EPITAXIE WAFER MARKT ANALYSIS

Die Epitaxial Wafer Marktgröße wurde im Jahr 2022 auf 2.778 Mio. USD geschätzt und wird voraussichtlich eine jährliche Wachstumsrate von 12,9 % von 2022 bis 2030 aufweisen. Epitaxie Wafer, ansonsten Epi-Wafer genannt, wird durch Epitaxieverfahren auf andere Siliziumwafer gelegt. Epitaxie ist der Prozess der Abscheidung einer einkristallinen Siliziumschicht über die polierte Kristalloberfläche eines Siliziumwafers. Auf einem polierten Wafer werden Schichten aus einzelnen Siliziumkarbidkristallen viele Mikrometer dick zugegeben, um einen epitaktischen Wafer zu bilden. Seine nahtlose Produktion erfordert eine präzise Kontrolle über Dicke, Trägerkonzentration und Defektdichte.

Compound-Halbleiter-Epitaxiewafer werden zu Chips und integrierten Schaltungen (ICs) verarbeitet, die in einer Vielzahl von technologischen Gadgets weltweit zu finden sind. Die drahtlose, photonische und elektronische Leistung der Wafer wird durch die epitaktischen Schichten bestimmt.

Abbildung 1: Epitaxie Wafer Marktanteil (%), nach Region 2022

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Epitaxie Wafer Markt: Regionale Einblicke

Der epitaktische Wafermarkt in Asien-Pazifik hat im Jahr 2022 den größten Anteil am globalen Markt gehalten. Die Expansion dieses Marktes kann auf eine Vielzahl von Faktoren zurückgeführt werden, einschließlich der zunehmenden Nutzung von IoT, selbstfahrenden Autos und dem Eindringen von Smartphones. Dünnere und kleinere integrierte Schaltkreise (ICs) sind durch steigende Smartphone-Anforderungen und Fortschritte in der Smartphone-Technologie entstanden. Die Bausteine von Halbleitern sind diese Siliziumwafer und auf diesen Substraten werden Halbleitereinrichtungen oder Chips hergestellt. Computer, Unterhaltungselektronik, Telekommunikationsprodukte und andere elektronische Geräte nutzen diese Halbleiter. Dadurch beschichten Hersteller diesen Wafer mit Epitaxiewafer, um die Leistung dieser elektronischen Geräte in Abhängigkeit von der steigenden Nachfrage zu steigern. Dadurch wird erwartet, dass dieser Faktor die Nachfrage nach epitaktischem Wafer im Bereich über den erwarteten Zeitrahmen erhöht.

Darüber hinaus ist diese Region der größte Verbraucher von Halbleiter-integrierten Schaltungen aufgrund der Anwesenheit von bedeutenden Herstellern wie Samsung, Sony, LG, Toshiba, Panasonic, Toyota und Honda. Die IC-Produktion wird beschleunigt, wenn Spieler anwesend sind. Dadurch wird in diesem bestimmten Bereich eine steigende Nachfrage nach epitaktischem Wafer entstehen.

Epitaxie Wafer Markttreiber:

Erhöhung der Adoption der LED-Beleuchtung

Die steigende Nachfrage nach epitaktischem Wafer wird durch die weit verbreitete Annahme von LED-Beleuchtung, die ein großer Treiber der Markterweiterung ist, befeuert. LED Leuchtmittel sind langlebiger, langlebiger und vergleichbar mit anderen Beleuchtungsarten. Im Gegensatz zu inglühenden und kompakten Leuchtstofflampen (CFLs), die Wärme und Licht in alle Richtungen erzeugen, sind LEDs "direktionale" Lichtquellen. Dadurch können LEDs in zahlreichen Anwendungen Licht und Energie effektiver nutzen. Sie produzieren weniger Wärme und verbrauchen weniger Energie als Glühbirnen. Einige LEDs können im Allgemeinen 10% der für das Standardlicht erwarteten Leistung arbeiten und bis zu etwas länger dauern.

Erstinvestitionen

Der Begriff "Initial Capital Investment" bezieht sich auf die Kosten des Kaufs oder des Baus einer Strom- oder Nicht-Strom-Anlage, die voraussichtlich von Stromeinnahmen zurückgezahlt werden soll. Dazu gehören, ist aber nicht beschränkt auf die Kosten, die mit Planung, Gestaltung, Kauf von Grundstücken und Gebäuden verbunden sind, Investitionen während des Baus und Tests. Erste Investitionen in hohe Kapitalanlagen werden kleine Akteure auf den Einstieg in den Halbleiterbau beschränken. Dieser Faktor wird das Wachstum des epitaktischen Wafermarktes in naher Zukunft weiter einschränken.

Epitaxie Wafer Marktrückhaltungen:

Höhere Kosten für die Waferherstellung

Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen handelt es sich um ein Verfahren, das aus zahlreichen wiederholten, sequentiellen Prozessen besteht, um komplette elektrische oder photonische Schaltungen auf Halbleiterscheiben herzustellen. Die Dienststellen der Epitaxie enthalten einen größeren Aufwand für die Herstellung von Wafer, zusätzliche Zyklus-Intrikcies und Probleme im Zusammenhang mit Kapitulationen in der Epischicht. Eine Halbleiterverarbeitungseinrichtung, die Wafer in integrierte Schaltungen umwandelt, ist als Waferfab bezeichnet. Leiter, Transistoren, Widerstände und andere elektronische Bauelemente auf einem Halbleiterwafer werden durch eine komplexe Stufenreihe in einem typischen Waferfab definiert.

Segmentdiagramm

Abbildung 2: Epitaxie Wafer Marktanteil (%), Durch Anwendung, 2022

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Epitaxiale Wafer Marktsegmentierung:

Der globale Epitaxial Wafer Marktbericht wird in By Deposition Type, By Wafer Size und durch Anwendung segmentiert

Basierend auf der Positionsart ist der Markt segmentiert Heteroepitaxy, und Homeoepitaxy, basierend auf Wafer Größe, der Markt wird in 50mm bis 100mm, 100mm bis 150mm, über 150mm, basierend auf Anwendung, und der Markt wird in LED-Halbleiter, Power Semiconductor, MEMS-basierte Geräte segmentiert.

Epitaxie Wafer Markt: Schlüsselunternehmen Einblicke

Imec und Qromis haben sich für den geschaffenen Verbesserungsmodus, p-GaN diskret und IC Power Gadgets auf 200 mm QST Substraten, mit Epitaxieschichten gefüllt in Aixtrons G5+ C 200 mm MOVCD-Stufe. In einer fortgeschrittenen CMOS-Silizium-Pilotlinie arbeiten beide Unternehmen an der Gerätefertigung, der Entwicklung von GaN-Leistungsgeräten, diskreten und monolithisch integrierten IC-Formen und 200 mm QST-Substraten. Imec und Qromis haben sich mit dem deutschen GaN MOCVD-Getriebehersteller Aixtron auf GaN-on-QST-Epitaxievorschub zusammengetan. Laut einer Reihe von Branchenexperten wird die Anzahl der integrierten Halbleiterfertigungsanlagen (IC) mit 300 mm Wafer von 15 im Jahr 2002 auf 138 im Jahr 2023 steigen.

Epitaxie Wafer Markt Schlüsselentwicklungen:

Mai 2020 - SweGaN AB, ein Unternehmen, das kundenspezifische Galliumnitrid auf Siliziumkarbid (GaN-on-SiC) epitaktische Wafer für HF- und Leistungselektronik-Geräte produziert, hat einen neuen Benchmark für GaN Hochfrequenz-Geräte auf Basis seines QuanFINE-Materials bekannt gegeben. Das Unternehmen glaubt, dass die Demonstration kommerzielle Vorteile für die gesamten GaN RF-Wertschöpfungsketten verspricht, darunter Telekommunikation, Raum und militärische Märkte.

Global Wafers Taiwan CO im Juni 2022 Ltd hat eine Investition von 5 Milliarden US-Dollar in eine Texas-Anlage angekündigt, die lokal produzierte 300 Millimeter Siliziumwafer für Halbleiter produziert und liefert.

*Definition: Für den Einsatz in Photonik, Mikroelektronik, Spintronik oder Photovoltaik ist ein epitaktischer Wafer, auch Epi-Wafer, Epi-Wafer oder Epiwafer genannt, ein Wafer aus halbleitendem Material, der durch epitaktisches Wachstum (Epitaxie) entsteht.Epi-Wafer werden für Komponente von Diode und Halbleiter oder Substrat für IC, beispielsweise bipolarer Art und MOS-Typ verwendet. Darüber hinaus nutzen Leistungsgeräte häufig mehrere Schichtepiwafer und dicke Filmepiwafer, die beide zur Kompaktheit und Energieeffizienz verschiedener Energiequellenprodukte beitragen.