MOSFETとIGBTゲートドライバーズマーケット ANALYSIS

MOSFETとIGBTは2つのスイッチモード電源トランジスタです。 金属酸化半導体 フィールドエフェクトトランジスタ(MOSFET)は、一般的にシリコンの制御酸化によって形成されるフィールドエフェクトトランジスタです。 適用条件によって加えられた電圧の変化と伝導性を変えることを可能にした絶縁されたゲートを使用します。 このプロパティは、電気信号を増幅または切り替えるために使用されます。 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は、電子スイッチとして使用される3つのターミナルパワー半導体装置です。4つの交流レイヤー(P-N-P-N)で構成されており、金属酸化物半導体(MOS)構造によって制御されます。 バイポーラ・ジャンクション・パワー・トランジスタ(BJT)を1枚のシリコンで制御するMOSFETです。 ICゲートの運転者は産業、消費者、コンピュータおよび自動車適用、モーター ドライブ、無停電電源装置(UPS)および太陽インバーターのパワー ステージを正確にそして効率的に活動させるために要求される必要な電圧および現在のレベルを発生させます。

電子機器業界における成長の拡大は、グローバルMOSFETとIGBTゲートドライバー市場の成長のための主要な駆動因子です

MOSFETとIGBTのICドライバは、主にスイッチとして電子機器に使用され、また、高電圧に継続的なプロセスを変更するには、すなわちアンプとして使用されます。 電子機器の需要の増加は、市場の成長のための重要な運転要因の一つです。 たとえば、香港科学技術パーク(HKSTP)による2015年報告書によると、グローバルコンシューマーエレクトロニクス市場は、2020年までに2,976億米ドルに達すると予測期間で15.4%のCAGRで(2015-2020)。 MOSFETは高い周波数で作動し、少しの回転損失の速い転換の塗布を実行できます。 IGBTは、MOSFETで発見されたシンプルなゲートドライブ特性と、バイポーラトランジスタの高電流および低飽和電圧機能を組み合わせたものです。 IGBTゲートは、多くの場合、アンプと大きな電力パルスを生成するために使用され、したがって、電気自動車、列車、可変速冷蔵庫、エアコンなどの近代的な機器で有用です。 従って、これらのICの運転者のゲートの市場は電子機器の市場の成長によって影響されます。 それに加えて、電気自動車の売上増加も市場の成長を支援するために期待されています。 例えば、Coherent Market Insightsの分析によると、2017年に、電気自動車のグローバル売上高は2016年に695万台から962千台となりました。

グローバルMOSFETとIGBTゲートドライバー市場: 地域洞察

地域をベースとしたMOSFETとIGBTゲートの市場は、北米、欧州、アジア太平洋、ラテンアメリカ、中東、アフリカの6つの地域に分けられます。

2017年にMOSFETおよびIGBTのゲートの運転者のための市場でのアジア・パシフィックは優位を保ち、予測期間を通してその優位を維持するために計画されます。 市場成長に影響を及ぼす地域における消費者向け電子機器や家電製品の生産が高まっています。 インド、中国、日本は、エレクトロニクス製品の生産が高まっている地域における主要な新興国です。 たとえば、インド・ブランド・エクイティ・ファウンデーション(IBEF)、2018年5月、インドの電子市場は、予測年(2017-2020年)で41%のCAGRを展示し、2020年までにUS $ 400億に達する見込みです。 これは、MOFSETとIGBTゲートの高い採用につながると予想されます, したがって、市場の成長に役立ちます. また、アジア太平洋の電気自動車の高販売も、この地域で市場の成長を加速しました。 例えば、Coherent Market Insightsの分析によると、2017年、アジア太平洋の電気自動車の売上高は426万台でした。 中国は2017年に電気自動車の売上高で優位を保持しました。 2017年、中国の電気自動車の販売は378万台でした。

北アメリカは2017年に第2位のシェアを、この地域の電子機器市場の高成長に向けました。 米国とカナダは、地域における主要な成長エンジンです。 電子商取引および関連取引の市場は、地域の最近の過去に大きな増加を目撃しました。 たとえば、国際ビジネス開発の取引統計によると、2017年の電気機械および機器の輸出は、米国で2016年に167.1万ドルから174.2百万米ドルでした。 MOSFETおよびIGBTゲートは、消費者用機器の重要なコンポーネントであるため、MOSFETおよびIGBTゲートの需要は、そのような製品に対する需要の増加に著しく増加すると予想されます。 これは、予測期間中の地域における市場の成長を支援するために期待されています (2018-2026).

世界のMOSFETおよびIGBTのゲートの運転者の市場:主プレーヤー

世界のMOSFETおよびIGBTのゲートの運転者の市場で作動する主要なプレーヤーはInfineonの技術、半導体、STMicroelectronics、ROHMの半導体、NXPの半導体、テキサス・インスツルメンツ、マイクロチップ、パワー・インテグレーションズ株式会社、Vishay、ブロードコム、アナログ装置、IXYS、東芝、レネサスおよびPowerexです。

グローバルMOSFETとIGBTゲートドライバー市場:税法

製品タイプに基づいて、グローバルMOSFETおよびIGBTゲートの運転者の市場はに分類されます:

• 単一チャネルのゲートの運転者
• ハーフブリッジゲートドライバー
• 完全な橋ゲートの運転者
• 三相ゲートの運転者
• その他

アプリケーションに基づいて、グローバルMOSFETおよびIGBTゲートの運転者の市場はに分類されます:

• ホームアプライアンス
• 自動車産業
• ディスプレイ&照明
• パワーサプライ
• その他

地域に基づいて、グローバルMOSFETおよびIGBTゲートの運転者の市場はに分類されます:

• 北アメリカ
• ヨーロッパ
• アジアパシフィック
• ラテンアメリカ
• 中東
• アフリカ

グローバルMOSFETとIGBTゲートドライバー市場: 主な開発

• 2018年9月、電動制御用7世代IGBTを新発売 その結果、モータの効率は負荷なしで7%増加し、ピーク負荷で最大20%、電力も20%増加しました。
• 2018年11月、Renesas Electronics Corporationは12V-48Vの双方向コントローラーのための100Vの半分冷却装置ドライブMOSFETsを進水させました 自動車ハイブリッドパワートレイン。 それは調節可能なデッドタイムおよび最高の効率の高い現在のDC/DCの転換を可能にする高度 ISL784x4 MOSFETの運転者の家族です。
• 2017年5月、東芝株式会社が「TLP5214A」を立ち上げたスマートゲートドライバーフォトカプラーは、中型パワーIGBTとパワーMOSFETを駆動し、飽和感のある特性を実現しました。
• 2018年7月、東芝株式会社は自動車3相ブラシレス モーターのための新しい密集した力MOSFETのゲートの運転者の理性的な力装置(IPD)を進水させました。 装置は使用のために意図されています 自動車モーター 12Vの電子パワーステアリング(EPS)、オイル/水ポンプ、ファン モーターおよび電気ターボチャージャーのようなドライブ塗布。
• 2017年11月、IXYS Corporationは、IXRFDSM607X2 15 Ampere Low-Side RF MOSFETなどの高周波アプリケーション用の新しいドライバを導入しました。 IXYSコロラド事業部のドライバー。
• 2017年5月、アナログデバイス株式会社(ADI)では、SiC(SiC)などのパワースイッチ技術で求められる高速・システムサイズの制約により、小型の形状を分離したゲートドライバーを導入しました。炭化ケイ素)およびGaN (窒化ガリウム)。