Рынок эпитаксиальных пластин GAN ANALYSIS

Эпитаксиальная пластина, также известная как эпивафия, представляет собой пластину полупроводникового материала, изготовленную эпитаксиальным ростом (эпитаксией) для использования в фотонике, микроэлектронике, спинтроникаИли фотоэлектрический. Эпитаксиальные слои состоят из различных соединений, таких как нитрид галлия (GaN), арсенид галлия (GaAs), или некоторая комбинация элементов галлия, индия, алюминия, азота, фосфора или мышьяка. Высокая мобильность электронов, низкие потери переключения и меньшее количество несоответствий решеток являются одними из ключевых преимуществ GaN Substrate, которые лидируют в его внедрении в таких отраслях, как силовая электроника и оптоэлектроника.

Кроме того, эпитаксиальные пластины GaN разрабатываются методом гидридной парофазной эпитаксии (HVPE) или металлического органического химического осаждения паровой фазы (MOCVD) и могут использоваться в качестве идеальной и отличной подложки для высокочастотных, высокоскоростных и мощных устройств. Эпитаксиальные пластины GaN разрабатываются несколькими фирмами, такими как Aixtron, EpiGaN nv, Sciocs и Semiconductor Wafer Inc.

Растущее внедрение светодиодов приводит к росту спроса на эпитаксиальные пластины GaN

GaN широко применяется в радиочастотных устройствах, светоизлучающих диодах (LED) и силовой электронике, благодаря своей способности работать на высокой частоте и высокой температуре. Увеличение внедрения светодиодов является основным фактором, стимулирующим рост рынка эпитаксиальных пластин GaN. Кроме того, развитие технологии GaN привело к разработке эффективных подложек GaN со свободной плотностью макродефектов и низкой плотностью дефектов. Следовательно, подложки GaN могут все чаще использоваться для реализации светодиодов с диаметром пластин от 2 до 6 и 8 дюймов. Ожидается, что растущее внедрение светодиодов будет стимулировать рост рынка эпитаксиальных пластин GaN в течение прогнозируемого периода. Тем не менее, конкуренция со стороны Sic в высоковольтных полупроводниковых приложениях и высокая стоимость продукции являются факторами, которые, как ожидается, будут препятствовать росту глобального рынка эпитаксиальных пластин GaN в течение прогнозируемого периода.

Глобальный региональный анализ рынка эпитаксиальных пластин GaN:

С точки зрения географии, Азиатско-Тихоокеанский регион, как ожидается, будет доминировать на мировом рынке эпитаксиальных пластин GaN в течение прогнозируемого периода. Это связано с широким использованием транзисторов на основе GaN в оборонном и военном секторе, увеличением спроса на светодиоды из различных отраслей промышленности, таких как бытовая электроника и автомобилестроение, и увеличением спроса на них. Возобновляемая энергетика поколения в регионе. Например, в июне 2019 года Samsung объявила о запуске микро-светодиодного дисплея The Wall Luxury GaN, настраиваемого с 73′′ в 2K до 292′′ в 8K. Кроме того, в Азиатско-Тихоокеанском регионе ожидается значительный рост в течение прогнозируемого периода, что может быть связано с высоким внедрением инновационных технологий, таких как эпинуклеация, технология буферной структуры и т. Д. В таких странах, как Китай, Япония, Южная Корея и Индия. Ключевые игроки в этом регионе ориентированы на предложение новых продуктов для удовлетворения растущих потребностей и требований потребителей. Например, в июне 2019 года Xiamen San’an Integrated Circuit Co., Ltd., китайский литейный завод с чистой игрой с передовой платформой полупроводниковых технологий, объявил о запуске своего 150-мм нитрида галлия (GaN) на литейных заводах по производству кремниевых пластин, который предназначен для новейших высоковольтных применений силовой электроники постоянного тока / AC / DC по всему миру.

Глобальный рынок эпитаксиальных водоносных горизонтов GaN:

Ключевые игроки глобального GaN рынок эпитаксиальных пластин Среди них RF Globalnet, Aixtron, EpiGaN nv, Sciocs, Semiconductor Wafer Inc. IGSS GaN, SweGaN, NTT Advanced Technology Corporation, Infineon Technologies AG, Mitsubishi Electric Corporation, Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation, Koninklijke Philips N.V. и ALLOS Semiconductors GmbH.

Глобальная таксономия рынка эпитаксиальных пластин GaN:

На основе типа продукта глобальный рынок эпитаксиальных пластин GaN сегментирован на:

• GaN Homoepitaxial Epitaxial Wafer
• Гетероэпитаксиальный эпитаксиальный вафер

Исходя из размера пластин, глобальный рынок эпитаксиальных пластин GaN сегментирован на:

• 2-дюймовый вафель
• 4-дюймовый вафель
• 8-дюймовый и выше Wafer

На основе применения глобальный рынок эпитаксиальных пластин GaN сегментирован на:

• Светодиоды
• Лазеры
• Радиочастотные устройства
• Силовые приводы
• Транзисторы
• Другие

На основе индустрии конечных пользователей глобальный рынок эпитаксиальных пластин GaN разделен на:

• IT и телекоммуникации
• промышленный
• автомобильный
• Возобновляемый
• Потребительская электроника
• Военные, оборонные и аэрокосмические
• Медицина и здравоохранение
• Другие

На основе региона глобальный рынок эпитаксиальных пластин GaN разделен на:

• Северная Америка
• Европа
• Азиатско-Тихоокеанский регион
• Латинская Америка
• Ближний Восток
• Африка