NANDフラッシュメモリ市場 分析
NANDフラッシュメモリ市場が評価されると推定される US$ 69.38 ベン に 2024 そして到達する予定 US$ 101.85 から によって 2031、混合の年次成長率で育つ 2024年～2031年(CAGR) 5.6%
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スマートフォン、タブレットなどの広範な使用 ポータブル 装置はより高い貯蔵容量のための強い要求を運転しています。 NANDフラッシュは、データセンターでクラウドコンピューティングの成長と大量のデータストレージの必要性を増加させています。
スマートフォン、タブレット、SSDなどの消費者向け電子機器のストレージの需要が高まっています。 マルチメディアリッチなコンテンツの活用と次世代技術の巨大なストレージ要件の拡大 人工知能, 拡張現実, 仮想現実は、NANDフラッシュメモリの要求を拡張します. 自動車電子機器のフラッシュストレージの使用拡大は、予測期間にわたって市場成長をサポートする別の重要な要因です。
デジタルデータの急速な成長
デジタルストレージの需要は、写真、ビデオ、文書などのさまざまなフォーマットにわたってデジタルコンテンツの普及によって駆動された過去10年以上にわたって指数関数的に成長しています。 個人や企業は、これまで以上にデジタルコンテンツを作成して消費するにつれて、大容量のストレージも増加します。 NANDフラッシュメモリは、その小型、高記憶密度、高速読み取りおよび書き込み速度のために、この要求を満たすために、最も広く採用されていない揮発性ストレージ技術の一つとして登場しました。 長年のスマートフォンメーカーは、消費者が自分の携帯電話に高解像度の写真やビデオの大規模なライブラリを保存できるように、より高いストレージのバリエーションを提供することに焦点を当てています。 スマートホームデバイスの人気と同様に、モノのインターネット、クラウドコンピューティング、データセンターは、毎分生成される膨大な量のデジタルデータを処理するためのフラッシュストレージの必要性を燃料供給しました。 人工知能、バーチャルリアリティ、拡張現実、自動運転車などの新興技術の高度化も、将来的に主要なデータ発電機であることが期待されています。 このデジタルトランスフォーメーションのすべてが、今後数年間で世界規模のデータフットプリントとプロペラフラッシュメモリ市場の成長を大きく増加させることが期待されます。
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ソリッドステートドライブへの移行メカニカルハードディスクドライブ(HDD)は、大容量と低コストの容量を借りて、パーソナルコンピュータのための推奨量産ストレージソリューションです。 しかし、HDDは、NANDフラッシュメモリに基づくソリッドステートドライブ(SSD)として普及し、高い性能、低消費電力、堅牢性の利点を補完しています。 SSDは、現代のコンピューティングアプリケーションと経験のために不可欠であるHDDのプラッタを回転させることと比較して大幅に高速な読み取り/書き込み時間を配信します。 物理的な衝撃への抵抗および移動部品の不在はまたSSDをより耐久および信頼できるようにします。 SSDの容量が増加するにつれて、コストは、技術的進歩によって駆動される急激なペースで低下する一方で、デスクトップ、ラップトップ、さらにはエンタープライズサーバーは、すべてのフラッシュ構成を採用することが期待されています。 主要なPCオリジナル機器メーカーは、主にSSD構成を提供するために既に移動しました。 HDDからSSDへの移行は、ドミナントストレージメディアがNANDフラッシュサプライヤーに利益をもたらし、今後10年間でアプリケーションセグメント全体で大容量フラッシュ製品をさらに要求します。
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市場課題: NANDフラッシュチップの価格変動ストレージ密度は指数関数的に増加し、チップメーカーの重要な研究開発費を削減し、製造ノードが縮小する。 さらに、グローバルな貿易のテンションは、サプライチェーンや関税に影響を及ぼし、コストを上げます。 データセキュリティは、フラッシュストレージとして成長している懸念も、正しく暗号化されていない場合はハッキングする脆弱です。
3D NAND技術の融合
大容量ストレージの需要は、人工知能、自動運転車、モノのインターネットなどの分野における新しいアプリケーションでデータ使用率が上昇します。 非揮発性メモリエクスプレスインターフェースへの移行により、速度が速くなります。 世界中のスマートフォンやソリッドステートドライブの人気が高まっています。 トリプルレベルのセルとクアッドレベルのセル技術を採用することで、さらに1ギガバイトあたりのコストを削減できます。
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ビットごとのタイプ低コストによる洞察: TLC NANDの上昇TLC(Three Bit Per Cell) は、2024 年に 32.5% の市場占有率を他のタイプと比較して大幅に削減します。 1ビットまたは2ビットではなく3ビットをストーリングすることで、TLC NANDがより高密度化し、製造コストを削減できます。 このコスト優位性は、TLCを予算のノートパソコンやPCでUSBフラッシュドライブ、メモリカード、SSDなどの低価格でストレージ容量を最大化する必要があるアプリケーションに優先しました。 大手メーカーは、過去の信頼性の問題に対処するため、TLCの書き込み耐久性と読み取り/書き込み速度を着実に向上しました。 その結果、TLC NANDは、価格を非常に競争力を維持しながら、ほとんどの主流アプリケーションの性能ニーズを満たしています。 その低コストのプロファイルは、TLCの需要が手頃な価格の大容量ストレージのために成長するので、予期せぬ未来の優位性を推進し続けます。
インサイト によって、構造- 3D 建築: 会議の代表的な容量の要求
構造の面では、3-D構造は、メーカーがNAND容量の要求で指数関数的な成長を満たすことを可能にするので、市場の最高シェアのowing 68.3%に貢献します。 従来の平面2Dレイアウトではなく、縦型NAND技術として知られる縦型スタッキング方式を活用することで、単体に装着できるNAND細胞の量を大幅に向上させることができます。 3D NANDを64、96、またはより多くの層がMoreの法則でペースを維持し、高解像度のビデオ、大規模なスマートフォンアプリサイズ、およびIoTデバイスを拡散する要因によって持ち込まれたストレージのための増え続ける空腹を満たしています。 3D NANDは、ムーアの法則を維持するための能力は、グローバルデータ量としての選択肢の構成を維持し、今後数年で減速の兆候を示すことはありません。
アプリケーションによる洞察- スマートフォン: NAND産業の運転力
用途に応じて、NANDフラッシュメモリ市場の最高シェアは、2024年に31.4%のスマートフォンに帰属します。 スマートフォンは、毎年10億件以上の売り上げで、最もユビキタスなパーソナルコンピューティングとマルチメディアデバイスとして登場しました。 現代のスマートフォンの大規模なデータ使用とローカルストレージのニーズは、今日のNANDフラッシュ需要の単一の最大のドライバです。 高解像度の写真とビデオ、巨大なアプリサイズ、音楽ライブラリ、および内部ストレージ容量は、128GB以降、各新しいスマートフォンの生成に必然的にNAND容量を必要とします。 5G、AIアシスタント、AR/VRアプリケーションなどの市場や新しいフロンティアの開発にスマートフォンの普及が進んでおり、さらにリッチなメディアが使えるように、スマートフォンは3D NANDや新しいセルタイプなどの技術進歩を推進し続けていきます。
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北米は、世界的なNANDフラッシュメモリ市場での優位性として確立されています。 2024年の市場シェアの39.7%を占める地域。 インテル、ミクロン、サムスン、ウェスタン・デジタルなどの主要なテクノロジー企業の存在により、米国は地域市場規模に大きく貢献しています。 R&Dや製造施設に長年投資してきた企業です。 その結果、北米は、現在グローバルNANDフラッシュ生産の最大のシェアを占めています。
また、NANDフラッシュストレージソリューションの主要な輸出国です。 スマートフォン、ノートパソコン、SSD、その他の消費者向け電子機器の需要が高いため、アメリカ企業は国内および国際市場の両方にタップすることができます。 顧客の間で確立されたサプライチェーンとブランドの忠誠性は、この輸出主導の成長を支えました。 北米メーカーのNANDフラッシュチップの価格は、世界的な入札で競争しています。 地域だけでなくグローバルなリーダーシップをさらに強化しました。
アジアパシフィック地域、特に中国は、NANDフラッシュメモリの最速成長市場として誕生しています。 消費者のベースと政府のイニシアチブで、セクター全体のデジタル化を促すことで、ストレージデバイスに対する需要が高まっています。 国際メモリメーカーから現地生産設備をセットアップする重要な投資を集めました。 YMTCやCXMTなどの中国企業は、先天的な製造能力を強化しました。
他のアジアおよびアフリカの市場への輸出機会と共に国内需要を上げることは記憶生産のための中国の重要な位置をしました。 また、輸入の信頼性を削減し、NANDフラッシュコストを安定させる国も許可しています。 アジアパシフィックは、アジアパシフィックの魅力的なアウトソーシングと調達拠点です。 品質基準を改善することによって補完される地域のコスト優位性は、それが地面を得ることを可能にします。 次世代テクノロジーを継承する積極的な研究開発は、この成長軌跡を補完します。
上記の市場分析では、北米とアジアパシフィックが有効化した業界プレゼンス、輸出、投資、価格などの重要な側面を強調し、外部データを参照することなく、グローバルNANDフラッシュメモリのランドスケープに立たせます。
NANDフラッシュメモリ市場レポートカバレッジ
| レポートカバレッジ | ニュース | ||
|---|---|---|---|
| 基礎年: | 2023年 | 2024年の市場規模: | US$ 69.38 ベン |
| 履歴データ: | 2019年10月20日 | 予測期間: | 2024年～2031年 |
| 予測期間 2024～2031 CAGR: | 5.6%の | 2031年 価値の投射: | US$ 101.85 ポンド |
| 覆われる幾何学: |
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| カバーされる区分: |
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| 対象会社: | サムスン電子、SKハイニックス、ミクロンテクノロジー、インテル株式会社、キオキシア株式会社(旧東芝メモリ株式会社)、西デジタル株式会社、サンディスク(西デジタルの分岐)、Nanyaテクノロジー株式会社、パワーチップテクノロジー株式会社、YMTC(ヤンツェメモリーテクノロジーズ株式会社)、インテルミクロンフラッシュテクノロジーズ(IMFT)、XMC(Xiamen Xinxin Semiconductor Manufacturing Corporation)、マクロニックスインターナショナル、トランスセンド情報、ADATAテクノロジー、Phvices、Inc.、Inc.、Inc.、Inc.、Inc.、Inc.、Silicon、Inc.、Silicon、Inc.、Inc.、Silicon、Inc. | ||
| 成長の運転者: |
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| 拘束と挑戦: |
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*定義: NANDフラッシュメモリ市場は、NANDフラッシュメモリの製造と販売、データを保持する電力を必要としない非揮発ストレージ技術の種類を含みます。 NANDフラッシュは、USBフラッシュドライブ、メモリカード、ソリッドステートドライブ、および取り外し可能な耐久性のあるデータストレージを提供する他のアプリケーションで使用されます。 小さいサイズ、低い電力の消費、高い読まれ、書く速度、衝撃抵抗および耐久性による多くの装置でハード ディスク ドライブを取り替えました。
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著者について
Pooja Tayade
Pooja Tayade は、半導体およびコンシューマー エレクトロニクス業界で豊富な経験を持つ、経験豊富な経営コンサルタントです。過去 9 年間、これらの分野の大手グローバル企業の業務の最適化、成長の促進、複雑な課題の解決を支援してきました。次のような、ビジネスに大きな影響を与えるプロジェクトを成功に導きました。
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