TECNOLOGIAS DE MEMóRIA DE úLTIMA GERAçãO MERCADO ANALYSIS

A memória de próxima geração é uma grande atualização sobre os produtos de software-hardware. É um substituto ideal para memórias de produção de massa existentes, como SRAM e Flash. Oferece melhores características e espera-se substituir as memórias de produção de massa existentes no futuro próximo. Estas memórias também estão esculpindo áreas de aplicação de nicho para si mesmos e estão prontas para se tornar mainstream no futuro próximo; no entanto, nem todas as memórias existentes seriam substituídas. Memórias da próxima geração incluem ReRAM (Memória de acesso aleatório resistivo), MRAM (Magneto-resistive Random Access Memory), PCM (Phase-Change Memory) e FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory).

Estima-se que o mercado global de tecnologias de memória de próxima geração seja avaliado em US$ 6567.5 milhões em 2021 e deverá apresentar um CAGR de 56.8 % durante o período de previsão (2021-2028).

Desenvolvimentos recentes:

Em maio de 2021 – Samsung, uma empresa de eletrônicos sul-coreana anunciou que desenvolveu a memória DRAM da próxima geração na indústria.

Em dezembro de 2020, a Intel Corporation, uma empresa de semicondutores baseada nos EUA, lançou 6 memória e armazenamento da próxima geração para ajudar os clientes a enfrentar os desafios da transformação digital.

Estatística:

Figura 1. Tecnologias globais de memória de próxima geração Valor de mercado (US$ Mn), por região, 2020

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A Ásia Pacific manteve posição dominante no mercado global de tecnologias de memória de próxima geração em 2020, representando 42,6% de participação em termos de Valor, seguido pela América do Norte, Europa e Resto do mundo, respectivamente.

Dinâmica de Mercado - Drivers

Espera-se que a crescente demanda por memórias mais rápidas e altamente escaláveis aumente o crescimento do mercado global de tecnologias de memória da próxima geração durante o período de previsão

Atualmente, há uma alta demanda por tecnologias de memória emergentes, devido à demanda significativa por memórias mais rápidas, altamente escaláveis e de baixa potência. Scaling tornou-se um grande problema em toda a indústria da memória, com algumas memórias mais antigas enfrentando problemas de escalabilidade. Além disso, o vazamento atual é outra questão importante quando dimensionado em 65nm e além. Além de memórias mais recentes, houve desenvolvimento em estruturas de memória 3D. Além de memórias mais recentes, houve desenvolvimento em estruturas de memória tridimensional. Estas estruturas oferecem uma solução temporária; no entanto, esta tecnologia tem suas próprias limitações. Flash enfrenta sérios problemas arquitetônicos quando dimensionado abaixo de 90nm. Portanto, esses fatores devem impulsionar o crescimento do mercado global de tecnologias de memória de próxima geração durante o período de previsão.

Declinar margens de lucro com tecnologias de memória legado são esperados para impulsionar o próximo global geração de tecnologias de memória crescimento do mercado durante o período de previsão

A alta volatilidade nos preços das memórias existentes é obrigar os jogadores de mercado a procurarem por memórias mais recentes que possam proporcionar maior margem de lucro. Antes, as empresas tiveram que reduzir sua capacidade de fabricação para melhorar a demanda e ajuda no aumento dos preços da memória. No entanto, esta foi apenas uma solução temporária. Há uma necessidade de uma solução de memória que pode levar a margens de lucro sustentáveis e isso tem impulsionado a demanda por tecnologias de memória de próxima geração. Portanto, esses fatores devem impulsionar o crescimento global do mercado de tecnologias de memória de próxima geração no futuro próximo.

Oportunidades de mercado

A crescente demanda por uma solução de memória universal pode apresentar oportunidades de crescimento lucrativo no mercado global de tecnologias de memória de próxima geração

Memória de semicondutor tem qualidades unificadas de diferentes tecnologias de memória existentes hoje. Deve ter alta velocidade comparável ao SRAM, não volatilidade semelhante ao flash, e alta densidade comparável ao DRAM. Além disso, uma memória ideal é de baixo custo e altamente escalável. Deve ser adequado para o mercado de sistema em chip (SoC). Atualmente, cada uma das tecnologias disponíveis proporciona um desempenho aceitável para um único propósito; no entanto, muitos sistemas precisam de todos os três tipos de memória para oferecer um bom desempenho geral a um custo lógico.

As atividades de pesquisa e desenvolvimento dos jogadores de mercado podem oferecer oportunidades de negócios importantes no mercado global de tecnologias de memória de próxima geração

Os principais jogadores que operam no mercado estão focados em atividades de pesquisa e desenvolvimento, a fim de melhorar o portfólio de produtos. Por exemplo, em fevereiro de 2013, a Everspin lançou o MR10Q010, um novo produto com 1MB Serial MRAM com interface SPI. Em maio de 2013, a Micron lançou um novo acelerador de entrada/saída do PCIe.

Tendências de mercado

Competição forte com novas tecnologias

As tecnologias globais de memória de próxima geração são significativamente menores em comparação com DRAM e Flash. Memórias mais recentes ainda se atrasou em termos de escalabilidade e densidade de NAND; no entanto, espera-se que a densidade de chip dessas memórias melhore significativamente nos próximos anos. Isso alimentaria sua adoção em várias aplicações mais recentes. A adoção de PCM e MRAM é provável que cresça significativamente na memória de cache e no armazenamento corporativo, pois novas memórias melhoram o desempenho de entrada/saída e oferecem um custo menor por bit. Com a disponibilidade de chips 1GB, a adoção de PCM em telefones celulares é esperada para aumentar significativamente.

Parcerias e colaborações entre os jogadores de mercado

Os principais intervenientes no mercado estão focados em parcerias e colaborações, a fim de obter uma vantagem competitiva no mercado. Por exemplo, em novembro de 2012, a Micron colaborou com a AgigA Técnica para o desenvolvimento da tecnologia não volátil DIMM (dual módulo de memória em linha). Em junho de 2012, a empresa colaborou com a IBM para desenvolver tecnologia PCM. Além disso, em julho de 2011, a Hynix colaborou com Toshiba Co. para desenvolver conjuntamente o MRAM.

Figura 2. Global Next Generation Memory Technologies Market Share, Por tipo de produto, 2020

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Principais pontos turísticos do Gráfico:

• O segmento NVM ocupava posição dominante no mercado e representava 99,1% de participação no mercado global de tecnologias de memória de próxima geração em 2020. O segmento deverá atingir US$ 84.809,4 milhões em 2028. Este crescimento pode ser atribuído ao seu melhor desempenho, maior resistência, menor consumo de energia, melhor escalabilidade com resistência de gravação extremamente alta, e velocidades de gravação muito maiores do que outras tecnologias de memória voláteis.
• A memória Cache e o segmento de armazenamento corporativo ocuparam posição dominante no mercado e representaram 26,7% de participação no mercado global de tecnologias de memória de próxima geração em 2020. O segmento deverá atingir US$ 1530,7 milhões em 2028. Este crescimento pode ser atribuído aos centros de dados em crescimento em todo o mundo. A crescente necessidade de recursos de armazenamento de dados em armazenamento em nuvem e centros de dados também está criando demanda por tecnologias NGM no mercado.

Dinâmica de Mercado- Retreinamento

Considerações de alto custo e densidade de design são esperadas para dificultar o crescimento global de mercado de tecnologias de memória de próxima geração ao longo do período de previsão

O alto custo de design continua sendo uma questão importante para memórias emergentes. O processo de design precisa ser padronizado e a economia de escala precisa ser alcançada, a fim de torná-lo mais rentável do que as memórias convencionais, como flash ou DRAM. Portanto, esses fatores devem dificultar o crescimento global do mercado de tecnologias de memória de próxima geração ao longo do período de previsão.

Falta de estabilidade sob condições ambientais extremas é esperado para restringir o crescimento do mercado global de tecnologias de memória de próxima geração durante o período de previsão

Estabilidade sob alta temperatura e condições ambientais extremas são algumas das principais exigências das tecnologias de memória emergentes. As tecnologias de memória tradicionais podem sustentar sob temperatura extrema e condições ambientais. No entanto, sob condições extremas de temperatura e ambiente, tecnologias emergentes enfrentam problemas de escalabilidade e estabilidade. Isso, por sua vez, é esperado para restringir o crescimento do mercado global de tecnologias de memória de próxima geração durante o período de previsão.

Global Tecnologias de memória de última geração Mercado: Paisagem Competitiva

Principais empresas que operam no mercado global de tecnologias de memória de próxima geração são a Micron Technology, Inc., Fujitsu Ltd., Everspin Technologies, Inc., Winbond Electronics Corporation, SK Hynix Inc., Cypress Semiconductor Corporation, Avalanche Technology, Inc., Adesto Technologies Corporation Inc., e Samsung Electronics Co. Ltd.

Principais desenvolvimentos

As principais empresas estão focadas no produto lançado, a fim de expandir o portfólio de produtos. Por exemplo, em agosto de 2019, a Micron Technology Inc. lançou a mais alta capacidade monolítica de 16 GB de baixa potência dupla taxa de dados 4X (LPDDR4X) DRAM.

Os principais jogadores estão envolvidos no desenvolvimento de produtos, a fim de ganhar uma vantagem competitiva no mercado. Por exemplo, em novembro de 2019, a Fujitsu Ltd. introduziu o desempenho de armazenamento de última geração ETERNUS AF S3 arrays all-flash e sistemas de armazenamento híbridos ETERNUS DX S5.