Рынок драйверов MOSFET и IGBT GATE АНАЛИЗ

MOSFET и IGBT — два транзистора источника питания в режиме переключения. Металлооксид-полупроводник Транзистор полевого эффекта (MOSFET) представляет собой Транзистор полевого эффекта, который обычно образуется путем контролируемого окисления кремния. Он использует изолированные ворота, которые позволили изменить проводимость с изменением приложенного напряжения в соответствии с требованиями приложения. Это свойство используется для усиления или переключения электрических сигналов. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) представляет собой трехконцевое силовое полупроводниковое устройство, которое используется в качестве электронного переключателя, состоящего из четырех чередующихся слоев (P-N-P-N), которые управляются структурой металл-оксид-полупроводник (MOS) без регенеративного действия. По сути, это MOSFET, управляющий биполярным транзистором мощности соединения (BJT) с обоими транзисторами на одном куске кремния. Водители затвора ИС генерируют необходимое напряжение и уровень тока, необходимые для точной и эффективной активации этапа питания в промышленных, потребительских, компьютерных и автомобильных приложениях, приводах двигателей, источниках бесперебойного питания (ИБП) и солнечных инверторах.

Увеличение роста в индустрии электронных устройств является основным фактором роста глобального рынка драйверов MOSFET и IGBT.

Драйверы IC MOSFET и IGBT в основном используются в электронных устройствах в качестве переключателя, а также в качестве усилителей, то есть для изменения текущего процесса на более высокое напряжение. Увеличение спроса на электронные устройства является одним из ключевых факторов роста рынка. Например, согласно отчету Научно-технологических парков Гонконга (HKSTP) за 2015 год, мировой рынок потребительской электроники, по прогнозам, достигнет 2 976 миллиардов долларов США к 2020 году с CAGR 15,4% в прогнозируемом периоде (2015-2020 годы). MOSFET могут работать на высоких частотах и могут выполнять быстрое переключение приложений с небольшими потерями выключения. IGBT сочетает в себе простые характеристики затворного привода, найденные в MOSFET, с возможностью высокоточного и низконасыщенного напряжения биполярного транзистора. Ворота IGBT часто используются с усилителями и для генерации импульсов большой мощности, поэтому они полезны в современных приборах, таких как электромобили, поезда, холодильники с переменной скоростью и кондиционеры. Следовательно, на рынок драйверов IC влияет рост рынка электронных устройств. Кроме того, ожидается, что увеличение продаж электромобилей также поможет росту рынка. Например, согласно анализу Coherent Market Insights, в 2017 году мировые продажи электромобилей составили 962 тысячи единиц по сравнению с 695 тысячами единиц в 2016 году.

Глобальный рынок драйверов MOSFET и IGBT Gate: региональный обзор

Рынок MOSFET и IGBT Gate на основе региона разделен на шесть регионов: Северная Америка, Европа, Азиатско-Тихоокеанский регион, Латинская Америка, Ближний Восток и Африка.

Азиатско-Тихоокеанский регион занял доминирующее положение на рынке MOSFET и IGBT Gate Driver в 2017 году и, по прогнозам, сохранит свое доминирование в течение прогнозируемого периода. Это связано с высоким производством потребительской электроники и бытовой техники в регионе, что сказывается на росте рынка. Индия, Китай и Япония являются одними из крупнейших развивающихся экономик в регионе с высоким производством электронных товаров. Например, по данным India Brand Equity Foundation (IBEF), в мае 2018 года электронный рынок Индии, как ожидается, продемонстрирует 41% CAGR в прогнозируемом году (2017-2020 годы) и, как ожидается, достигнет 400 миллиардов долларов США к 2020 году. Ожидается, что это приведет к широкому внедрению MOFSET и IGBT, что будет способствовать росту рынка. Кроме того, высокие продажи электромобилей в Азиатско-Тихоокеанском регионе также ускорили рост рынка в этом регионе. Например, согласно анализу Coherent Market Insights, в 2017 году продажи электромобилей в Азиатско-Тихоокеанском регионе составили около 426 тысяч единиц. Китай занял доминирующее положение в продажах электромобилей в 2017 году. В 2017 году продажи электромобилей в Китае составили 378 тыс. единиц.

В 2017 году Северная Америка занимала вторую по величине долю из-за высокого роста рынка электроники в этом регионе. США и Канада являются основными двигателями роста в регионе. Рынок электронных товаров и связанная с ним торговля в последнее время значительно возросли в регионе. Например, согласно статистике торговли международного развития бизнеса, экспорт электрических машин и оборудования в 2017 году составил 174,2 миллиона долларов США по сравнению с 167,1 миллиона долларов США в 2016 году в Соединенных Штатах. Поскольку ворота MOSFET и IGBT являются важными компонентами в бытовой технике, ожидается, что спрос на такие продукты значительно возрастет. Это, в свою очередь, должно способствовать росту рынка в регионе в течение прогнозируемого периода (2018-2026 гг.).

Глобальный рынок драйверов MOSFET и IGBT Gate: ключевые игроки

Ключевыми игроками на мировом рынке драйверов MOSFET и IGBT являются Infineon Technologies, ON Semiconductor, STMicroelectronics, ROHM Semiconductor, NXP Semiconductors, Texas Instruments, Microchip, Power Integrations Inc., Vishay, Broadcom, Analog Devices, IXYS, Toshiba, Renesas и Powerex.

Глобальный рынок MOSFET и IGBT Gate: таксономия

На основе типа продукта глобальный рынок драйверов MOSFET и IGBT классифицируется на:

• Водители одноканальных ворот
• Водители Half Bridge Gate
• Водители мостовых ворот
• Водители трех фазных ворот
• другой

На основе применения глобальный рынок драйверов MOSFET и IGBT классифицируется на:

• Домашняя техника
• автомобильный
• Дисплей и освещение
• Поставка электроэнергии
• Другие

На основе региона глобальный рынок драйверов MOSFET и IGBT классифицируется на:

• Северная Америка
• Европа
• Азиатско-Тихоокеанский регион
• Латинская Америка
• Ближний Восток
• Африка

Глобальный рынок MOSFET и IGBT Gate DriverКлючевые события

• В сентябре 2018 года Powerex Inc. выпустила новые и модернизированные IGBT 7-го поколения для управления двигателем. В результате эффективность двигателя увеличилась на 7% при отсутствии нагрузки, до 20% при пиковой нагрузке, а мощность также увеличилась до 20%.
• В ноябре 2018 года компания Renesas Electronics Corporation запустила MOSFET с приводом на половину моста 100 В для двунаправленного контроллера в 12В-48В. Автомобильные гибридные силовые агрегаты. Это усовершенствованное семейство драйверов ISL784x4 MOSFET, которое обеспечивает высокую конверсию постоянного тока с регулируемым временем бездействия и максимальной эффективностью.
• В мае 2017 года корпорация Toshiba запустила «TLP5214A», умный драйвер-фотокуплер для использования в приводе среднемощных IGBT и силовых MOSFET, которые обеспечивают характеристики десатурации.
• В июле 2018 года корпорация Toshiba запустила новое компактное устройство MOSFET gate driver smart power device (IPD) для автомобильных 3-фазных бесщеточных двигателей. Устройство предназначено для использования в автомобильный мотор привод приложений, таких как электронное рулевое управление 12 В (EPS), масляные / водяные насосы, вентиляторные двигатели и электрические турбокомпрессоры.
• В ноябре 2017 года корпорация IXYS представила новый драйвер для высокочастотных приложений, таких как инверторы IXRFDSM607X2 15 Ampere Low-Side RF MOSFET. Водитель IXYS Colorado Division.
• В мае 2017 года Analog Devices, Inc. (ADI) представила небольшие изолированные драйверы затвора форм-фактора, предназначенные для более высоких скоростей переключения и ограничений размера системы, требуемых технологиями переключения питания, такими как SiC.Силиконовый карбид) и GaN (нитрид галлия).