SEMI-CONDUCTEUR GAN MARCHé ANALYSIS

GaN représente le nitrite de Gallium et il est très dur, mécaniquement stable semi-conducteur à large bande. GaN est utilisé pour fabriquer des dispositifs à semi-conducteur ainsi que des composants radiofréquence (RF) et des écrans émettant de la lumière (DEL). GaN démontre sa capacité à remplacer l'ancienne technologie de silicium lent (Si) pour les semi-conducteurs de silicium dans la conversion de puissance, RF (fréquence radio) et les applications analogiques.

Facteurs à l'origine de la croissance du marché mondial des semi-conducteurs GaN :

La croissance du marché peut être attribuée à l'augmentation des applications du nitrite de gallium (GaN) dans divers dispositifs semi-conducteurs. La demande croissante de dispositifs de communication sans fil, principalement dans la communication de défense, devrait générer une demande de semi-conducteurs GaN. La technologie du nitrite de gallium est largement utilisée dans le développement d'amplificateurs utilisés dans les communications sans fil comme les amplificateurs de classe E, de classe F et de classe C. Au cours des dernières années, la demande pour les dispositifs à semi-conducteurs GaN a augmenté dans les équipements électriques tels que les bornes de recharge embarquées et recharge des véhicules électriques les kiosques.

Tendances du semi-conducteur GAN mondial Marché:

La croissance de GaN Semiconductor peut être attribuée à la demande croissante d'électronique électrique en raison de leur faible consommation d'énergie et de leur grande efficacité. Les appareils GaN offrent jusqu'à 3x de puissance ou 3x de charge plus rapide que les puces de silicium (Si), avec jusqu'à 40% d'économies d'énergie.

Les acteurs de l'industrie se concentrent sur le développement de produits, les collaborations et les partenariats stratégiques pour renforcer l'offre en technologie GaN. Par exemple, des sociétés de technologie aérospatiale et de défense telles que L3Harris Technologies, Inc., Northrop Grumman Corporation et BAE Systems ont collaboré avec des organismes gouvernementaux en 2020 pour mettre en œuvre des semi-conducteurs de nitrure de gallium dans les applications militaires et radars.

En outre, Toshiba Corporation a mis au point en 2020 une technologie de procédé diélectrique pour réduire les disparités dans les caractéristiques telles que la tension de seuil des dispositifs d'alimentation GaN et améliorer la précision du semi-conducteur GaN.

GaN Semiconductor Marché: Perspectives régionales:

Le gouvernement nord-américain encourage l'utilisation d'appareils éconergétiques et donne des contrats pour améliorer les semi-conducteurs GaN à diverses entreprises de la région. Par exemple, en mars 2015, le gouvernement américain a octroyé à Raytheon Integrated Defense Systems un contrat de 50,9 millions de dollars pour accroître la fabrication de semi-conducteurs GaN. Dans la région, le secteur des technologies de l'information et de la communication s'intéresse de plus en plus aux semi-conducteurs GaN dans les appareils à radiofréquences.

On s'attend à ce que l'Asie-Pacifique devienne le marché qui connaît la croissance la plus rapide, en raison du développement technologique rapide qui entraîne l'augmentation de la demande de composants efficaces et performants de radiofréquences (RF). Des pays comme la Chine et le Japon sont les leaders du marché dans la fabrication d'appareils électroniques grand public, tels que les appareils LED (écrans d'émission de lumière), smartphones et appareils de jeux. Cela joue un rôle important dans la promotion de la croissance du marché régional. De plus, l'augmentation des budgets de défense dans des pays comme la Chine, l'Inde et la Corée du Nord a entraîné une augmentation de la demande de communication puissante, en particulier en 5G. Comme les dispositifs à semi-conducteurs GaN remplacent les dispositifs à semi-conducteurs à oxyde métallique à diffusion latérale (LDMOS) sur le marché, en particulier dans les télécommunications 5G, le radar et l'avionique, ce changement devrait créer une demande accrue pour les semi-conducteurs GaN.

Les acteurs clés du marché mondial des semi-conducteurs GaN :

Les principaux acteurs du marché des semi-conducteurs GaN sont les suivants : Cree, Inc., Efficient Power Conversion Corporation, Fujitsu Ltd, GaN Systems, Infineon Technologies AG, NexGen Power Systems, NXP Semiconductor, Qorvo, Inc., Texas Instruments Incorporated, Toshiba Corporation, etc.

Semiconductor Global GaN Marché: Taxonomie:

Sur la base du type de produit, le marché mondial des semi-conducteurs GaN est segmenté en:

• Appareils à radiofréquence
• Opto-semi-conducteurs
• Semi-conducteurs de puissance

Sur la base de la composante, le marché mondial des semi-conducteurs GaN est segmenté en:

• Transistors
• Diodes
• Rectificateurs
• Puissance IC
• Autres

Sur la base de la taille des wafers, le marché mondial des semi-conducteurs GaN est segmenté en:

• 2 pouces
• 4 pouces
• 6 pouces
• 8 pouces

Sur la base de l'industrie de l'utilisation finale, le marché mondial des semi-conducteurs GaN est segmenté en:

• Automobile
• Électronique des consommateurs
• Défense et aérospatiale
• Santé
• Information et communication Technologie
• Industrie & Puissance
• Autres

Sur la base de la région, le marché mondial des semi-conducteurs GaN est segmenté en:

• Amérique du Nord
• Europe
• Asie-Pacifique
• Amérique latine
• Moyen-Orient et Afrique