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INGAAS 照片二极管传感器市场 ANALYSIS

InGaAs照片二极管传感器市场,按产品类型(多元素阵列(PN、PIN和Avalanche)和单元素阵列), 按范围(短程探测、中程探测和长程探测)、应用(LiDAR(ADAS、自动引导飞行器(AGV)、测距等)、光学通信(电力监测、DWDM监测、单/多模光导接收器等)、红外线成像(北美、拉丁美洲、欧洲、亚太、中东和非洲)——规模、份额、展望和机会分析,2020-2027年

  • Published In : Jun 2021
  • Code : CMI4462
  • Pages :160
  • Formats :
      Excel and PDF
  • Industry : Semiconductors

InGaAs代表着Indium carlium arsenide,包含InAs和GaAs之间的属性中间体. InGaAs光二极管通常用于探测近红外光,适合测量,分析,光学通信等多种应用. 该传感器提供低噪声,高灵敏度,高速度,光谱反应范围为0.5微米至2.6微米. 根据Coherent Market Insights的分析,全球InGaAs照片二极管传感器市场预计将从2019年的1.840亿美元到2027年达到3.110亿美元.

InGaAs 照片二极管传感器市场-Coronavirus(科维德-19)的影响力

全球电子工业在供求方面受到COVID-19的重大影响。 根据CMI的分析,超过47%的电子设备制造商报告COVID-19直接影响了他们的短期战略计划,同时也影响了2020财政年度的收入.

科罗纳病毒导致印度,美国等多个国家的封锁,以掩盖病毒的影响. 中国是电子和半导体装置的最大消费者和制造商,武汉(中国)约占中国光学装置工业的22%. 中国武汉的封锁干扰了全球光学设备的供应. 此外,在全国禁闭期间,公司从家庭文化中推广工作,学生利用虚拟平台进行课堂和学习,这些平台依靠光学技术. 例如,根据一致市场观察的分析,在封锁期间,全球互联网流量猛增了约12%,全球互联网点击率从50%增加到70%。

预计在预测期间,亚太将在全球InGaAs光二极管传感器市场上占据支配地位。

统计数字 :

亚太在全球InGaAs摄影二极管传感器市场中占据支配地位。 2019 (英语).,核算 52.9% (中文(简体) ). 价值份额,其次是欧洲和北美。

图1:全球InGaAs照片二极管传感器市场份额(%),按 区域,2019年

INGAAS 照片二极管传感器市场

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亚太在2019年全球InGaAs照片二极管传感器市场中占据主导地位,预计在整个预测期间将保持主导地位,因为本区域主要在澳大利亚、印度、中国和越南等区域经济体越来越多地采用医疗工艺如CT扫描。 例如,根据国家生物技术信息中心和美国国家医学图书馆,日本每年有2 990多万患者接受CT扫描。 此外,根据半导体工业协会公布的数据,2020年,韩国、台湾、日本和中国在全球半导体市场分别占19%、6%、5%和5%。 这些国家在受到大量研发支出和政府支持驱动的半导体工业中名列前四。

在全球InGaAs摄影二极管传感器市场运营的主要公司有:第一传感器、Hamamats Photonics K.K.、激光组件公司、OSI激光二极管公司、京都半导体有限公司、Teledyne Judson技术公司、SphereOptics GmbH和Voxtel公司。

InGaAs 相片二极管传感器市场报告覆盖率

报告范围细节
基准年 :2019 (英语).2019年市场规模:184.0亿n美元
历史数据:2017年至2019年统计用区划代码和城乡划分代码: to县.预测周期 :2020年至2027年(中文(简体) ).
2020至2027年CAGR预测期:7.3% (单位:千美元)2027 (英语). 数值预测 :311.0亿nn美元
覆盖的地理:
  • 北美: 美国和加拿大
  • 拉丁美洲: 巴西、阿根廷、墨西哥和拉丁美洲其他地区
  • 欧洲: 德国、英国、西班牙、法国、意大利、俄罗斯和欧洲其他地区
  • 亚太: 中国、印度、日本、澳大利亚、韩国和亚太其他地区
  • 中东和非洲: 海湾合作委员会国家、南非、中东其他地区和非洲
所涵盖的部分:
  • 按产品类型: 多元素阵列( PN, PIN, Avalanche), 单元素 InGaAs PIN
  • 按范围 : 短程探测、中程探测、长程探测
  • 通过应用程序 : LiDAR(汽车ADAS、自动制导车辆(AGV)、测距、其他(探测相机等))、光学通信(电力监测、DWDM监测、单一/多模光纤接收器、其他), 红外线图像 (特别是医疗成像)
涵盖的公司:

滨松光子第一传感器 K.K.,激光组件GmbH,OSI激光二极管,京都半导体有限公司,Teledyne Judson Technologies (TJT), SphereOptics GmbH,和Voxtel, Inc.

增长动力:
  • 在光通信中越来越多地采用InGaAs光二极管传感器
  • InGaAs Photodiodes传感器在光探测和测距中的应用增加
限制和挑战:
  • 复杂而昂贵的InGaAs光二极管传感器制造工艺

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在产品类型部分中,由于与多要素阵列有关的应用范围广泛,预计多要素阵列子块在预测期间将主导市场

多栖息地阵列占2018年市场份额较大,为61.6%. 这是由于与这些InGaAs阵列有关的广泛应用,包括液位感应、分析、测量和光学通信。 当需要大量探测器时,多元素阵列提供了一个低成本的替代方案,这使得它更适合一系列应用. 在多元素光二极管阵列中,将数百或数千个光二极管放入单个芯片中. InGaAs光二极管阵列的应用范围比单光二极管要广泛.

图2:全球InGaAs照片二极管传感器市场价值(Mn美元),2017-2027年

INGAAS 照片二极管传感器市场

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全球InGaAs照片二极管传感器市场价值 184.0亿n美元2019 (英语). 预计将达到 311.0亿nn美元 2027 (英语). 在一个CAGR 7.3% (单位:千美元) 介于 2019 (英语).2027 (英语).。 。 。

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Frequently Asked Questions

全球Ingaas Photo Diode传感器市场规模在2020年价值为1.840亿美元,预计2027年将达到3.110亿美元。

全球InGaAs照片二极管传感器市场预计将进入 2.054亿美元 2022年之前。

市场预计将见证 CAGR为7.3%。 预测期间(2020-2027年)

在预测期间,光通信中越来越多地采用InGaAs光二极管传感器,推动了市场的增长。

那个 多元素阵列 部分在产品类型中占有最大的市场份额,2019年按价值贡献了61.6%.

亚太 2019年地区在市场中占有最大份额,按价值计算占52.9%。
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