Nand Flash 记忆市场 - 份额、大小和行业分析

Nand Flash 记忆市场 Size and Trends

NAND闪存市场估计价值 2024年69.38 Bn美元 预计将达到 101.85美元到2031年时以复合年增长率增长 (CAGR)从2024年到2031年占5.6%.

Nand Flash Memory Market Key Factors

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智能手机、平板电脑和其他便携式设备正在推动对更高储存能力的强劲需求。 NAND闪存越来越多地用于数据中心,为云计算的增长和大规模数据存储的需要提供动力。

预计市场将受到智能手机、平板电脑和SSD等消费电子产品储存需求上升的驱动。更多地利用多媒体丰富内容和对下一代技术的大量储存要求,例如: 人工智能,增强现实,虚拟现实将增加对NAND闪存的需求. 在汽车电子产品中扩大使用闪存是预计在预测期间支持市场增长的另一个关键因素。

数字数据迅速增长

在过去十年中,由于数字内容在照片、录像、文件等不同格式中激增,对数字存储的需求急剧增加。随着个人和企业创造和消费的数字内容比以往任何时候都多,对大型存储能力的需要也随之增加. NAND闪存由于体积小,存储密度高,读写速度快,因此是为满足这一需求而最广泛采用的非挥发性存储技术之一. 多年来,智能手机制造商一直注重提供更高的存储变体,使消费者能够在手机上存储大量高分辨率照片和视频的图书馆. 同样,智能家用设备、Things的互联网、云计算和数据中心的流行也促使人们需要闪存处理每分钟产生的大量数字数据。人工智能,虚拟现实/增强现实,自主载体等新兴技术的进步预计未来也会成为主要的数据生成者. 所有这些数字化转型预计将大大增加世界范围的数据足迹,并在今后几年推动闪存市场的增长。

Market Concentration and Competitive Landscape

Nand Flash Memory Market Concentration By Players

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向固态驱动器过渡

机械硬盘驱动器由于容量大,成本低,长期以来一直是个人计算机的首选质量存储解决方案. 然而,由于基于NAND闪存的固态驱动器(SSD)提供了更高的性能、较低的功耗和稳健性的令人信服的优势,HDD正在变得过时。与旋转的HDD盘相比,SSD的读写时间要快得多,这对现代日间计算应用和经验至关重要。他们对身体休克的抵抗力和没有移动部件也使得SSD更持久可靠. 随着SSD能力的增长,同时由于技术进步而费用迅速下降,预计越来越多的台式计算机、膝上型计算机、甚至企业服务器将采用全速配置。主要PC原创设备制造商已经转向主要提供SSD配置. 从HDDs到SSD作为主要存储介质的过渡将有利于NAND闪存供应商,并在未来十年中推动各应用程序部门对高容量闪存产品的进一步需求。

Nand Flash Memory Market Key Takeaways From Lead Analyst

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市场挑战: NAND 闪存芯片的价格波动

储存密度呈指数增长,这需要对芯片制造商进行大量研究和开发,以便随着制造节点的缩小而降低生产成本。此外,全球贸易紧张局势影响了供应链,关税有可能增加成本。数据安全也是一个日益令人关切的问题,因为如果加密不当,闪存很容易被黑客入侵。

市场机会:3D NAND技术的出现

随着人工智能、自主载体和物联网等领域的新应用增加,对高容量存储的需求将继续增加。向非挥发性内存快递接口的过渡甚至可以使速度更快. 智能手机和固态驱动器在世界范围内越来越受欢迎,也提供了庞大的客户基础. 采用三层细胞和四层细胞技术可能会随着时间的推移进一步降低每千兆字节的成本.

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按类型- 低成本/ 位: TLC NAND 的崛起

在类型方面,TLC(Tree Bit Per Cell)在2024年的市场份额最高,因为与其他类型相比,每位成本明显较低,因此占32.5%。每个电池存储3比特而不是1或2比特,使得TLC NAND能够实现高得多的密度并降低制造成本. 这种成本优势使得TLC成为需要低价最大化存储容量的应用程序的首选,如USB闪存驱动器,内存卡,以及预算笔记本电脑和PC中的SSD. 主要制造商也多年来稳步改进了TLC的写耐力和读/写速度,解决了早期的可靠性问题. 因此,TLC NAND现在满足了大多数主流应用的性能需求,同时保持价格的高度竞争力. 随着对负担得起的高容量储存的需求增加,其低成本形象在可预见的将来将继续推动TLC的主导地位。

透视由结构 - 三维架构 : 满足指数能力需求

在结构方面,三维结构占市场份额最高,2024年占68.3%,因为它使制造商能够满足NAND能力需求的指数增长。通过使用一种称为垂直NAND技术的垂直堆叠方法,而不是传统的Planar 2D布局,芯片制造器可以显著提升可以安装在单死身上的NAND细胞的数量. 这种以64,96,或更多层的3D NAND的激增与摩尔定律保持了同步,满足了由于高分辨率视频,大规模智能手机应用尺寸,以及扩散IOT设备等因素带来的日益增长的存储饥饿. 3D NAND维持摩尔定律的能力将确保它仍然是首选结构,因为全球数据量显示在未来几年没有减速的迹象.

透视通过,应用程序 - 智能手机: 南德工业的驱动力

在应用方面,NAND闪存市场份额最高可归因于2024年欠31.4%的智能手机. 智能手机已成为最普遍的个人计算和多媒体设备,每年销售超过10亿台。现代智能手机的大量数据使用和本地存储需求是当今NAND闪存需求的单一最大驱动力. 高清晰度的照片和视频、庞大的应用程序尺寸、音乐库和128GB以上的内部存储能力都要求每个新的智能手机一代拥有更大的NAND能力。随着智能手机在发展中市场和5G,AI助手,AR/VR应用等新前沿的渗透率不断提高,智能手机为更丰富的媒体铺平了道路,智能手机将继续推动指数NAND消费,驱动3D NAND和较新的细胞类型等技术进步.

Regional Insights

Nand Flash Memory Market Regional Insights

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北美已成为全球NAND闪存市场的主要区域. 预计该区域在2024年将占市场份额的39.7%。随着英特尔,Micron,三星,西部数码等大型技术公司的存在,美国对地区市场规模做出了重大贡献. 这些公司多年来对研发以及制造设施进行了大量投资。因此,北美目前在全球NAND闪存生产中占最大份额.

此外,该区域是NAND闪存解决方案的主要出口国。由于智能手机,笔记本电脑,SSD以及其他消费电子产品的需求很大,美国公司能够同时利用国内和国际市场. 它们既有的供应链和客户的品牌忠诚有助于维持这种出口驱动的增长。北美制造商对NAND闪存芯片的定价在全球招标中也依然具有竞争力. 这进一步加强了它们的区域和全球领导。

亚太地区,特别是中国,正在成为NAND闪存增长最快的市场. 随着消费基础的壮大和政府推动各部门数字化的举措,对储存装置的需求正成指数增长。这吸引了国际记忆制造者的大量投资,以建立当地生产设施。 YMTC和CXMT等中国公司也提高了本土制造能力.

国内需求的不断增长以及对其他亚洲和非洲市场的出口机会,使中国成为记忆生产的重要地点。它还使该国能够减少对进口的依赖,稳定ND的闪付成本。这使亚太成为一个有吸引力的外包和采购中心。该区域的成本优势,加上质量标准的提高,使该区域能够有所收获。使下一代技术多样化的主动研发支出进一步补充了这一增长轨迹。

上述市场分析突出了一些关键方面,如产业存在、出口、投资和定价,这些方面使北美和亚太得以在全球ND闪存景观中实现目前的地位,而不提及任何外部数据。

Market Report Scope

Nand Flash 记忆市场报告覆盖

报告范围	细节
基准年 :	2023 (英语).	2024年市场规模:	69.38 Bn (美元)
历史数据:	2019年到2023年统计.	预测周期 :	2024年改为2031年
2024至2031 CAGR期预测:	5.6%	2031 (英语). 数值预测 :	101.85 Bn (美元)
覆盖的地理:	北美: 美国和加拿大拉丁美洲: 巴西、阿根廷、墨西哥和拉丁美洲其他地区欧洲: 德国、英国、法国、意大利、俄罗斯和欧洲其他地区亚太: 中国、印度、日本、澳大利亚、韩国、东盟和亚太其他地区中东和非洲: 海合会国家、南非、中东其他地区和非洲
所涵盖的部分:	按类型 : SLC、MLC、TLC和QLC 按结构 : 2-D 结构和三维结构通过应用程序 : 智能手机、SSD、内存卡、平板电脑和其他应用程序
涵盖的公司:	三星电子,SK Hynix,Micron Technology,Intel Corporation,Kioxia Corporation(原东芝记忆公司),西部数字公司,SanDisk(西部数字分部),南亚技术公司,Powerchip Technology Corporation,YMTC(扬子记忆技术有限公司),Intel-Micron Flash Technology(MFT),XMC(厦门新半导体制造公司),Macronix国际,Transcend Information,ADATA Technology,Phison电子公司,硅运动技术公司,Netlist List,SK Hynix系统IC公司和GigaDevice半导体(北京)公司.
增长动力:	云计算的增长向固态驱动器过渡
限制和挑战:	NAND 闪存芯片的价格波动复杂的制造工艺

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Key Developments

2023年10月,三星电子 Co.宣布计划在2024年初开始大量生产300层NAND闪存芯片,比SK Hynix Inc.的321层NAND内存提前一年.
2023年6月,SK hynix股份有限公司开始大规模生产其238级4D NAND. 用于智能手机、PCIe 5.0 SSD和高容量服务器SSD的闪存
2023年10月,Kioxia Corporation和Western Digital Corp.发布了他们最新的3D闪存技术,以竞争成本提供了超乎寻常的能力,性能和可靠性.
2023年8月,SK Hynix开发了321层的NAND闪存,与之前的238层内存相比,数据容量增加了59%,预计在2025年上半年大量生产.
2024年4月,三星电子 Co.推出了其286层新NAND芯片的批量生产,将存储容量提高50%,并将样本运送给Google和苹果等科技巨头,用于AI数据中心和智能手机.
2024年4月,基奥西亚宣布计划到2031年大规模生产3D NAND内存超过1000层,在第71届应用物理学会春季会议期间的演讲中解决技术难题.
2023年10月,不顾美国制裁,中国YMTC揭幕全球最先进的3D NAND记忆芯片,232层的X3-9070,展示了中国对其半导体产业的承诺.
2023年8月,SK Hynix在Flash记忆峰会上推出了其开创性的321级3D NAND闪存技术,夸耀了每硅死1Tbit的存储能力.

* 定义: NAND闪存市场涉及NAND闪存的制造和销售,这种类型的非挥发性存储技术不需要权力保留数据. NAND flash用于USB闪存驱动器,内存卡,固态驱动器,以及其他应用程序,以提供可移动和耐久的数据存储. 它由于体积小,功率消耗低,读写速度快,抗震性强,耐久性强,在许多设备中取代了硬盘驱动器.

Market Segmentation

类型透视(收入,2019-2031年BN美元)
- SLC 高级法律会议
- 刚果解放运动
- TLC 电话
- 质评中心
结构透视(收入,2019-2031年BN美元)
- 2-D结构
- 三维结构
应用透视(Revenue, BN, 2019-2031年美元)
- 智能手机
- SSD 软件
- 内存卡
- 平板电脑
- 其他应用程序
区域洞察力(收入,2019-2031年BN美元)
- 北美
  - 美国.
  - 加拿大
- 拉丁美洲
  - 联合国
  - 联合国
  - 墨西哥
  - 拉丁美洲其他地区
- 欧洲
  - 德国
  - 吴K.
  - 法国
  - 意大利
  - 俄罗斯
  - 欧洲其他地区
- 亚太
  - 中国
  - 印度
  - 日本
  - 澳大利亚
  - 韩国
  - 东盟
  - 亚洲及太平洋其他地区
- 中东和非洲
  - 海合会国家
  - 南非
  - 中东和非洲其他地区
关键玩家
- 三星电子
- SK 希尼克斯语Name
- 微型技术
- 英特尔公司
- 基奥西亚公司(原东芝记忆公司)
- 西方数字公司
- SanDisk(西方数字的一个分区)
- 南亚技术公司
- 电力芯片技术公司
- YMTC(扬子记忆技术有限公司)
- 英特尔-米克隆闪光技术(IMFT)
- XMC 主题 (厦门X新半导体制造公司).
- 麦克罗尼克斯国际
- 传送信息
- ADATA 技术
- 菲森电子公司
- 硅运动技术公司
- 网易网.
- SK Hynix System IC, Inc. SK Hynix System IC 互联网档案馆的存檔,存档日期2013-12-21.
- GigaDevice半导体(北京)股份有限公司.

About Author

Pooja Tayade

Pooja Tayade -is an experienced management consultant with a strong background in the Semiconductors and Consumer Electronics industries. Over the past 9 years, she has helped leading global companies in these sectors optimize their operations, drive growth, and navigate complex challenges. She He has led successful projects that delivered significant business impact, such as: Facilitating international expansion for a mid-sized tech enterprise, navigating regulatory compliance in 4 new countries and growing foreign revenue by 50% Implementing lean manufacturing principles that reduced production costs by 15% for a major semiconductor fab

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Frequently Asked Questions

全球Nand Flash记忆市场规模估计2024年价值693.8亿美元,预计2031年将达到101.85亿美元.

NAND闪存市场的CAGR预计从2024年到2031年占5.6%.

云计算的增长和向固态驱动器的过渡是驱动NAND闪存市场增长的主要因素。

NAND闪存芯片的价格波动和复杂的制造过程是阻碍NAND闪存市场增长的主要因素.

就类型而言,TLC,估计在2024年占据市场收入份额.

三星电子,SK Hynix,Micron Technology,Intel Corporation,Kioxia Corporation(原东芝记忆公司),西部数字公司,SanDisk(西部数字的一个分部),南亚技术公司,Powerchip Technology Corporation,YMTC(扬子记忆技术有限公司),Intel-Micron Flash Technology(MFT),XMC(厦门新半导体制造公司),Macronix国际,Transcend Information,ADATA Technology,Phison电子公司,硅运动技术公司,Netlist List,SK Hynix系统IC公司和GigaDevice半导体(北京)公司是主要角色.