MERCADO DO SENSOR DO DIODO DA FOTO DE INGAAS ANALYSIS

InGaAs significa arsenide de galio Indium e contém propriedades intermediárias entre as de InAs e GaAs. O fotodiodo InGaAs é geralmente usado para detectar luz de infravermelho próximo, adequada para uma variedade de aplicações como medição, análise, comunicação óptica e outros. O sensor oferece baixo ruído, alta sensibilidade, alta velocidade e uma resposta espectral variando de 0,5 μm a 2,6 μm. De acordo com a análise da Coherent Market Insights, o Global InGaAs Photo Diode Sensor Market deverá chegar a US$ 311.0 milhões em 2027 a partir de US$ 184.0 milhões em 2019.

InGaAs Photo Diode Sensor Market - Impacto de Coronavirus (Covid-19) Pandemia

A indústria eletrônica global foi impactada significativamente pela COVID-19 em termos de oferta, bem como a demanda. De acordo com a análise da CMI, mais de 47% dos fabricantes de equipamentos eletrônicos relataram que a COVID-19 tem impactado diretamente seus planos estratégicos de curto prazo, e também impactou suas receitas para o ano financeiro de 2020.

Coronavirus levou a bloqueios em vários países, como a Índia, e os EUA, para cortinar o impacto do vírus. A China é o maior consumidor e o fabricante de dispositivos eletrônicos e semicondutores, e Wuhan (China) representa aproximadamente 22% da indústria chinesa de dispositivos ópticos. Lockdown em Wuhan, a China interrompeu o fornecimento de dispositivos ópticos em todo o mundo. Além disso, durante os bloqueios em todo o país, as empresas promoveram o trabalho da cultura home, e os alunos estavam usando plataformas virtuais para classes e estudos, que dependem da tecnologia óptica. Por exemplo, de acordo com a análise do Coherent Market Insights, durante o período de bloqueio, o streaming de internet saltou aproximadamente 12% globalmente e os sucessos de internet foram aumentados aproximadamente de 50% a 70% globalmente.

Espera-se que a Ásia Pacific mantenha a posição dominante no mercado global do sensor de diodo fotográfico InGaAs durante o período de previsão.

Estatísticas:

Ásia Pacific manteve posição dominante no mercado global do sensor de diodo de fotos InGaAs em 2019, contabilidade 52,9% participação em termos de valor, seguido pela Europa e América do Norte.

Figura 1: Global InGaAs Photo Diode Sensor Market Share (%), Por Região, 2019

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A Ásia-Pacífico ocupava posição dominante no mercado global de sensores de diodos fotográficos InGaAs em 2019 e é projetada para manter seu domínio durante todo o período de previsão, devido ao aumento da adoção de produtos de imagem médica para processos médicos, como exames de TC em toda a região, principalmente em economias da região, como Austrália, Índia, China e Vietnã. Por exemplo, de acordo com o Centro Nacional de Informação em Biotecnologia e a Biblioteca Nacional de Medicina dos EUA, no Japão, mais de 29,9 milhões de pacientes passam por TAC anualmente. Além disso, segundo os dados publicados pela Semiconductor Industry Association, em 2020, a Coreia do Sul, Taiwan, Japão e China representaram 19%, 6%, 5% e 5% respectivamente no mercado mundial de semicondutores. Estes países ocupam quatro posições principais na indústria de semicondutores impulsionados por gastos significativos de R&D e apoio governamental.

As principais empresas que operam no mercado global do sensor de diodo fotográfico InGaAs são First Sensor, Hamamatsu Photonics K.K., Laser Components GmbH, OSI LaserDiode, Kyoto Semiconductor Co., Ltd., Teledyne Judson Technologies (TJT), SphereOptics GmbH e Voxtel, Inc.

Entre o segmento de tipo de produto, espera-se que o sub-segmento de matriz multi-elemento domine o mercado durante o período de previsão devido à ampla gama de aplicações associadas a matrizes multi-elemento

A matriz multidimensão representou uma maior quota de mercado de 61,6% em 2018. Isto é devido a uma ampla gama de aplicações associadas a estes arrays InGaAs, incluindo sensor de nível líquido, análise, medição e comunicação óptica. Quando um grande número de detectores são necessários, o array multielemento oferece uma alternativa de baixo custo que o torna preferível para uma variedade de aplicações. Em matriz fotodiode multielemento, centenas ou milhares de fotodiodes são colocados em um único chip. Os arrays de fotodiodo InGaAs têm uma ampla gama de aplicações do que um único fotodiodo.

Figura 2: Global InGaAs Photo Diode Sensor Market Value (US$ Mn), 2017 - 2027

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O mercado global do sensor de diodo fotográfico InGaAs foi avaliado em US$ 184.0 Mn em 2019 e é esperado alcançar US$ 311.0 Mn por 2027 em um CAGR de 7,3% entre 2019 e 2027.