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ガンエピタキシャルウェーハ 市場 分析

GaNエピタキシャルウエファー市場、製品タイプ(GaNホモエピタキシャルウエファーとGaNヘテロピタキシャルウエファー)、ウェーハサイズ(2インチウエファー、4インチウエファー、8インチウエファー)、アプリケーション(LED、レーザー、無線周波数デバイス、パワードライブ、トランジスタ、その他)、エンドユーザー産業(IT&テレコミュニケーション、産業、自動車、再生可能エネルギー、コンシューマー、軍事、航空、その他)、その他(中国)、その他、アジア、アジア、アフリカ、その他)、アジア、アジア、その他

また、エピタキシャルウエハは、フォトニクス、マイクロエレクトロニクス、 スピントロニクス、または光起電。 エピタキシャル層は、ガリウム窒化物(GaN)、ガリウムアルセニド(GaAs)、または要素ガリウム、インジウム、アルミニウム、窒素、リンまたはアルセニックのいくつかの組み合わせなどの様々な化合物で構成されています。 高電子モビリティ、低切換損失、およびより少ない格子誤差は、電力電子機器や光電子工学などの業界における採用をリードするGaNサブステレートの主な利点の一部です。

さらに、GaNエピタキシャルウエファーは、水化物蒸気相エピタキシー(HVPE)または金属有機化学蒸気相沈着(MOCVD)方式で開発され、高周波、高速、高出力デバイスに理想的な優れた基質として使用できます。 GaNエピタキシャルウエハは、Aixtron、EpiGaN nv、Sciocs、S Semiconductor Wafer Inc.などの複数の企業によって開発されています。

LEDの上昇の採用はGaNのエピタキシャルのウエファーのための上昇の要求に導きます

GaNは高周波および高温で作動する機能による無線周波数装置、発光ダイオード(LEDs)および力電子工学で広く利用されています、。 LEDの採用の増加は、GaNエピタキシャルウエファー市場の成長を後押しする主要な要因です。 さらに、GaN技術の進歩は、自由なマクロ欠陥密度および低い欠陥密度の有効なGaNの基質の開発に導きました。 従って、GaNの基質は2インチから6および8インチまでのウエファーの直径が付いているLEDsを現実化するためにますますますます使用することができます。 予測期間中にGaNエピタキシャルウエファーの市場の成長を促すことが期待されるLEDの採用の増加。 しかし、高電圧半導体アプリケーションや高製品コストにおけるSicの競争は、予測期間における世界的なGaNエピタキシャルウエファーの市場の成長を妨げる要因です。

グローバル・ガン・エピタキシャル・ウェーハ市場動向:

地理の観点から、アジアパシフィックは、予測期間中にグローバルGaNエピタキシャルウエファー市場で優位性を発揮する見込みです。 これは、防衛および軍事分野におけるGaNベースのトランジスタの広範な活用を支持し、消費者エレクトロニクスや自動車などのさまざまな産業からのLEDの需要の増加と増加 再生可能エネルギー 地域の世代。 例えば、2019年6月、Samsungは、8Kで2Kから292インチまでの73インチから構成可能なウォールラグジュアリーGaNマイクロLEDディスプレイの発売を発表しました。 また、中国、日本、韓国、インドなど国におけるエピ核化、緩衝構造技術など、革新的な技術の高度化に寄与できる予測期間において、アジアパシフィック地域は大きな成長を目撃する見込みです。 この地域の主要選手は、消費者のニーズと要件を高めるために新製品を提供することに焦点を当てています。 例えば、2019年6月、Xiamen San'anの集積回路Co.、高度の混合の半導体の技術のプラットホームが付いている中国ベースの純粋な演劇のウエファーの鋳物場の株式会社は、世界の最も最近の高圧DC/ACおよびAC/DC力の電子工学の適用のために意図されているケイ素のウエファーの鋳物場サービスの150mmのガリウム窒化物(GaN)の進水を発表しました。

グローバルGaNエピタキシャルウエファー市場競争力背景:

世界の主要プレイヤー GaN エピタキシャルウエファー市場 RF Globalnet、Aixtron、EpiGaN nv、Sciocs、セミコンダクターウエファー株式会社 IGSS GaN、SweGaN、NTTアドバンストテクノロジー株式会社、Infineon Technologies AG、三菱電機株式会社、東芝インフラシステム&ソリューションズ株式会社、Koninklijke Philips N.V.、およびALLOSセミコンダクター GmbH 他。

グローバルGaNエピタキシャルウエファー市場分類:

製品の種類に基づいて、グローバルGaNエピタキシャルウエファー市場は次のように区分されます。

  • GaN Homoepit軸エピタキシャルウエファー
  • GaN Heteroepit軸エピタキシャルウエファー

ウェーハサイズに基づいて、グローバルGaNエピタキシャルウエハ市場は次のように区分されます。

  • 2-インチウエファー
  • 4インチウエファー
  • 8インチ以上のウェーハ

アプリケーションに基づいて、グローバルGaNエピタキシャルウエファー市場は次のように区分されます。

  • LED の
  • レーザー
  • 無線周波数装置
  • パワードライブ
  • トランジスタ
  • その他

エンドユーザー業界をベースに、グローバルGaNエピタキシャルウエハ市場をセグメント化:

  • IT・通信
  • 産業
  • 自動車産業
  • 再生可能エネルギー
  • 消費者エレクトロニクス
  • 軍事、防衛、航空宇宙
  • 医療・ヘルスケア
  • その他

地域ベースでは、グローバルGaNエピタキシャルウエファー市場をセグメント化しています。

  • 北アメリカ
  • ヨーロッパ
  • アジアパシフィック
  • ラテンアメリカ
  • 中東
  • アフリカ

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著者について

Monica Shevgan

モニカ・シェブガンは、シニア経営コンサルタントです。情報通信技術分野の専門知識を持ち、市場調査とビジネスコンサルティングで 13 年以上の経験があります。戦略的な意思決定に役立つ質の高い洞察を提供してきた実績を持つ彼女は、組織がビジネス目標を達成できるよう支援することに尽力しています。彼女は、先端技術、エンジニアリング、輸送など、さまざまな分野で数多くのプロジェクトを成功裏に作成し、指導してきました。

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