Рынок эпитаксиальных пластин АНАЛИЗ

Размер рынка эпитаксиальных пластин был оценен в 2778 миллионов долларов США в 2022 году и, как ожидается, станет свидетелем совокупного годового темпа роста (CAGR) в 12,9% с 2022 по 2030 год. Эпитаксиальный вафер, иначе называемый эпи-вафером, помещается над другой кремниевой пластиной через эпитаксиальный процесс. Эпитаксия - это процесс нанесения монокристаллического кремниевого слоя на полированную кристаллическую поверхность кремниевой пластины. Поверх полированной пластины добавляют слои одиночных кристаллов карбида кремния толщиной много микрометров, чтобы сделать эпитаксиальную пластину. Его бесшовное производство требует точного контроля толщины, концентрации носителя и плотности дефектов.

Составные полупроводниковые эпитаксиальные пластины обрабатываются для производства микросхем и интегральных схем (ИС), которые можно найти в широком спектре технологических гаджетов по всему миру. Беспроводная, фотонная и электронная производительность пластин определяется эпитаксиальными слоями.

Рисунок 1: Доля рынка эпитаксиальных водоносных горизонтов (%) по регионам 2022 года

Чтобы узнать больше об этом отчете, запросить образец копии

Рынок эпитаксиальных водоносных горизонтов: региональные исследования

В 2022 году рынок эпитаксиальных пластин в Азиатско-Тихоокеанском регионе занимал самую большую долю мирового рынка. Расширение этого рынка можно объяснить множеством факторов, включая растущее использование IoT, беспилотных автомобилей и проникновение смартфонов. Более толстые и меньшие интегральные схемы (IC) появились в результате растущего спроса на смартфоны и достижений в технологии смартфонов. Строительными блоками полупроводников являются эти кремниевые пластины, а полупроводниковые устройства или чипы изготавливаются на этих подложках. Компьютеры, потребительская электроника, телекоммуникационные продукты и другие электронные устройства используют эти полупроводники. В результате производители покрывают эту пластину эпитаксиальной пластиной, чтобы повысить мощность этих электронных устройств в ответ на растущий спрос. В результате ожидается, что этот фактор увеличит спрос на эпитаксиальную пластину в регионе в течение ожидаемого периода времени.

Кроме того, этот регион является крупнейшим потребителем полупроводниковых интегральных схем из-за присутствия таких значительных производителей, как Samsung, Sony, LG, Toshiba, Panasonic, Toyota и Honda. Присутствие игроков ускоряется. В результате в этом конкретном регионе будет расти спрос на эпитаксиальную пластину.

Драйверы рынка эпитаксиальных вафель:

Увеличение использования светодиодного освещения

Растущий спрос на эпитаксиальную пластину подпитывается широким распространением светодиодного освещения, которое является основным фактором расширения рынка. Светодиодные лампы более долговечны, долговечны и сопоставимы или превосходят другие типы освещения. В отличие от ламп накаливания и компактных люминесцентных ламп (CFL), которые производят тепло и свет во всех направлениях, светодиоды являются «направленными» источниками света. В результате светодиоды могут более эффективно использовать свет и энергию во многих приложениях. Они производят меньше тепла и потребляют меньше энергии, чем лампы накаливания. Несколько светодиодов могут работать, как правило, на 10% от мощности, ожидаемой для стандартного света, и работать довольно долго.

Первоначальные высокие капитальные вложения

Термин «первоначальные капитальные вложения» относится к стоимости покупки или строительства энергетического или неэнергетического объекта, который, как ожидается, будет погашен из доходов от электроэнергии. Это включает, но не ограничивается, любые расходы, связанные с планированием, проектированием, покупкой земли и строительством, инвестированием во время строительства и тестирования. Первоначальные крупные капиталовложения ограничат участие мелких игроков в полупроводниковом секторе. Этот фактор еще больше ограничит рост рынка эпитаксиальных пластин в ближайшем будущем.

Ограничения рынка эпитаксиальных пластин:

Более высокая стоимость изготовления пластин

В процессе изготовления полупроводникового устройства изготовление пластин представляет собой процесс, который состоит из многочисленных повторяющихся последовательных процессов для получения полных электрических или фотонных схем на полупроводниковых пластинах. Плохие услуги эпитаксии включают в себя большую стоимость изготовления пластин, дополнительные сложности цикла и проблемы, связанные с капитуляцией в эпилогическом слое. Полупроводниковая обрабатывающая установка, которая преобразует пластины в интегральные схемы, известна как вафельная фаб. Проводники, транзисторы, резисторы и другие электронные компоненты на полупроводниковой пластине определяются сложной серией шагов в типичном фабе пластины.

Граф сегмента

Рисунок 2: Доля рынка эпитаксиальных водоносных горизонтов (%), по заявкам, 2022

Чтобы узнать больше об этом отчете, запросить образец копии

Сегментация рынка эпитаксиальных пластин:

Глобальный отчет о рынке эпитаксиальных пластин сегментирован по типу осаждения, размеру пластины и применению

Основываясь на типе расположения, рынок сегментирован Heteroepitaxy, и Homeoepitaxy, основанный на размере пластины, рынок сегментирован на 50 мм до 100 мм, 100 мм до 150 мм, выше 150 мм, на основе приложения, и рынок сегментирован на светодиодные полупроводники, силовые полупроводники, устройства на основе MEMS.

Рынок эпитаксиальных вафель: ключевые идеи компаний

Imec и Qromis объединились для созданного режима улучшения, дискретного p-GaN и устройств питания IC на 200-мм подложках QST, с слоями эпитаксии, заполненными на стадии MOVCD G5 + C 200 мм Aixtron. В продвинутой линейке CMOS-пилотов оба предприятия работают над изготовлением устройств, разработкой устройств питания GaN, дискретных и монолитно интегрированных форм ИС и 200-мм подложек QST. Imec и Qromis объединились с немецким производителем передач GaN MOCVD Aixtron для продвижения эпитаксии GaN-on-QST. По мнению ряда отраслевых экспертов, количество заводов по производству полупроводниковых интегральных схем (IC), которые обрабатывают 300-мм пластины, увеличится с 15 в 2002 году до 138 в 2023 году.

Рынок эпитаксиальных пластин Ключевые события:

Май 2020 года - SweGaN ABКомпания, которая производит пользовательские нитрид галлия на карбиде кремния (GaN-on-SiC) эпитаксиальные пластины для радиочастотных и силовых электронных устройств, объявила о новом эталоне для высокочастотных устройств GaN на основе своего материала QuanFINE. Компания считает, что демонстрация обещает коммерческие выгоды для всех цепочек создания стоимости GaN RF, которые включают в себя телекоммуникационный, космический и военный рынки.

Global Wafers Taiwan CO в июне 2022 года Ltd объявила об инвестициях в размере 5 миллиардов долларов в завод в Техасе, который будет производить и поставлять 300-миллиметровые кремниевые пластины для полупроводников.

* Определение: Для использования в фотонике, микроэлектронике, спинтронике или фотоэлектрике эпитаксиальная пластина, также известная как эпи-вафер, эпи-вафер или эпивафер, представляет собой пластину из полупроводникового материала, созданного посредством эпитаксиального роста (эпитаксии).Эпи пластины используются для компонента диода и полупроводника или субстрата для ИС, например, биполярного типа и типа МОС. Кроме того, силовые устройства часто используют многослойные эпи-вафли и толстые пленочные эпи-вафли, которые способствуют компактности и энергоэффективности различных продуктов питания.