MOSFET和IGBT门驱动器市场 ANALYSIS

MOSFET和IGBT是两台开关模式供电晶体管. 金属氧化-半导体 场效应晶体管(MOSFET)是一种场效应晶体管,一般通过有控制的硅氧化而形成. 它使用隔热门,从而能够根据应用要求随着应用电压的变化而改变导电性。 这种属性用于放大或切换电讯信号. 绝缘门双极晶体管(IGBT)是三台终端功率半导体装置,用作电子开关,由四层交替(P-N-P-N)组成,由金属-氧化-半导体(MOS)结构控制,不发生再生作用. 它基本上是一个MOSFET控制双极电源晶体管(BJT),两个晶体管都安装在一块硅上. IC门驱动程序产生必要的电压和电流水平,以准确高效地启动工业,消费者,计算机和汽车应用,发动机驱动器,不间断电源供给(UPS),以及太阳能反转器的动力阶段.

电子设备行业增长的提高是推动全球MOSFET和IGBT门驱动市场增长的主要因素

MOSFET和IGBT的IC驱动器主要用于电子设备中作为开关,也用作放大器,即将一个正在进行的过程改为更高的电压. 对电子设备需求的增加是推动市场增长的关键因素之一。 例如,根据香港科技园2015年的报告,预计到2020年全球消费电子市场将达到29,760亿美元,预测期(2015-2020年)CAGR为15.4%。 MOSFET可以在高频运行,并且可以进行快速切换应用,很少发生转折损失. IGBT结合了MOSFET中发现的简单闸机驱动特性与双极晶体管的高流和低饱和电压能力. IGBT门经常使用放大器,并用于产生大功率脉冲,因此在电动车,列车,变速冰箱,空调等现代电器中有用. 因此,这些IC驱动闸门市场受到电子设备市场增长的影响。 除此之外,增加电动车辆的销售量也将有助于市场的增长。 例如,根据Coherent Market Insights的分析,2017年,电动车辆的全球销售量从2016年的6.95万辆增加到96.2万辆。

全球MOSFET和IGBT门驱动市场:区域透视

MOSFET和IGBT Gate的市场按区域划分为六个区域,即北美、欧洲、亚太、拉丁美洲、中东和非洲。

亚太在2017年MOSFET和IGBT门驱动器在市场上占据主导地位,预计将在整个预测期间保持主导地位. 这是由于本区域消费电子产品和电器产量高,影响到市场增长。 印度、中国和日本是本区域电子产品产量高的一些主要新兴经济体。 例如,根据印度品牌公平基金会(IBEF),2018年5月,预计印度电子市场在预测年份(2017-2020年)将显示41%的CAGR,预计到2020年将达到4亿美元。 预计这将导致大量采用MOFSET和IGBT门,从而有助于市场的增长。 此外,亚太区域电动车辆的高销量也加速了该区域的市场增长。 例如,根据 " 和谐市场洞察 " 的分析,2017年,亚太区域的电力车辆销售量约为426 000辆。 中国在2017年电动车辆销售中占据主导地位. 2017年,中国电力机车销售量为37.8万台.

北美在2017年占有第二大份额,原因是该区域电子市场增长迅速. 美国和加拿大是该地区的主要增长引擎. 本区域电子货物和相关贸易市场最近大幅增长。 例如,根据"国际商业发展贸易统计",2017年电力机械和设备的出口额从2016年的1.671亿美元增至1.742亿美元. 由于MOSFET和IGBT门是消费品的必要组成部分,预计随着对此类产品需求的增加,MOSFET和IGBT Gates的需求将大幅增加。 预计这又将有助于预测期间(2018-2026年)本区域市场的增长。

全球MOSFET和IGBT门驱动程序市场:关键玩家

在全球MOSFET和IGBT闸门驱动市场运营的关键角色有Infineon Technologies,ON 半导体,STMicroelectors,ROHM 半导体,NXP 半导体,德克萨斯仪器,微芯片,动力集成股份有限公司,Vishay,Broadcom,Analog设备,IXYS,东芝,Renesas,和Powerex.

全球MOSFET和IGBT门驱动市场:分类学

根据产品类型,全球MOSFET和IGBT门驱动市场分为:

• 单通道门驱动程序
• 半桥门司机
• 全桥门司机
• 三期门司机
• 其他人员

根据应用情况,全球MOSFET和IGBT门驱动市场分为:

• 家用电器
• 汽车
• 显示照明( L)
• 电力供应
• 其他人员

根据区域,全球MOSFET和IGBT门驱动市场分为:

• 北美
• 欧洲
• 亚太
• 拉丁美洲
• 中东
• 非洲

全球MOSFET和IGBT门驱动市场: 关键动态

• 2018年9月,Powerex股份有限公司推出新型并升级的第7代IGBT用于发动机控制. 因此,电动机的效率在无负载的情况下提高了7%,在高峰负载时高达20%,电源也增加到20%.
• 2018年11月,雷内萨斯电子公司在12V-48V推出100V半桥驱动MOSFET双向控制器. 汽车混合动力. 它是一个先进的ISL784x4 MOSFET驱动家庭,它能够使DC/DC在可调整的死亡时间和最高效率下进行高电源转换。
• 2017年5月,东芝公司推出"TLP5214A",是用于驾驶中功率IGBT和功率MOSFET的智能闸机驱动光电耦合器,可提供饱和感知特性.
• 2018年7月,东芝公司为汽车三相无刷电动机推出了新的紧凑电源MOSFET闸门司机智能动力装置(IPD). 该设备用于 汽车发动机 驱动应用程序,如12V电子动力转向架(EPS),油/水泵,风扇电动机,以及电动涡轮增压器.
• 2017年11月,IXYS Corporation推出了一个用于反转器等高频应用的新驱动程序,即IXRFDSM607X2 15 Ampere Low-Side RF MOSFET 由科罗拉多州第IXYS师驾驶.
• 2017年5月,Analog Devices, Inc.(ADI)引入了小型形式因子隔离闸门驱动程序,为SiC等电源开关技术所需的更高切换速度和系统尺寸限制而设计.碳化硅)和GAN(Gallium Nitride).