MERCADO IGBT E SUPER JUNCTION MOSFET ANALYSIS

IGBT é um dispositivo semicondutor de potência que oferece rápida comutação e alta eficiência. Ele compete com outros dispositivos semicondutores, incluindo Galium Nitride (GaN), MOSFETs e carbonetos de silício. IGBTs oferecem a vantagem combinada de MOSFETs e transistores bipolares, fornecendo tanto alta impedância de entrada e unidade de alta tensão. IGBTs são ideais para aplicações que exigem alta tensão de corrente e alta quebra, devido às suas melhores características de modulação de condutividade.

Estima-se que o mercado global de IGBT e super junção MOSFET seja avaliado em US$ 12.782.8 milhões em 2021 e deverá apresentar um CAGR de 12,5% durante o período de previsão (2021-2028).

Desenvolvimentos recentes:

Em dezembro de 2020, a Fuji Electric Co., Ltd., uma empresa de eletrônicos baseada no Japão lançou X Series IGBT-IPM*1 com dispositivos X Series de 7a geração.

Em novembro de 2020, a Fuji Electric Co., Ltd., uma empresa de eletrônica baseada no Japão lançou HPnC,*1 com o módulo X Series IGBT*2 da 7a geração.

Em junho de 2021, a Mitsubishi Electric, uma empresa de eletrônica baseada no Japão lançou a série T Módulo IGBT 2.0kV para uso industrial.

Estatística:

Figura 1. Global IGBT e Super Junction MOSFET Valor de Mercado (US$ Mn), por Região, 2020

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A Ásia Pacific ocupava posição dominante no mercado mundial de IGBT e super junção MOSFET em 2020, representando 48,5% de participação em termos de volume, seguido pela Europa e América do Norte, e RoW respectivamente.

Dinâmica de Mercado - Drivers

Espera-se que o crescimento do foco na maior eficiência energética aumente o crescimento do mercado global de IGBT e super junção MOSFET durante o período de previsão. A demanda por alta eficiência energética aumentou no passado recente fornecendo amplas oportunidades para IGBT e super junção MOSFETs. As melhorias constantes do projeto em toda a indústria elétrica e eletrônica levaram ao aumento da demanda por IGBT e MOSFETs. Ao mesmo tempo, o mercado de energia alternativa e renovável ganhou uma tração significativa, especialmente o mercado de energia solar e eólica. De acordo com a análise da Coherent Market Insights, as remessas de inversor fotovoltaica solar (PV) deverão atingir 53,6 milhões de unidades até 2016, crescendo de 14,3 milhões de unidades em 2013. Além disso, o aumento do foco no aumento da eficiência de transmissão de eletricidade tem apoiado o crescimento do mercado de redes inteligentes, aumentando assim a demanda por IGBT e MOSFETs.

A implantação crescente de veículos elétricos e veículos elétricos híbridos (EV/HEV) deverá aumentar o crescimento global do mercado IGBT e super junção MOSFET durante o período de previsão. Electrificação em carros com um motor de combustão interna levou ao aumento da demanda por semicondutores de energia. De acordo com a Agência Internacional de Energia, as vendas globais de EV aumentaram de 2011 para 113.000 em 2012. Aumentar a eficiência do combustível e as normas de emissão exigidas pelos governos em todo o mundo levou a aumentar a demanda por veículos elétricos. Controlo electrónico e gerenciamento de energia inteligente são necessários para reduzir as emissões de veículos. Como resultado disso, a demanda por IGBT e super junção MOSFETs.

Oportunidades de mercado

O rápido crescimento do mercado de redes inteligentes pode apresentar oportunidades de crescimento lucrativo no mercado global IGBT e super junção MOSFET. O mercado global de rede inteligente está se expandindo rapidamente, devido a um grande aumento na instalação de medidores inteligentes em todo o mundo, a fim de garantir uma melhor eficiência nas transmissões de energia e distribuição. De acordo com a análise da Coherent Market Insights, o mercado global de redes inteligentes foi avaliado em US$ 35 bilhões em 2012, alcançando US$ 65-70 bilhões até 2017. Esta infraestrutura de distribuição inteligente e medidores inteligentes precisarão de melhor tecnologia de gerenciamento de energia e são esperados para criar demanda por semicondutores de energia, incluindo IGBTs e super junção MOSFETs neste setor.

Principais oportunidades de negócios disponíveis Ásia Pacific IGBT e super mercado MOSFET de junção. Ásia Pacific é um mercado emergente com enormes oportunidades de crescimento presentes. A rápida industrialização e urbanização em economias emergentes, como a Índia, a China e a Indonésia levaram a aumentar a demanda por MOSFETs de super junção e IGBT. As principais empresas do mercado podem capitalizar essas oportunidades através da introdução de novos produtos e ganhar uma vantagem competitiva no mercado.

Tendência de mercado

O mercado global de IGBT e super junção MOSFET está testemunhando aumento do foco na otimização de chips IGBT, devido à crescente demanda por maior densidade e aumento da potência e resistência térmica. Várias aplicações de uso final, especialmente aplicações de consumo, preferem IGBTs com tamanho pequeno e alta confiabilidade. Os principais fornecedores de todo o mercado estão investindo em pesquisa e desenvolvimento, a fim de fabricar chips otimizados que podem melhorar a eficiência dos módulos IGBT.

O mercado global IGBT e super junção MOSFET está experimentando maior interesse dos jogadores em IGBTs e super junção MOSFETs catering para uma faixa de tensão mais alta. Desde que deixou de fazer o controle de motor IGBTs nos anos 90, ON Semiconductor tem se concentrado em IGBTs para ignição automotiva. No entanto, o potencial crescente em todo o segmento de motor de alto desempenho compeliu a empresa a lançar 600V e 1200V IGBTs em 2012. Da mesma forma, Alpha e Omega Semicondutor lançou dispositivos IGBT para 600V gama em 2012. A ABB Ltd. introduziu uma função de diodo em seus produtos IGBT para criar um produto de energia compacto e superior chamado transistor de porta isolado bi-modo.

Figura 2. Global IGBT e Super Junction MOSFET Market Share, Por tipo de produto, 2020

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Principais pontos turísticos do Gráfico:

• O IGBT manteve posição dominante no mercado e representou 5% de participação no mercado global IGBT e super junção MOSFET em 2020. Espera-se que o segmento chegue a US$ 25,9 milhões em 2028, devido ao aumento da atividade de pesquisa e desenvolvimento no IGBT.
• Em 2020, a EV/HEV representou a maior parcela de 5% no mercado global de IGBT e super junção MOSFET e deverá ser avaliada em US$ 5.403,4 milhões em 2028. Isto é devido à crescente demanda de veículos elétricos e veículos elétricos híbridos (EV/HEV)

Dinâmica de Mercado- Restrições

A concorrência de outros semicondutores de potência é esperada para dificultar o crescimento global do mercado IGBT e super junção MOSFET durante o período de previsão. A indústria de semicondutores está focada em alcançar melhor eficiência, menor tamanho e custo através de novas tecnologias de substrato. Galium-Nitride (GaN) e Silício-Carbide surgiram como novas tecnologias concorrentes na indústria de semicondutores de potência ao lado dos tiristores, retificadores já existentes, e tiristor integrado comutador (IGCT) entre outros. Embora os MOSFETs de super junção e IGBT sejam esperados para continuar a crescer, o setor de semicondutores mostrou maior interesse em dispositivos GaN devido à vantagem mencionada na tensão de ruptura, densidade de energia e frequência de comutação.

Espera-se que o alto custo de produção restrinja o crescimento do IGBT global e do mercado MOSFET de super junção durante o período de previsão. Super junção MOSFET requer um custo significativamente alto para a produção em comparação com outros produtos contemporâneos. Como resultado disso, a maioria dos consumidores está inclinada para produtos substitutos.

Secção Competitiva

Os principais jogadores que operam no mercado global IGBT e super junção MOSFET são Infineon Technologies AG, Vishay Intertechnology, Inc., Mitsubishi Electric Corporation, STMicroelectronics N.V., Fuji Electric Co. Ltd., Toshiba Corporation, Hitachi Power Semiconductor Device Ltd., Fairchild Semiconductor International, Inc., Semikron Elektronik GmbH & Co.

Principais desenvolvimentos

1. As principais empresas estão focadas em lançamentos de produtos, a fim de expandir o portfólio de produtos. Por exemplo, em fevereiro de 2018, a Infineon Technologies AG lançou módulos EconoDual 3 IGBT com shunts integrados, a fim de reduzir os custos do sistema.
2. Os principais jogadores estão envolvidos em lançamentos de produtos, a fim de ganhar uma vantagem competitiva no mercado. Por exemplo, em fevereiro de 2019, a Vishay Intertechnology, Inc. lançou um novo driver de 2.5 A IGBT e MOSFET.