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간 반도체 시장 분석

제품 유형 (라디오 주파수 장치, Opto-semiconductors 및 Power Semiconductor)에 의해 GaN 반도체 시장, 구성 요소 (Transistors, 다이오드, 정류기, 전력 IC 및 기타), 웨이퍼 크기 (2 인치, 4 인치, 6 인치 및 8 인치), End-use Industry (Automotive, Consumer Electronics, Defense & Aerospace, Healthcare, Information & Communication Technology, Industrial & Power, and Others), 라틴 아메리카, 중동, 중동, 아프리카, 중동 및 중동, 중동, 중동, 아프리카, 중동 및 동남 아시아, 중동, 중동 및 동남 아시아, 동남 아시아, 중동 및 동남 아시아, 동남 아시아, 중동 및 동남 아시아에 의해

  • 게시 예정 : Nov 2024
  • 코드 : CMI4459
  • 형식 :
      Excel 및 PDF
  • 산업 : Semiconductors

GaN는 갈륨 질화물을 뜻하고 아주 단단합니다, 기계적으로 안정되어 있습니다 넓은 밴드 간격 반도체· GaN은 반도체 전원장치 및 무선 주파수(RF) 부품 및 발광 디스플레이(LED)를 제조하는 데 사용됩니다. GaN은 전력 변환, RF (라디오 주파수) 및 아날로그 응용 분야에서 실리콘 반도체를 위한 다른 오래된 느린 실리콘 (Si) 기술을 대체하는 기능을 전시합니다.

Global GaN Semiconductor 시장의 성장률:

시장 성장은 다양한 반도체 장치에서 갤런 질화물 (GaN)의 증가 응용 프로그램에 영향을 미칠 수 있습니다. 무선 통신 장치에 대한 수요 증가, 주로 방어 통신은 GaN 반도체에 대한 수요를 생성 할 것으로 예상된다. 갈륨 질화물 기술은 종류 E 종류 F 및 종류 C 힘 증폭기와 같은 무선 커뮤니케이션에서 이용된 증폭기의 발달에서 널리 이용됩니다. 최근 GaN 반도체 기기의 수요는 내장 충전 스테이션과 같은 전기 자동차 장비로 증가했습니다. 전기 차량 위탁 키오스크

글로벌 GaN 반도체 동향 시장:

GaN Semiconductor의 성장은 저전력 소비 및 고효율으로 인해 전력 전자에 대한 수요가 상승 할 수 있습니다. GaN 장치는 실리콘 (Si) 칩과 비교하여 3x 더 많은 전력 또는 3x 더 빠른 충전을 최대 40 %의 에너지 절약을 제공합니다.

산업 선수는 GaN 기술에 제안을 강화하는 제품 개발, 협력 및 전략적인 파트너십에 집중하고 있습니다. 예를 들어, 항공 우주 및 방위 기술 회사는 L3Harris Technologies, Inc., Northrop Grumman Corporation 및 BAE Systems와 같은 정부 기관과 협력하여 2020 년 군사 및 레이더 애플리케이션의 갤런 질화물 반도체를 구현합니다.

또한 Toshiba Corporation은 2020년 게이트 유전체 공정 기술을 개발하여 GaN 파워 장치의 임계 전압과 GaN 반도체의 정확도를 향상시켰습니다.

GaN 반도체 시장: 지역 통찰력:

북미 정부는 에너지 효율적인 장치의 사용을 격려하고 GaN 반도체를 지역에서 운영하는 다양한 회사에 강화하기 위해 계약을 제공합니다. 예를 들어, 2015년 3월, 미국 정부는 Raytheon Integrated Defense Systems 계약을 체결하여 GaN 반도체 제조를 증가시키기 위해 50.9백만 달러의 계약을 체결했습니다. 지역의 정보 및 통신 기술 분야는 점점 라디오 주파수 장치에서 GaN 반도체를 구현했습니다.

아시아 태평양은 가장 빠르게 성장하는 시장으로 나올 것으로 예상되며, 효율적이고 고성능 라디오 주파수 (RF) 구성 요소에 대한 수요가 증가하는 급속한 기술 개발로 빚어냅니다. 중국과 일본과 같은 국가는 LED (빛 방출 전시) 장치, 스마트폰 및 게임 장치와 같은 소비자 전자공학의 제조에 있는 시장 지도자입니다. 이 지역 시장에서 성장을 촉진하는 중요한 요인 역할을합니다. 또한 중국, 인도 및 북한과 같은 국가의 방어 예산 증가는 특히 5G에서 강력한 통신 수요 증가에 결과. GaN 반도체 장치로, 특히 5G 원거리 통신, 레이다 및 avionics에서 시장에 있는 점차적으로 확산된 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 장치를 대체하고, 이 교대는 GaN 반도체를 위한 더 많은 수요를 창조할 것으로 예상됩니다.

세계 GaN 반도체 시장의 핵심 플레이어 :

GaN 반도체 시장에서 작동하는 주요 플레이어는 Cree, Inc., 효율적인 전력 변환 공사, Fujitsu Ltd, GaN 시스템, Infineon Technologies AG, NexGen Power Systems, NXP Semiconductor, Qorvo, Inc., Texas Instruments Incorporated, Toshiba Corporation 및 기타를 포함합니다.

글로벌 GaN 반도체 시장: 세금:

제품 유형에 따라 글로벌 GaN 반도체 시장은 다음과 같습니다.

글로벌 GaN 반도체 시장은 다음과 같습니다.

  • 관련 기사
  • 다이오드
  • 정류기
  • 힘 IC
  • 이름 *

웨이퍼 크기 기준으로 글로벌 GaN 반도체 시장은 다음과 같습니다.

  • 2 인치
  • 4 인치
  • 6 인치
  • 8 인치

글로벌 GaN 반도체 시장은 다음과 같이 구분됩니다.

  • 자동차
  • 사업영역
  • 방위 & 항공 우주
  • 제품정보
  • 정보 및 통신 기술 정보
  • 산업 & 힘
  • 이름 *

글로벌 GaN 반도체 시장은 다음과 같습니다.

  • 북아메리카
  • 유럽 연합 (EU)
  • 아시아 태평양
  • 라틴 아메리카
  • 중동 및 아프리카

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저자 정보

Pooja Tayade는 반도체 및 가전 산업 분야에서 강력한 배경을 가진 숙련된 경영 컨설턴트입니다. 지난 9년 동안 그녀는 이 분야의 선도적인 글로벌 기업이 운영을 최적화하고, 성장을 촉진하고, 복잡한 과제를 헤쳐 나갈 수 있도록 도왔습니다. She He는 다음과 같은 상당한 비즈니스 영향을 미친 성공적인 프로젝트를 이끌었습니다.

  • 중소 규모 기술 기업의 국제적 확장을 촉진하고, 4개 신규 국가에서 규정 준수를 탐색하고, 해외 수익을 50% 늘렸습니다.
  • 대형 반도체 공장의 생산 비용을 15% 절감한 린 제조 원칙을 구현했습니다.

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