MERCADO DE DRIVERS MOSFET E IGBT GATE ANALYSIS

MOSFET e IGBT são dois transistores de fonte de alimentação de modo de interruptor. Um Metal-Oxide-Semiconductor O Transistor de Efeito de Campo (MOSFET) é um Transistor de Efeito de Campo que é tipicamente formado por oxidação controlada de silício. Ele usa portões isolados, que permitiram mudar a condutividade com a variação da tensão aplicada como por exigência de aplicação. Esta propriedade é usada em amplificação ou comutação de sinais elétricos. Um Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT) é um dispositivo semicondutor de potência de três terminais, que é usado como um interruptor eletrônico, que consiste em quatro camadas alternadas (P-N-P-N) que são controladas por uma estrutura de metal-oxida-semiconductor (MOS) sem ação regenerativa. É essencialmente um MOSFET controlando um Transistor de Poder de Junção Bipolar (BJT) com ambos os transistores em um único pedaço de silício. Os drivers de portão IC geram a tensão necessária e o nível de corrente necessário para ativar com precisão e eficiência o estágio de energia em aplicações industriais, de consumo, de computador e automotiva, motores, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), e inversores solares.

Aumentar o crescimento na indústria de dispositivos eletrônicos é um fator de condução importante para o crescimento do mercado global de drivers de portão MOSFET e IGBT

Drivers IC de MOSFET e IGBT são usados principalmente em dispositivos eletrônicos como um interruptor e também como amplificadores, ou seja, para mudar um processo contínuo para uma tensão maior. A crescente demanda por dispositivos eletrônicos é um dos principais fatores de condução para o crescimento do mercado. Por exemplo, segundo o relatório de 2015 de Hong Kong Science and Technology Parks (HKSTP), o mercado global de eletrônicos de consumo é projetado para alcançar US$ 2,976 bilhões até 2020, com um CAGR de 15,4% no período de previsão (2015-2020). MOSFETs pode operar em altas frequências e pode executar aplicações de comutação rápida com pequenas perdas de desligamento. O IGBT combina as características simples do gate-drive encontradas no MOSFET com a capacidade de alta corrente e baixa saturação-voltagem de um transistor bipolar. Portão IGBT são frequentemente usados com amplificadores e para gerar pulsos de grande potência, portanto são úteis em aparelhos modernos, como carros elétricos, trens, geladeiras de velocidade variável e condicionadores de ar. Assim, estes portões de motorista IC mercado é afetado pelo crescimento no mercado de dispositivos eletrônicos. Além disso, espera-se que o aumento das vendas de veículos elétricos ajude no crescimento do mercado. Por exemplo, de acordo com a análise da Coherent Market Insights, em 2017, a venda global de veículos elétricos foi de 962 mil unidades até 695 milhares de unidades em 2016.

Global MOSFET e IGBT Gate Driver Market: Visão Regional

O mercado de MOSFET e IGBT Gate com base na região é segmentado em seis regiões: América do Norte, Europa, Ásia Pacífico, América Latina, Oriente Médio e África.

A Ásia Pacific ocupou a posição dominante no mercado para o MOSFET e IGBT gate Driver em 2017 e é projetada para manter seu domínio durante todo o período de previsão. Isto é devido à alta produção de eletrônicos e aparelhos de consumo na região, que está afetando o crescimento do mercado. Índia, China e Japão são algumas das principais economias emergentes na região com alta produção de bens eletrônicos. Por exemplo, de acordo com a Índia Brand Equity Foundation (IBEF), maio de 2018, o mercado eletrônico da Índia deverá exibir 41% CAGR no ano de previsão (2017-2020) e deverá chegar a US$ 400 bilhões até 2020. Espera-se que isso leve à alta adoção do portão MOFSET e IGBT, ajudando assim no crescimento do mercado. Além disso, as vendas elevadas de veículos elétricos na Ásia-Pacífico também aceleraram o crescimento do mercado nesta região. Por exemplo, de acordo com a análise da Coherent Market Insights, em 2017, as vendas de veículos elétricos na Ásia Pacific foram de cerca de 426 mil unidades. A China manteve a posição dominante nas vendas de veículos elétricos em 2017. Em 2017, as vendas de veículos elétricos na China foram 378 mil unidades.

A América do Norte realizou a segunda maior participação em 2017, devido ao alto crescimento do mercado de eletrônicos nesta região. Os EUA e Canadá são os principais motores de crescimento da região. O mercado dos bens electrónicos e do comércio afins presenciou um aumento significativo do passado recente na região. Por exemplo, de acordo com o Trade Statistics of International Business Development, as exportações de máquinas elétricas e equipamentos em 2017 foram de US$ 174,2 milhões em 2016 nos Estados Unidos. Como MOSFET e IGBT portão são componentes essenciais em eletrodomésticos de consumo, a demanda por MOSFET e IGBT Gates, espera-se aumentar significativamente com o aumento da demanda por tais produtos. Isto deverá, por sua vez, ajudar no crescimento do mercado na região durante o período de previsão (2018-2026).

Global MOSFET e IGBT Gate Driver Market: Principais jogadores

Os principais jogadores que operam no mercado global de drivers de portão MOSFET e IGBT são Infineon Technologies, ON Semiconductor, STMicroelectronics, ROHM Semiconductor, NXP Semiconductors, Texas Instruments, Microchip, Power Integrations Inc., Vishay, Broadcom, Analog Devices, IXYS, Toshiba, Renesas e Powerex.

Global MOSFET e IGBT Gate Driver Market: Taxonomia

Com base no tipo de produto, o mercado global de driver de porta MOSFET e IGBT é classificado em:

• Drivers para o Single Channel Gate
• Drivers para o Half Bridge Gate
• Drivers para o Full Bridge Gate
• Drivers de três portas de fase
• Outros

Com base na aplicação, o mercado global de driver de portão MOSFET e IGBT é classificado em:

• Eletrodomésticos
• Automóvel
• Iluminação de exposição
• Fonte de alimentação
• Outros

Com base na região, o mercado global de motorista MOSFET e IGBT é classificado em:

• América do Norte
• Europa
• Ásia Pacífico
• América Latina
• O Médio Oriente
• África

Mercado Global de Driver MOSFET e IGBT Gate: Principais desenvolvimentos

• Em setembro de 2018, a Powerex Inc. lançou o novo e atualizado IGBTs de 7a geração para controle de motores. Como resultado, a eficiência do motor aumentou 7% em nenhuma carga, até 20% na carga máxima e a potência também aumentou para 20%.
• Em novembro de 2018, a Renesas Electronics Corporation lançou um 100V Half-Bridge Drive MOSFETs para Controlador Bidirecional em 12V-48V Automotivo híbrido Powertrains. É uma família avançada do driver ISL784x4 MOSFET que permite a conversão DC/DC de alta corrente com tempo morto ajustável e máxima eficiência.
• Em maio de 2017, a Toshiba Corporation lançou ‘TLP5214A’, um fotocoupler de driver de portão inteligente para uso na condução de IGBTs de média potência e MOSFETs de potência que oferecem características de detecção de desaturação.
• Em julho de 2018, a Toshiba Corporation lançou um novo dispositivo de energia inteligente de driver de portão MOSFET (IPD) para motores automotivos sem escovas de 3 fases. O dispositivo destina-se a ser utilizado em motor automotivo aplicações de acionamento, tais como a direção eletrônica 12V (EPS), bombas de óleo / água, motores de ventilador e turbocompressores elétricos.
• Em novembro de 2017, a IXYS Corporation introduziu um novo driver para aplicações de alta frequência, como inversores, que é IXRFDSM607X2 15 Ampere Low-Side RF MOSFET Driver pela sua divisão IXYS Colorado.
• Em maio de 2017, a Analog Devices, Inc. (ADI) introduziu pequenos fatores de forma isolados portão drivers projetados para maiores velocidades de comutação e restrições de tamanho do sistema exigidas por tecnologias de comutação de energia, como SiC (Silicon Carbide) e GaN (Nítido de Gálio).