MERCADO DE WAFERS EPITAXIAL DE GAN ANÁLISE

Um wafer epitaxial também conhecido como, epi wafer, é um wafer de material semicondutor feito pelo crescimento epitaxial (epitaxi) para uso em fotônica, microeletrônica, Spintronics, ou fotovoltaica. As camadas epitaxial consistem em vários compostos, como o nitreto de gallium (GaN), arsenide de gallium (GaAs), ou alguma combinação dos elementos gallium, indium, alumínio, nitrogênio, fósforo ou arsênico. Alta mobilidade de elétrons, baixas perdas de comutação, e menos mismatches de treliça são algumas das principais vantagens do GaN Substrate, que estão levando sua adoção em indústrias como eletrônica de energia e optoeletrônica.

Além disso, as wafers epitaxial GaN são desenvolvidas por epitaxia de fase de vapor de hidreto (HVPE) ou método de deposição de fase de vapor químico orgânico de metal (MOCVD), e podem ser usadas como um substrato ideal e excelente para dispositivos de alta frequência, alta velocidade e alta potência. Os wafers epitaxial GaN são desenvolvidos por várias empresas como Aixtron, EpiGaN nv, Sciocs e Semiconductor Wafer Inc.

A adoção crescente de LEDs está levando à crescente demanda por wafers epitaxial GaN

GaN é amplamente implementado em dispositivos de radiofrequência, diodos emissores de luz (LEDs), e eletrônica de potência, devido à sua capacidade de operar em alta frequência e alta temperatura. A adoção crescente de LEDs é um fator importante que impulsiona o crescimento do mercado de wafers epitaxial GaN. Além disso, o avanço na tecnologia GaN levou ao desenvolvimento de substratos GaN eficientes com densidade de defeito macro livre e baixa densidade de defeito. Assim, os substratos GaN podem ser usados cada vez mais para realizar LEDs com um diâmetro de wafer de 2 polegadas até 6 e 8 polegadas. A adoção crescente de LEDs deverá impulsionar o crescimento do mercado de wafers epitaxial GaN durante o período de previsão. No entanto, a concorrência da Sic em aplicações de semicondutores de alta tensão e alto custo do produto são fatores que são esperados para impedir o crescimento do mercado global de wafers epitaxial GaN durante o período de previsão.

Global GaN Epitaxial Wafers Market Regional Insight:

Em termos de geografia, a Ásia Pacific deve ser dominante no mercado global de wafers epitaxial GaN durante o período de previsão. Isto é devido à ampla utilização de transistores baseados em GaN no setor de defesa e militar, aumentando a demanda por LEDs de várias indústrias, como eletrônicos de consumo e automotivo e aumentando energias renováveis geração na região. Por exemplo, em junho de 2019, a Samsung anunciou o lançamento da tela micro-LED de The Wall Luxury GaN configurável de 73” em 2K a 292” em 8K. Além disso, espera-se que a região Ásia-Pacífico testemunhe um crescimento significativo durante o período de previsão, o que pode ser atribuído à alta adoção de tecnologias inovadoras, como a epi-nucleação, tecnologia de estrutura de buffer etc. em países como China, Japão, Coreia do Sul e Índia. Os principais intervenientes nesta região estão focados em oferecer novos produtos para atender às crescentes necessidades e exigências dos consumidores. Por exemplo, em junho de 2019, a Xiamen San'an Integrated Circuit Co., Ltd., uma fundição de wafer com base na China com sua plataforma de tecnologia de semicondutor composto avançado, anunciou o lançamento de seu nitreto de gallium 150mm (GaN) em serviços de fundição de wafer de siliconfer, que é destinado para as mais recentes aplicações de alta tensão DC / CA e AC / DC em todo o mundo.

Global GaN Epitaxial Wafers Mercado Competitivo Fundo:

Principais jogadores da GaN global mercado de bolachas epitaxial são RF Globalnet, Aixtron, EpiGaN nv, Sciocs, Semiconductor Wafer Inc. IGSS GaN, SweGaN, NTT Advanced Technology Corporation, Infineon Technologies AG, Mitsubishi Electric Corporation, Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation, Koninklijke Philips N.V., e ALLOS Semiconductors GmbH entre outros.

Global GaN Epitaxial Wafers Market Taxonomia:

Com base no tipo de produto, o mercado global de wafers epitaxial GaN é segmentado em:

• GaN Homoepitaxial Wafer
• GaN Heteroepitaxial Wafer

Com base no tamanho do wafer, o mercado global de wafers epitaxial GaN é segmentado em:

• Wafer de 2 polegadas
• Wafer de 4 polegadas
• 8 polegadas e acima Wafer

Com base na aplicação, o mercado global de wafers epitaxial GaN é segmentado em:

• LEDs
• Lasers
• Dispositivos de radiofrequência
• Unidades de energia
• Transistores
• Outros

Com base na indústria do usuário final, o mercado global de wafers epitaxial GaN é segmentado em:

• TI e Telecomunicações
• Indústria
• Automóvel
• Renovável
• Electrónica de consumo
• Militar, Defesa e Aeroespacial
• Medicina e Saúde
• Outros

Com base na região, o mercado global de wafers epitaxial GaN é segmentado em:

• América do Norte
• Europa
• Ásia Pacífico
• América Latina
• Oriente Médio
• África