下一代内存技术 市场 ANALYSIS

下一代内存是软件硬件产品上的重大升级. 它是现有质量生产记忆如SRAM和Flash的理想替代品. 它提供了更好的特征,预计将在不久的将来取代现有的量产记忆. 这些记忆也为自己开辟了特殊应用领域,并准备在不久的将来成为主流;然而,并非所有现有的记忆都将被取代。 下一代记忆包括ReRAM(抵抗随机访问内存),MRAM(Magneto-resistive Random Access Memory),PCM(Page-Change Memory),和FERAM(Ferroective Random Access Memory).

全球下一代记忆技术市场估计在2021年价值为6.5675亿美元,预计在预测期(2021-2028年)将展示56.8%的CAGR.

最近的事态发展:

2021年5月 – 三星,韩国一家电子公司宣布在该行业开发下一代DRAM内存.

2020年12月,总部位于美国的半导体公司Intel Corporation推出了6个下源内存和存储,以帮助客户应对数字化转型的挑战.

统计:

图 1. 按区域分列的全球下一代记忆技术市场价值(百万美元) 2020 (英语).

To learn more about this report, request sample copy

2020年,亚太在全球下一代记忆技术市场上占据主导地位,价值份额占42.6%,其次是北美、欧洲和世界其他地区。

市场动态驱动器

对更快和高度可扩展记忆的需求增加,预计将推动全球下一代记忆技术市场在预测期间的增长

目前,由于对更快,高度伸缩和低功率记忆的大量需求,对新兴内存技术的需求很大. 扩展已成为整个记忆行业的一个主要问题,一些更古老的记忆面临可扩展性问题。 此外,目前的渗漏量是65nm及以上地区的另一个重大问题。 除了较新的记忆外,三维记忆结构也有所发展. 除了较新的记忆外,三维记忆结构也有所发展. 这些结构提供了一种临时的解决办法;然而,这种技术有其自身的局限性。 Flash在缩小到90nm以下时面临严重的建筑问题. 因此,这些因素预计将在预测期间推动全球下一代记忆技术市场的增长。

遗留记忆技术利润率的下降预计将推动全球未来 预测期间的市场增长

现有记忆价格的高度波动迫使市场参与者寻找能够提供更高利润率的更新记忆. 早些时候,公司不得不降低制造能力,以增加对提高记忆价格的需求和援助。 然而,这只是一个临时解决办法。 需要一个能够带来可持续利润幅度的内存解决方案,这一直在推动对下一代内存技术的需求。 因此,预计这些因素将在不久的将来推动全球下一代记忆技术市场的增长。

市场机会

对普遍记忆解决方案的需求日益增加,这可以在全球下一代记忆技术市场上带来有利可图的增长机会

半导体内存 拥有当今不同记忆技术的统一品质. 其高速应可与SRAM相比,无挥发性类似于闪光,密度应可与DRAM相比. 此外,理想的记忆是低成本和高度可扩展的。 应适合系统芯片市场。 目前,每种现有技术都为单一目的提供可接受的性能;然而,许多系统需要所有三种记忆类型,以合乎逻辑的成本提供良好的整体性能。

市场参与者的研究和开发活动可以在全球下一代记忆技术市场上提供关键的商业机会

市场上的主要行为者侧重于研究和开发活动,以加强产品组合。 例如,2013年2月,Everspin推出了MR10Q010,这是一种带有SPI接口的1MB系列MRAM的新产品. 2013年5月,Micron推出了一个新的PCIe输入/输出加速器.

市场趋势

与新技术的激烈竞争

与DRAM和Flash相比,全球下一代内存技术要小得多. 在NAND的可伸缩性和密度方面,较新的记忆仍然落后;然而,这些记忆的芯片密度预计在未来几年会显著改善. 这将促进在几个较新的应用中采用。 随着新的记忆改善输入/输出性能,每位成本降低,PCM和MRAM的采用在缓存内存和企业存储方面可能大幅增长. 随着1GB芯片的提供,移动电话中PCM的采用预计将大大增加.

市场参与者之间的伙伴关系和协作

市场上的主要行为者侧重于伙伴关系和协作,以便在市场上获得竞争优势。 例如,2012年11月,Micron与Agiga合作 非挥发性DIMM(双线内存储模块)技术开发技术. 2012年6月,公司与IBM合作开发PCM技术. 此外,2011年7月,Hynix与东芝公司合作,共同开发了MRAM.

图 2. 全球下一代记忆技术市场份额,按产品类型分列,2020年

To learn more about this report, request sample copy

图中的关键外卖 :

• NVM部分在市场上占据主导地位,2020年在全球下一代内存技术市场占有99.1%的份额. 预计该部分在2028年将达到848.094亿美元。 这种增长可归因于其性能的提高,耐力的提高,功率消耗的降低,具有极高的书写耐力的可扩展性更好的,以及比其他挥发性内存技术的书写速度高得多.
• 缓存存储器和企业存储器部分在市场上占有主导地位,2020年在全球下一代存储器技术市场占有26.7%的份额. 预计该部分在2028年将达到1.5307亿美元. 这一增长可归因于全球数据中心不断增长。 云存储和数据中心对数据存储能力的需求日益增加,也正在形成市场上对NGM技术的需求。

市场动态-限制

预计高设计成本和密度因素将阻碍全球下一代记忆技术在预测期间的市场增长

设计成本高仍然是新出现的记忆的一个主要问题。 设计过程需要标准化,需要实现规模经济,以便使其比闪存或DRAM等常规记忆更具成本效益. 因此,这些因素预计将阻碍全球下一代记忆技术在预测期间的市场增长。

在极端环境条件下缺乏稳定性预计将限制全球下一代记忆技术市场在预测期间的增长

高温和极端环境条件下的稳定是新兴记忆技术的一些主要要求. 传统的记忆技术可以在极端温度和环境条件下维持. 然而,在极端温度和环境条件下,新兴技术面临可扩展性和稳定性问题。 反过来,预计这将限制全球下一代记忆技术市场在预测期间的增长。

全球 下一代内存技术 市场: 竞争性景观

在全球下一代内存技术市场运营的主要公司有微信科技股份有限公司,富士通有限公司,Everspin科技股份有限公司,温邦电子公司,SK Hynix股份有限公司,Cypress半导体公司,Avalanche科技股份有限公司,Adesto科技股份有限公司,三星电子股份有限公司.

主要动态

主要公司侧重于推出的产品,以扩大产品组合。 例如,在2019年8月,Micron Technology Inc公司推出了最高容量的单体16GB低功率双机数据速率4X(LPDDR4X)DRAM.

主要角色参与产品开发,以获得市场的竞争优势. 例如,2019年11月,富士秀有限公司推出了下一代存储性能ETERNUS AF S3全flash阵列和ETERNUS DX S5混合存储系统.