차세대 메모리 기술 시장 분석
차세대 메모리 기술 시장은 가치있는 것으로 추정된다. 2024년 USD 6.79 억 견적 요청 50억 달러 2031, 합성 연간 성장률 전시 (CAGR) 의 28.3% 에서 2024 받는 사람 2031.
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차세대 메모리 기술 시장 성장은 다양한 최종 사용 수직 중 범용 메모리 기술에 대한 수요가 상승 할 수 있습니다. 더 높은 저장 용량, 낮은 전력 소비를 가진 Memories, 그리고 0개의 대기권의 가까이는 견인을 계속할 것입니다. Redox 기반 메모리 및 단계 변화 메모리와 같은 새로운 기회의 R & D에 대한 중요성은 상태 quo을 방해하는 것으로 추정됩니다. 또한 자율주행 차량, 고성능 컴퓨팅 및 인터넷의 채택은 예측 기간 동안 차세대 메모리 기술 시장 성장을 촉진하는 것으로 예상됩니다.
높은 대역폭 Memories에 대한 수요 상승
고성능을 위한 끊임없이 성장하는 수요 회사 소개 응용 프로그램은 기존 솔루션과 비교하여 광대하게 높은 데이터 대역폭과 낮은 대기 시간을 제공 할 수있는 메모리 기술에 대한 필요성을 운전합니다. 인공 지능, 기계 학습, 자율 차량, 그리고 증강 및 가상 현실은 비례 없는 속도로 GPUs 및 다른 자료 집중적인 가공업자에 다량의 자료를 전달할 수 있는 기억 subsystems를 요구합니다.
예를 들어, 8 월 2023에서 SK Hynix Inc. 반도체 회사인 SK Hynix는 최신 차세대 고 대역폭 메모리 (HBM)와 반도체 기술 경쟁을 강화했습니다. 회사는 5세대 DRAM 제품, HBM3E, 고성능 인공 지능 (AI) 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. 이 진보된 HBM 칩은 수직으로 통합하는 다수 DRAMs에 의하여 자료 처리 속도를, 전통적인 DRAM 기능을 능가합니다.
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Data Center 및 Cloud Infrastructure에서 Adoption 성장
3D XPoint, STT-MRAM과 같은 차세대 메모리 솔루션과 ReRAM은 메모리 / 저장 계층 구조의 배포를위한 선도적 인 클라우드 제공 업체로 적극적으로 평가되고 있으며, NAND보다 훨씬 높은 밀도, 낮은 latencies 및 더 나은 내구성을 약속합니다. 큰 데이터 센터는 다양한 액세스 granularities 및 사용 사례를 통해 성능, 비용 효과 및 전력 효율성과 같은 요인을 최적화하기 위해 비 휘발성 기억을 활용한 계층화 된 스토리지 아키텍처를 채택하고 있습니다. 톱 클라우드 연산자는 이미 3D X를 배포 시작.
데이터 센터의 투자가 계속 상승함에 따라 북미는 차세대 메모리 공급자를위한 주요 목적지가 될 것으로 예상됩니다. 예를 들어, 3 월 2022에서, Vantage Data Centers, Hyperscale 데이터 센터 캠퍼스의 선도적 인 제공 업체 인 Vantage Data Centers는 캐나다 운영을 확장하기 위해 USD 721.1 백만 (CAD 900 백만)의 추가 투자를 발표했습니다. 이 투자는 몬트리올의 세 번째 캠퍼스 건설과 퀘벡 시티와 몬트리올의 두 개의 기존 캠퍼스의 확장을 포함한다.
Analyst의 주요 Takeaways:
차세대 메모리 기술 시장은 향후 몇 년 동안 상당한 성장을 경험할 것으로 예상됩니다. 더 빠른, 더 높은 밀도 및 더 많은 에너지 효율적인 메모리 솔루션, 저항 임의 액세스 메모리 (ReRAM), 3D XPoint 및 자석 RAM (MRAM)와 같은 기술에 의해 구동은 견인을 얻을 것으로 예상됩니다. ReRAM의 스토리지 클래스 메모리와 메인 메모리의 성능 요구 사항을 충족 할 수있는 능력은 NAND와 DRAM에 매력적인 대안을 만듭니다. 한편, 3D XPoint의 능력은 DRAM에 가까운 속도를 제공하지만 NAND보다 저렴한 비용으로 데이터 센터 및 엔터프라이즈 응용 프로그램에서 수요를 운전하고 있습니다.
그러나, 높은 제조 비용과 확장성의 부족은 가까운 미래에 이러한 기술의 질량 채택을 방해 할 수 있습니다. 또한, NAND의 스토리지 및 DRAM의 주요 메모리에 도전합니다. NAND 및 DRAM 제조업체는 차세대 기술로 고객의 전환을 느리게 할 수 있는 제품의 특성을 개선하기 위해 상당한 R&D 투자를 하고 있습니다.
데이터 센터 메모리 시장은 가장 빠르게 성장하는 애플리케이션 세그먼트가 될 것으로 예상됩니다. 이것은 클라우드에서 AI, 빅 데이터 분석 및 고성능 컴퓨팅과 같은 메모리 집중 응용의 채택을 증가하기 때문입니다. 아시아 태평양 지역은 현재 메모리 IC 제조를 지배하고 신흥 기술에 대한 투자를 계속할 가능성이있다.
시장 도전: 새로운 기업들의 설립 기술 및 도전에서 경쟁
NAND 플래시 및 DRAM 기술은 차세대 메모리 시장에서 긴 그림자를 던졌습니다. 그들의 설치된 성과, 신뢰성 및 더 낮은 생산비는 그(것)들의 지배적인 선수를 만듭니다. 이것은 새로운 entrants를 위한 뜻깊은 장애물을 창조합니다. 잠재적인 사용자들은 제조업체에 대한 잠재적으로 높은 수준의 비용으로 탁월한 기술을 채택할 수 있습니다. 차세대 솔루션은 대규모의 일관된 성능과 신뢰성을 입증할 필요가 있으며, 경쟁 생산 비용을 동시에 달성할 수 있으며, 더 넓은 시장 수용을 얻을 수 있습니다.
시장 기회 : Evolving Needs 및 Universal Memory Solutions의 상승
데이터 저장 공간은 중요한 이동을 겪고 있습니다. 다양한 산업을 건너, 높은 밀도와 고급 스케일링 메모리 솔루션에 대한 요구는 강화. 차세대 메모리 기술의 중요한 기회입니다. 그들은 이러한 성장률을 해결하는 잠재력이 전통적인 옵션보다 더 효과적으로 필요로합니다. 또한 전자 기기의 복잡성 및 사물 인터넷의 확산 (IoT) 응용 프로그램은 새로운 메모리 솔루션의 품종을 요약합니다. 다양한 요구에 더 큰 유연성과 적응성을 제공하는 유니버셜 메모리 솔루션은 매우 기대됩니다. 고밀도와 적응성 사이의 간격을 브릿지 할 수있는 차세대 기술은 상당한 시장 점유율 이익을 위해 잘 배치됩니다.
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Insights, 기술, 차세대 기술에 비휘발성 기억의 상승
차세대 메모리 기술 시장의 비휘발성 세그먼트는 전력없이 정보를 유지하는 데이터 저장 솔루션에 의해 구동되는 2024의 66.8%의 공유와 함께 할 것으로 예상됩니다. USB 드라이브, SD 카드 및 SSD에서 널리 사용되는 NAND 플래시 메모리는 높은 용량과 비용 효과 때문에 피벗입니다.
HDD의 이동은 노트북 및 데스크톱에서 SSD로 이동하여 휴대용 장치에 디지털 콘텐츠 저장에 대한 수요와 함께이 추세를 연료. 기업은 더 빠른 입력/출력과 낮은 전력 소비를 위한 자료 센터를 위한 SSD를 채택하고 있습니다. 자동차 분야에서, 차량에 있는 컴퓨터 단위를 위한 일어나는 기억 필요조건은 또한 수요를 밀어줍니다.
ReRAM과 3D XPoint와 같은 에너지 기술은 더 높은 용량과 더 나은 성능을 약속하며 AI, 가상 현실 및 Internet of Things의 발전에 의해 구동되어야합니다. 차세대 메모리 기술 시장에서 비휘발성 메모리의 성장을 추진할 것입니다.
Insights, 산업 수직, 소비자 전자 운전 메모리 기술
2024년 27.51%를 차지하는 가전 제품은 스마트폰, 태블릿, 노트북, 게임 콘솔과 같은 기기에 연료를 공급하고 있습니다. DRAM 및 SRAM은 임시 저장 및 이 가제트에서 처리하는 데 필수적입니다.
스마트 폰, 이제 디지털 허브, 수요 실질적인 DRAM, 특히 주력 모델 12GB 이상 RAM. 게임 PC 및 콘솔도 immersive 경험을 위한 고속 GDDR 메모리에 의존합니다. AR/VR 헤드셋과 착용감과 같은 Emerging 기술로 메모리를 더 구동할 수 있습니다.
소프트웨어 발전 및 워크로드 요구는 지속적으로 수요를 나타내는 소비자 기술에 더 높은 용량, 저전력 휘발성 메모리를 밀어 것입니다.
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아시아 태평양은 대만 반도체 제조 업체 (TSMC)와 대만, 한국 및 중국 주요 계약 제조업체와 같은 선도적 인 Foundries의 존재에 의해 구동 2024 년 44.39%의 가장 큰 점유율을 보유 할 것으로 예상됩니다. 차세대 메모리 생산에 대한 무거운 투자는 국내 반도체 생산의 적극적인 추진을 통해 이러한 나라의 인센티브와 하위시디를 통해 연료를 공급하고 있습니다. 글로벌 기술 거대는 지역 전체에 걸쳐 소비자 가전, 자동차 및 모바일 장치 산업 분야에서 강력한 성장에 의해 더 많은 메모리 제조를위한 지역 플레이어와 점점 파트너입니다. 한국, 대만, 일본은 차세대 비휘발성 기억을 위한 주요 수출 허브로, 경쟁 가격과 가용성 encouraging 기술 채택의 용이함과 더불어 출현했습니다. 또한 Samsung Electronics, SK Hynix, Toshiba와 같은 회사의 제조 시설은 중국, 인도 및 동남 아시아 국가의 성장 수요를 제공합니다. IP 보호 및 지원 정부 정책 개선은 지역 차세대 메모리 시장을 강화하는 것입니다.
북미는 차세대 메모리 기술 시장에서 가장 빠르게 성장하는 지역이며, 미국의 선도적 인 기술 회사 인 2024-2031 년 예측 기간 동안 32.71%의 CAGR를 전시 할 것으로 예상됩니다. 지구는 저항 RAM (RRAM), 3D XPoint, Phase-change 메모리 (PCM) 및 자기학 RAM (MRAM)의 글로벌 연구 및 개발 활동을 지배합니다. Intel, Micron Technology, Hewlett-Packard와 같은 주요 칩 제조업체는 미국에 본사를두고 있으며 벤처 자금 조달 및 인수를 통해 차세대 메모리 시작에서 크게 투자했습니다. 이 투자는 가장 진보 된 차세대 메모리 기술이 북미에서 상업화되고 제조되도록 보장합니다. 데이터 센터 및 소비자 가전에 대한 강력한 전자 제조 생태계와 실질적인 국내 수요가 더 연료를 연료로 공급합니다.
차세대 메모리 기술 시장 보고서 적용
| 공지사항 | 이름 * | ||
|---|---|---|---|
| 기본 년: | 2023년 | 2024년에 시장 크기: | 장바구니 US$0.00 |
| 역사 자료: | 2019년 ~ 2023년 | 예측 기간: | 2024에서 2031 |
| 예상 기간 2024년에서 2031년 CAGR: | 28.3% 할인 | 2031년 가치 투상: | 미화 38.92 Bn |
| 덮는 Geographies: |
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| 적용된 세그먼트: |
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| 회사 포함: | Adesto Technologies, Avalanche Technologies Inc., Crossbar Inc., Cypress Semiconductor Corporation, Everspin Technologies Inc., Fujitsu Ltd, Honeywell International Inc., IBM Corporation, Intel Corporation, Micron Technologies Inc., Samsung Electronics Co., Ltd, SK Hynix Inc., Sony Corporation, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC) 및 Toshiba Corporation | ||
| 성장 운전사: |
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| 변형 및 도전 : |
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* 정의: 차세대 메모리 기술 시장은 NAND 플래시, DRAM 및 자기 하드 디스크 드라이브와 같은 기존 메모리 기술을 대체하거나 보완 할 수있는 새로운 유형의 메모리 기술의 연구 및 개발을 포함합니다. 이러한 차세대 메모리 기술은 현재 메모리 솔루션과 비교하여 실질적으로 더 높은 스토리지 밀도, 더 나은 성능 및 낮은 전력 요구 사항을 제공합니다. 연구되고 있는 차세대 기억 기술의 몇몇 예에는 저항 렘, 단계 변화 기억 및 magneto 저항하는 렘을 포함합니다.
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저자 정보
Pooja Tayade는 반도체 및 가전 산업 분야에서 강력한 배경을 가진 숙련된 경영 컨설턴트입니다. 지난 9년 동안 그녀는 이 분야의 선도적인 글로벌 기업이 운영을 최적화하고, 성장을 촉진하고, 복잡한 과제를 헤쳐 나갈 수 있도록 도왔습니다. She He는 다음과 같은 상당한 비즈니스 영향을 미친 성공적인 프로젝트를 이끌었습니다.
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