GAN EPITAXIAL 웨이퍼 시장 ANALYSIS

epitaxial 웨이퍼도 알려진 epitaxial 웨이퍼는 포토닉스, 마이크로 일렉트로닉스, 스핀트로닉스, 또는 광전지. epitaxial 층은 gallium nitride (GaN), gallium arsenide (GaAs), 또는 일부 요소, 인듐, 알루미늄, 질소, 인 또는 비소와 같은 다양한 화합물로 구성됩니다. 높은 전기 이동성, 낮은 엇바꾸기 손실 및 몇몇 격자 mismatches는 힘 전자공학과 광전자 공학과 같은 기업에 있는 그것의 채택을 지도하는 GaN Substrate의 중요한 이점의 몇몇입니다.

또한, GaN epitaxial 웨이퍼는 hydride 증기 단계 epitaxy (HVPE) 또는 금속 유기 화학 증기 단계 증착 (MOCVD) 방법에 의해 개발되고, 고주파, 고속 및 고성능 장치를 위한 이상적인 그리고 우수한 기질로 사용될 수 있습니다. GaN epitaxial 웨이퍼는 Aixtron, EpiGaN nv, Sciocs 및 Semiconductor Wafer Inc.와 같은 여러 회사가 개발했습니다.

LEDs의 상승 채택은 GaN epitaxial 웨이퍼에 대한 수요가 상승하는 것을 선도합니다.

GaN은 고주파 및 고온에서 작동 할 수있는 능력 때문에 고주파 장치, 빛 방출 다이오드 (LEDs) 및 전력 전자에서 널리 구현됩니다. LED의 채택 증가는 GaN epitaxial 웨이퍼 시장의 주요 요인 밀어. 또한, GaN 기술의 발전은 무료 매크로 결함 조밀도와 낮은 결함 조밀도를 가진 능률적인 GaN 기질의 발달에 지도했습니다. Hence, GaN 기판은 2 인치에서 6 및 8 인치까지 웨이퍼 직경으로 LED를 실현하기 위해 점점 사용될 수 있습니다. LED의 채택 증가는 예측 기간 도중 GaN epitaxial 웨이퍼 시장의 성장을 몰기 위하여 예상됩니다. 그러나 고전압 반도체 응용 분야의 Sic의 경쟁과 높은 제품 비용은 예측 기간 동안 글로벌 GaN epitaxial 웨이퍼 시장의 성장을 방해 할 것으로 예상되는 요인입니다.

Global GaN Epitaxial Wafers 시장 지역 통찰력:

지리 측면에서 아시아 태평양은 예측 기간 동안 글로벌 GaN 에피 택 축 웨이퍼 시장에서 지배 될 것으로 예상됩니다. 이것은 방위와 군 분야에 있는 GaN 근거한 트랜지스터의 넓은 이용에 owing, 소비자 전자공학 & 자동차와 같은 각종 기업에서 LEDs를 위한 수요 증가 재생 에너지 지역의 발전. 예를 들어, 6 월 2019에서 삼성은 8K에서 2K에서 292"에서 73"에서 Wall Luxury GaN 마이크로 LED 디스플레이의 출시를 발표했습니다. 또한 아시아 태평양 지역은 중국, 일본, 한국 및 인도와 같은 국가의 초경량, 버퍼 구조 기술 등과 같은 혁신적인 기술을 채택할 수 있는 예측 기간에 상당한 성장을 목격할 것으로 예상됩니다. 이 지역에 있는 중요한 선수는 소비자의 증가 수요 및 요구에 응하기 위하여 신제품을 제안하기 위하여 집중됩니다. 예를 들어, 2019 년 6 월, Xiamen San'an Integrated Circuit Co., Ltd., China 기반 순수 플레이 웨이퍼 Foundry는 고급 화합물 반도체 기술 플랫폼으로 출시되었으며 실리콘 웨이퍼 Foundry 서비스에 150mm 갤런 nitride (GaN)의 출시를 발표했습니다. 최신 고전압 DC / AC 및 AC / DC 전원 전자 응용 분야를 위해 예정되어 있습니다.

세계적인 GaN Epitaxial 웨이퍼 시장 경쟁적인 배경:

글로벌 GaN의 핵심 플레이어 epitaxial 웨이퍼 시장 RF Globalnet, Aixtron, EpiGaN nv, Sciocs, Semiconductor Wafer Inc. IGSS GaN, SweGaN, NTT Advanced Technology Corporation, Infineon Technologies AG, Mitsubishi Electric Corporation, Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation, Koninklijke Philips N.V. 및 ALLOS Semiconductor GmbH는 다른 사람 중입니다.

글로벌 GaN Epitaxial 웨이퍼 시장 세금:

제품 유형의 기초에, 세계적인 GaN epitaxial 웨이퍼 시장은으로 구분됩니다:

• GaN Homoepitaxial Epitaxial 웨이퍼
• GaN Heteroepitaxial Epitaxial 웨이퍼

웨이퍼 크기의 기초에, 세계적인 GaN epitaxial 웨이퍼 시장은 다음과 같이 구분됩니다:

• 2 인치 웨이퍼
• 4 인치 웨이퍼
• 8 인치와 위 웨이퍼

응용 프로그램의 기초에, 세계 GaN epitaxial 웨이퍼 시장은 다음과 같이 구분됩니다:

• LED가
• 레이저 기계
• 고주파 장치
• 힘 드라이브
• 관련 기사
• 이름 *

End-user Industry의 기초에, 세계적인 GaN epitaxial 웨이퍼 시장은 다음과 같이 구분됩니다:

• IT 및 통신
• 산업 분야
• 자동차
• 지원하다
• 사업영역
• 군, 방위, & 항공 우주
• 의료 & 의료
• 이름 *

지구의 기초에, 세계적인 GaN epitaxial 웨이퍼 시장은 다음과 같이 구분됩니다:

• 북아메리카
• 유럽 연합 (EU)
• 아시아 태평양
• 라틴 아메리카
• 중동
• 주요 특징