GAN EPITAXIAL WAFERS MARKET ANALYSIS

Ein Epitaxiewafer, auch Epiwafer genannt, ist ein Wafer aus Halbleitermaterial, hergestellt durch epitaktisches Wachstum (Epitaxie) zur Verwendung in Photonik, Mikroelektronik, Spintronics, oder Photovoltaik. Die epitaktischen Schichten bestehen aus verschiedenen Verbindungen wie Galliumnitrid (GaN), Galliumarsenid (GaAs), oder einer Kombination der Elemente Gallium, Indium, Aluminium, Stickstoff, Phosphor oder Arsen. Hohe Elektronenmobilität, geringe Schaltverluste und weniger Gitterfehlanpassungen sind einige der wichtigsten Vorteile von GaN Substrate, die ihre Annahme in Branchen wie Leistungselektronik und Optoelektronik führen.

Weiterhin werden GaN-Epitaxiewafer durch Hydrid-Dampfphasenepitaxie (HVPE) oder metallorganische chemische Dampfphasenabscheidung (MOCVD) entwickelt und können als ideales und ausgezeichnetes Substrat für Hochfrequenz-, Hochgeschwindigkeits- und Hochleistungsgeräte eingesetzt werden. Die GaN epitaxialen Wafer werden von mehreren Firmen wie Aixtron, EpiGaN nv, Sciocs und Semiconductor Wafer Inc entwickelt.

Rising Adoption von LEDs führt zu steigender Nachfrage nach GaN epitaxialen Wafern

GaN ist weit verbreitet in Hochfrequenzgeräten, Leuchtdioden (LEDs) und Leistungselektronik, aufgrund seiner Fähigkeit, mit hoher Frequenz und hoher Temperatur zu arbeiten. Die zunehmende Adoption von LEDs ist ein wichtiger Faktor, um das Wachstum des GaN epitaktischen Wafermarktes zu steigern. Darüber hinaus hat die Weiterentwicklung der GaN-Technologie zur Entwicklung effizienter GaN-Substrate mit freier Makrofehlerdichte und geringer Defektdichte geführt. Somit können GaN-Substrate zunehmend zur Realisierung von LEDs mit einem Waferdurchmesser von 2 Zoll bis 6 und 8 Zoll verwendet werden. Die zunehmende Adoption von LEDs wird erwartet, dass das Wachstum des GaN-Epitaxie-Wafermarktes während der Prognosezeit vorangetrieben wird. Der Wettbewerb von Sic in Hochvolt-Halbleiteranwendungen und hohen Produktkosten sind jedoch Faktoren, die das Wachstum des globalen GaN-Epitaxwafermarktes während der Prognosezeit behindern werden.

Global GaN Epitaxial Wafers Market Regional Insight:

In Bezug auf die Geographie wird erwartet, dass Asien-Pazifik während des Prognosezeitraums im globalen GaN-Epitaxenmarkt dominant ist. Dies beruht auf einer breiten Nutzung von GaN-basierten Transistoren im Verteidigungs- und Militärsektor, einer steigenden Nachfrage nach LEDs aus verschiedenen Branchen wie der Unterhaltungselektronik und der Automobilindustrie und einer steigenden Nachfrage nach LEDs erneuerbare Energien Erzeugung in der Region. Zum Beispiel, im Juni 2019, Samsung kündigte die Einführung von The Wall Luxury GaN micro-LED-Display konfigurierbar von 73” in 2K bis 292” in 8K. Darüber hinaus wird erwartet, dass die Region Asien-Pazifik über den Prognosezeitraum ein erhebliches Wachstum verzeichnen wird, was auf eine hohe Einführung innovativer Technologien wie Epinukleation, Pufferstrukturtechnologie usw. in Ländern wie China, Japan, Südkorea und Indien zurückzuführen ist. Die wichtigsten Akteure in dieser Region sind darauf ausgerichtet, neue Produkte anzubieten, um den steigenden Bedürfnissen und Anforderungen der Verbraucher gerecht zu werden. So kündigte Xiamen San'an Integrated Circuit Co., Ltd., eine China-basierte Pure-Play-Wafer-Gießerei mit seiner fortschrittlichen Verbund-Halbleiter-Technologie-Plattform, den Start seiner 150mm Gallium-Nitride (GaN) auf Silizium-Wafer-Gießdienste, die für die neuesten High-Spannung DC/AC und AC/DC-Leistungselektronik-Anwendungen weltweit bestimmt ist.

Global GaN Epitaxial Wafers Markt Wettbewerbshintergrund:

Schlüsselakteure im globalen GaN epitaxiale Wafer Markt sind RF Globalnet, Aixtron, EpiGaN nv, Sciocs, Semiconductor Wafer Inc. IGSS GaN, SweGaN, NTT Advanced Technology Corporation, Infineon Technologies AG, Mitsubishi Electric Corporation, Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation, Koninklijke Philips N.V. und ALLOS Semiconductors GmbH unter anderem.

Global GaN Epitaxial Wafers Markt Taxonomie:

Auf Basis des Produkttyps wird der globale GaN-Epitaxenmarkt in:

• GaN Homoepitaxial Epitaxie Wafer
• GaN Heteropitaxiale Epitaxie Wafer

Auf Basis der Wafergröße wird der globale GaN-Epitaxenmarkt in:

• 2-Zoll Wafer
• 4-Zoll-Wafer
• 8-Zoll und über Wafer

Auf Basis der Anwendung wird der globale GaN epitaxiale Wafermarkt in:

• LEDs
• Laser
• Funkfrequenzgeräte
• Power Drives
• Transistoren
• Sonstige

Auf Basis der Endverbraucherindustrie wird der globale GaN epitaxiale Wafermarkt in:

• IT & Telekommunikation
• Industrie
• Automobilindustrie
• Erneuerbare
• Verbraucherelektronik
• Militär, Verteidigung & Luft- und Raumfahrt
• Medizinische und Gesundheitswesen
• Sonstige

Auf Basis der Region wird der globale GaN epitaxiale Wafermarkt in:

• Nordamerika
• Europa
• Asien-Pazifik
• Lateinamerika
• Naher Osten
• Afrika