。 内燃机车的电气化导致对动力半导体的需求增加. 据国际能源机构统计,全球EV销售额从2011年增加到2012年的113 000. 提高全球各国政府规定的燃料效率和排放规范导致对电动车辆的需求增加。 电子控制和 智能电力管理 需要减少车辆的排放。 受此影响,对IGBT和超级路口MOSFET的需求.

市场机会

智能电网市场的快速增长可在全球IGBT和超级交叉的MOSFET市场提供有利可图的增长机会。 全球智能电网市场正在迅速扩大,原因是全球安装智能电表的情况大量增加,以确保提高电力传输和分配的效率。 根据Coherent Market Insights的分析,2012年全球智能电网市场估值为350亿美元,到2017年达到650-700亿美元. 这种智能配送基础设施和智能仪表将需要更好的电源管理技术,并预计将对电力半导体产生需求,包括这个部门的IGBT和超级交叉式MOSFET.

主要商业机会包括亚太综合贸易技术和超级路口MOSFET市场。 亚太是一个新兴市场,存在着巨大的增长机会。 印度、中国和印度尼西亚等新兴经济体的快速工业化和城市化导致对IGBT和超级交叉式MOSFET的需求增加。 市场上的主要公司可以利用这些机会引进新产品,并在市场上获得竞争优势。

市场趋势

全球IGBT和超接合MOSFET市场正在目睹对IGBT芯片优化的更多关注,原因是对更高密度的需求增加,电力输出和热阻性增加. 一些最终用途应用,特别是消费者应用,更喜欢尺寸小,可靠性高的IGBT. 整个市场的主要销售商都在对研发进行投资,以制造能够提高IGBT模块效率的优化芯片.

全球IGBT和超级交叉口MOSFET市场正在经历玩家对IGBT和超级交叉口MOSFET为更高电压范围服务的兴趣增加. 从1990年代停止制造发动机控制IGBT时起,ON半导体就一直专注于汽车点火的IGBT. 然而,整个高性能发动机驱动部分的潜力越来越大,迫使公司在2012年推出600V和1200V IGBT. 同样,Alpha和Omega半导体在2012年为600V范围推出了IGBT设备. ABB Ltd在其IGBT产品上引入了二极管功能,以创造一种紧凑和更高的动力产品,称为双模隔热门晶体管.

图 2. 全球IGBT和超级Junction MOSFET市场份额,按产品类型分列,2020年

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图中的关键外卖 :

• IGBT在市场上占有支配地位,并在2020年全球IGBT和超级交叉口MOSFET市场占有5%的股权. 由于国际GBT的研发活动增加,预计2028年这一部分将达到257.995亿美元。
• 2020年,EV/HEV在全球IGBT和超级路口MOSFET市场中占据了最大5%的份额,预计到2028年将达到54.034亿美元的价值. 这是由于对电动车辆和混合电动车辆的需求增加

市场动态-限制

预计来自其他动力半导体的竞争会阻碍全球IGBT和超级交叉式MOSFET在预测期间的市场增长。 半导体工业的重点是通过新的底物技术实现更高的效率,更低的尺寸和成本. 加仑-尼特里德(加恩)和 硅-碳化物 在动力半导体工业中出现了新的相互竞争的技术,与已有的太极论者、修饰者以及一体化的大门式太极论者(IGCT)一起出现。 虽然IGBT和超级路口MOSFET预计会继续增长,但由于上述在断电压,功率密度和切换频率方面的优势,半导体部门对GAN设备表现出了更大的兴趣.

预计高生产成本将限制全球IGBT和超级交叉MOSFET市场在预测期间的增长。 与其他当代产品相比,超级交叉口MOSFET需要相当高的生产成本. 因此,大多数消费者倾向于替代产品。

竞争科

在全球IGBT和超级交叉MOSFET市场运营的主要角色有Infineon Technologies AG,Vishay Intertechnologies, Inc. 三菱电气公司,STMicroelectronics N.V.,富士电气有限公司,东芝公司,Hitachi电力半导体设备有限公司,Fairchild半导体国际有限公司,Semikron Elektronik GmbH & Co. KG,和ABB有限公司.

主要动态

1. 主要公司注重产品推出,以扩大产品组合. 例如,2018年2月,Infineon Technologies AG推出了EconoDual 3 IGBT模块,并配有集成散射,以降低系统成本.
2. 关键角色参与产品发布,以获得市场的竞争优势. 例如,在2019年2月,Vishay Intertechnology, Inc.推出了一个新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动程序.