Epitaxial Wafer市场规模在2022年价值为27.78亿美元,预计2022至2030年的复合年增长率为12.9%。 Epitaxial Wafer,又称Epi-wafer,是通过税法过程将其他硅瓦fer放入. Epitaxy是将单晶硅层沉积在硅瓦佛抛光的晶体表面的过程. 在抛光的瓦片上,一层单硅碳化物晶体上添加了许多厚度的微米,以制成一个税式瓦片. 其无缝生产需要对厚度、载体浓度和缺陷密度进行精确控制。
复合半导体内税瓦片经过加工,可以生产芯片和集成电路(ICs),这可以在全世界广泛的技术装置中找到. 华夫饼的无线,光电,电子性能由税制层决定.
图1:按2022年地区分列的税沃费尔市场份额(%)
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外延片市场:区域洞察
2022年,亚太的税法饼市场占据了全球市场的最大份额. 这种市场的扩张可归因于多种因素,包括IOT的日益使用,自驾车,以及智能手机的渗透. 由于智能手机需求的上升和智能手机技术的进步,Thicker和较小的集成电路(ICs)出现了. 半导体的构件就是这些硅瓦,半导体装置或芯片就是在这些底物上制造的. 计算机、消费电子产品、电信产品和其他电子设备都使用这些半导体。 因此,厂商正在将这颗圆饼涂上税饼,以提升这些电子设备的功率,以应对不断增长的需求. 因此,预计这一因素将增加该区域在预期时间范围内对税后卷饼的需求。
此外,由于三星,索尼,LG,东芝,帕纳索尼奇,丰田,本田等重要制造商的存在,这一地区是半导体集成电路的最大消费者. 玩家在场时,IC生产会加速. 因此,这一特定区域对税饼的需求将增加。
外延片市场驱动程序 :
采用LED照明
由于普遍采用LED照明,刺激了对税前面包的需求增加,而LED照明是市场扩张的一个主要动力。 LED灯泡耐久性较强,耐久性较强,可与其他类型的照明相比或优于其他类型的照明. 与白炽和紧凑的荧光灯(CFLs)相对,LED是"方向"光源. 因此,LED可以在众多应用中更有效地利用光和能量. 它们产生的热量和消耗的能量都比白炽灯泡少。 少数LED一般能以标准光的预期功率的10%工作,并持续到相当长的时间.
外延片市场报告覆盖面
报告范围 | 细节 | ||
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基准年 : | 2022 (英语). | 2022年市场规模: | (单位:千美元) |
历史数据: | 2017年至2021年统计用区划代码和城乡划分代码: to县. | 预测周期 : | 2023年至2030年统计 |
2023至2030年CAGR预测期: | 12.9% (中文(简体) ). | 2030 (英语). 数值预测 : | (单位:千美元) |
覆盖的地理: |
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所涵盖的部分: |
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涵盖的公司: | EpiWorks Inc. EpiWorks Inc., Global Wafers Japan Co. Ltd., Nichia Corporation, SHOWA DENKO K.K., Siltronic AG, Desert Silicon Inc.,电子和材料有限公司. Intelligent Epitaxy Technology Inc.IQE plc., Jenoptic AG,MOSPEC半导体公司,Norstel AB, Ommic S.A.,硅谷微电子公司,SVT Associences Inc. University Wafer Inc., Wafer Wafer Worlds, 厦门电源高级材料有限公司和视觉光子Epitaxy Co. | ||
增长动力: |
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限制和挑战: |
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初期高资本投资
"初始基本建设投资"一词,是指购买或建设预计由电力收入偿还的电力或非电力设施的成本. 这包括但不限于与规划、设计、购买土地和建筑、建筑期间的投资以及测试有关的任何费用。 初期的高资本投资将限制小角色进入半导体制造部门. 这一因素将在最近的将来进一步限制税后面包市场的增长。
外延片市场限制:
瓦片制造成本较高
在半导体器件制造工艺中,瓦片制造是由众多的重复,顺序过程组成的工艺,在半导体瓦片上产生完整的电路或光子电路. 税法的弊端包括 wafer 制造的更大成本,额外的周期性复杂性,以及与上层投降有关的问题. 将瓦费尔转换成集成电路的半导体处理设施被称为瓦费尔法布. 导电器,晶体管,电阻器,以及半导体瓦佛上的其他电子元件,由典型的瓦佛法布中一系列复杂的步骤定义.
段图
图2:按应用分列的2022年税沃费尔市场份额(%)
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外延片市场分割 :
全球Epitaxial Wafer市场报告按沉积类型、Wafer大小和应用程序细分
基于"By Deposition Type",该市场分为Heteroepipaxy,Homeepiaxy,基于Wafer规模,该市场分为50毫米至100毫米,100毫米至150毫米以上,基于应用,该市场分为LED半导体,动力半导体,MEMS设备.
外延片市场:关键公司深入观察
Imec和Qromis已经为创建的改进模式,p-GaN离散,以及200毫米QST底座上的IC功率装置组成了团队,其上层填充在Aixtron的G5+C 200毫米MOVCD级. 在先进的CMOS硅试验线上,两家企业都致力于设备制造,开发GaN动力装置,离散和单晶集成的IC形式,以及200毫米QST底物. Imec和Quromis已经与德国的GAN MOCVD齿轮制造者,Aixtron在GAN-on-QST epertaxy的升级上合作. 一些行业专家表示,加工300毫米瓦佛的集成电路(IC)半导体制造厂将从2002年的15个增加到2023年的138个.
外延片市场 主要发展:
2020年5月 - (中文(简体) ). 斯威格恩AB一家在碳化硅(GaN-on-SiC)上为RF和动力电子设备生产定制硝化ium的公司,已根据其QuanFINE材料宣布了GaN高频设备的新基准。 该公司认为,该示范计划将对整个加恩区域论坛价值链,包括电信、空间和军事市场带来商业利益。
2022年6月全球华费台湾CO 有限公司宣布对一家德克萨斯州的工厂投资50亿美元,该厂将为半导体生产和供应当地生产的300毫米硅瓦。
* 定义: 用于光学,微电子学,自旋学,或光伏学,是一门通谱卷轴,又称通谱卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴卷轴Epi wafers用于二极管和半导体的成分或IC的底物,例如双极型和MOS型. 此外,动力装置还经常使用多层晶片和厚薄膜晶片,两者都有助于提高各种电源产品的紧凑性和能源效率。
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关于作者
Pooja Tayade
Pooja Tayade - 是一位经验丰富的管理顾问,在半导体和消费电子行业拥有丰富的经验。在过去 9 年中,她帮助这些行业的全球领先公司优化运营、推动增长并应对复杂挑战。她领导过的成功项目产生了重大的业务影响,例如:
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