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ディスクリート半導体市場 分析

分離された半導体 市場、タイプによって(MOSFET、IGBT、バイポーラのトランジスタ、サイリスタ、整流器および他の)、エンド ユーザーによって(Automotive、消費者電子工学、コミュニケーション、産業および他のエンド使用の縦)、地理によって(北アメリカ、ラテンアメリカ、ヨーロッパ、アジア パシフィック、中東及びアフリカ)

  • 発行元 : Apr 2024
  • コード : CMI5216
  • ページ :165
  • フォーマット :
      Excel と PDF
  • 業界 : 半導体

ディスクリート半導体市場 規模と傾向

ディスクリート半導体市場が評価されると推定される 2024年のUS $ 43.85億 そして到達する予定 US$ 82.12 億で 2031、混合物の年次成長率を展示する 2024年~2031年(CAGR)9.4%お問い合わせ

Discrete Semiconductor Market Key Factors

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自動車、家電、通信などの業界を横断する半導体の普及が、この市場の成長を加速しています。

OEMから、より効率的でコンパクトな半導体の需要が高まり、人工知能、自動運転車、IoTなどの先進技術の開発をサポートし、ディスクリート半導体の需要が高まります。 しかし、小さなノードサイズに関連した高い開発コストは市場成長を妨げる可能性があります。

接続デバイスおよびIoTアプリケーションにおける半導体チップの採用増加

従来の電子機器は、ローカルネットワークやクラウドサービスを介して、他のデバイスと通信し、データを共有できるように、ますますワイヤレス接続機能を組み込まれています。 この傾向は、産業オートメーション、医療監視、環境センシング、資産追跡、スマートシティインフラなどの分野における多くの新しいIoTユースケースを有効にしました。 マイクロコントローラ、パワーマネジメントIC、メモリチップ、無線通信チップなどのディスクリートな半導体コンポーネントを必要とする、より日常的なオブジェクトが埋め込まれたインテリジェンスとネットワーク接続を得るため。

たとえば、CTAが報告したように、IoT市場が拡大するなど、米国におけるディスクリート半導体の需要を牽引することが期待されています。 2021年、米国のホームズの23%は、スマートまたはコネクティッドヘルス監視装置を持ち、19%は、IoT導入における成長傾向を示すスポーツやフィットネス機器を接続しました。

市場集中と競争環境

Discrete Semiconductor Market Concentration By Players

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自動車電子機器における半導体集積の増加

車両は、最先端の電子機器を充填した高度に洗練されたモバイルコンピューティングプラットフォームに、純粋な機械輸送システムから進化しています。 この技術シフトは、車両ごとに利用されるディスクリート半導体チップ数の途方もない増加を必要とします。 高度の運転者の援助、衝突回避、インフォテイメント インターフェイス、電池管理および電気パワートレイン制御のような機能は非常に統合され、専門にされた自動車等級の破片に頼ります。 電動および自動運転車が主流のオプションになるように、彼らは、専用のSoC、MCU、PMIC、メモリ、および接続チップと一緒に複雑なディープラーニングアルゴリズムを実行するより強力なオンボードコンピュータを統合します。

例えば、電気自動車(EV)パワーエレクトロニクスシステムでは、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は重要な役割を果たしています。 2021年に6.6百万に達する電気自動車のグローバル販売で、IEAレポートによると、総車売上高の9%を表す、IGBTの需要が増えています。 2021年12月、STPOWER シリコンカーバイド(SiC) MOSFETの第3世代に、EV パワートレインや電力密度、エネルギー効率、信頼性を優先するその他のアプリケーション用のパワーデバイスを強化しました。

Discrete Semiconductor Market Key Takeaways From Lead Analyst

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市場課題: ライジングコスト

従来の離散装置は集積回路および他のより高い機能性の部品によって次第に取り替えられます。 このトランジションは、長期にわたる伝統的なディスクリート製品の性能を脅かします。 さらに、地政的な緊張はサプライチェーンと取引関係を混乱させ、サプライヤーが重要なリソースと市場にアクセスするのを厳しくします。 研究開発と製造コストを上げることで、利益率にも圧力をかけます。

市場機会:新興アプリケーションへの展開

再生可能エネルギー、電気自動車、5Gインフラ、モノのインターネットなどの用途の需要が高まっています。 サプライヤーは、これらの新興セクターに適したカスタマイズされた離散コンポーネントを開発することができます。 また、高い信頼性を必要とする過酷な環境やアプリケーションにおいて、ギャップは密接なソリューションに残ります。 分散型プレーヤーは、統合ソリューションによって満たされていないアドレスのニーズに革新しています。

Discrete Semiconductor Market By Type

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Type の面では、MOSFET は、幅広いアプリケーションへの市場占有率を最も高く評価しています。

2030年における最大38.7%のMOSFET会計により、離散型半導体市場を区分しています。 MOSFETは、モールサイズやエネルギー効率により需要が高まっています。 両極ジャンクショントランジスタのような他のトランジスタタイプと比較して、MOSFETは低消費電力で高い電圧を処理し、電力効率が重要なアプリケーションに適しています。

MOSFETは、電圧レベルを調整したり、重い負荷を効率的にオフしたりするために、電力管理回路で非常に一般的に使用されています。 パワー効率の高いスイッチング機能により、さまざまな電力制御アプリケーションに適したトランジスタをMOSFETにしました。 アプリケーションは、デバイス、アプライアンス、モータードライブなどです。 MOSFETの小型化により、複数のMOSFETを単一の集積回路に配置することもできます。 よりコンパクトなシステム設計にパワー機能の統合が増加しました。

増加したMOSFETの使用率を運転するもう1つの要因は、インシュレータ(SOI)ウェーハ製造におけるシリコンなどの先進半導体製造技術の採用が高まっています。 SOI技術は、より優れた電力処理と速度の切り替えのために、パラシティックキャパシタンスを削減します。 より細かく調整された高性能なMOSFETを、特定の機能に最適化して作成することができます。 SOI製造は、電気自動車や再生可能エネルギーシステムなどのパワーエレクトロニクスなどの戦略的な成長分野を開発しています。

MOSFETは、CPUなどのICのコアコンポーネントや、他のデジタルロジック回路としても普及しています。 MOSFETの設計および製作の進歩は長年にわたる集積回路の性能の一貫した利益を支えました。 デジタルアプリケーションがより広く普及するにつれて、ディスクリートMOSFETの需要増加が進んでおり、高度なロジックとメモリチップに統合されます。

エンドユーザーでは、コンシューマーエレクトロニクスは、スマートデバイスの増殖による市場の最高シェアに貢献します。

ディスリート半導体市場でのコンシューマーエレクトロニクスセグメントは、2024年に最大38.45%のシェアを占めることが期待されています。 消費者の電子機器の急速な変化は、分離されたトランジスタ、ダイオードおよび他の部品のための強い要求を燃やしました。

スマートフォン、タブレット、ノートパソコン、その他スマートコネクテッドデバイスは、近年広く普及しています。 人口を越えた増殖用途は、コンポーネント販売の膨大な量を生成しました。 ディスクリート半導体は、IC、電源回路、その他のサブシステム内の重要なビルディングブロックで、次世代の機能性を消費者デバイスに供給します。

スマートフォンを超えて、スマート家電、音声アシスタント、ウェアラブル、モノのインターネットの上昇は、別の主要なドライバーです。 半導体は、センシング、データ処理、ワイヤレス接続、電力管理などの機能において重要な役割を果たしています。

地域別の洞察

Discrete Semiconductor Market Regional Insights

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アジア太平洋地域は、2024年に離散した半導体市場を廃止し、47.6%の市場シェアを占める見込みです。 この優位性は、特に中国のような国では、地域における急速な経済成長と繁栄するエレクトロニクス製造拠点を含むいくつかの要因に起因することができます。 また、半導体技術の国内生産・進出を積極的に推進しています。

さらに、アジア太平洋は2024年に11.82%の最高市場成長率(CAGR)を目撃する予定です。 ディスクリート半導体に対するこの要求は、消費者エレクトロニクスの消費量の増加、自動車産業の拡大、および地域全体のさまざまな産業分野におけるオートメーション技術の拡大によって促進されます。 これにより、アジア・パシフィックは、今後数年間続く成長の可能性を秘めた半導体メーカーの有利な市場を築きます。

市場レポートの範囲

ディスクリート半導体市場レポートカバレッジ

レポートカバレッジニュース
基礎年:2023年2024年の市場規模:US$ 43.85 ベン
履歴データ:2019年10月20日予測期間:2024年~2031年
予測期間 2024~2031 CAGR:9.4%2031年 価値の投射:US$ 82.12 ポンド
覆われる幾何学:
  • 北アメリカ: 米国とカナダ
  • ラテンアメリカ: ブラジル, アルゼンチン, メキシコ, ラテンアメリカの残り
  • ヨーロッパ: ドイツ、英国、スペイン、フランス、イタリア、ロシア、欧州の残り
  • アジアパシフィック: 中国、インド、日本、オーストラリア、韓国、アセアン、アジアパシフィックの残り
  • 中東・アフリカ: 南アフリカ、GCC諸国、イスラエル、中東・アフリカの残り
カバーされる区分:
  • タイプによって: MOSFET、IGBT、バイポーラトランジスタ、サイリスタ、整流器、その他
  • エンドユーザー: 自動車、コンシューマーエレクトロニクス、通信、産業、その他エンドユース垂直
対象会社:

ABBのダイオードは、GeneSiCの半導体株式会社、Infineonの技術AG、Nexperia、NXPの半導体、Renesasの電子工学株式会社、ROHM CO.、株式会社に統合します。 、半導体の部品の企業、LLC、StarPowerの半導体株式会社、STMicroelectronics、台湾の半導体、テキサス・インスツルメンツ株式会社、東芝の電子工学のDeVICES及びSTORAGE株式会社、バイシャイIntertechnology、株式会社およびWeEnの半導体

成長の運転者:
  • 接続デバイスおよびIoTアプリケーションにおける半導体チップの採用増加
  • 自動車電子機器における半導体集積の増加
拘束と挑戦:
  • ライジングコスト
  • 地政的破壊

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ディスクリート半導体市場 業界ニュース

  • Renesas Electronics Corporationは、2023年1月、EVインバータ用のIGBTやSiC MOSFETなどの高電圧電源装置用に設計された新しいゲートドライバICを導入しました。
  • 日立アスレモ株式会社(本社:東京都港区、代表取締役社長:樋口 宏、以下「日立アスレモ」)は、自動車用インバータが、ROHMセミコンダクターの第4世代のSiCMOSFETやゲートドライバーICを活用して、高効率・耐クルージングを実現しました。
  • STMicroelectronicsは、電気自動車の性能と範囲を強化するために、2022年12月に新しいシリコンカーバイド(SiC)高出力モジュールを発売しました。 ヒュンダイは、KIA EV6と複数のモデルが共有するE-GMP電気自動車プラットフォームで使用するためのこれらのモジュールの5つを選択しました。
  • Renesas Electronics Corporationは、次世代EVインバータを標的とした2022年8月に新世代のSi-IGBTの開発を発表しました。 AE5世代の IGBT は 2023 年の最初の半分で量産されるように設定されました。

*定義: ディスクリート半導体市場は、トランススター、ダイオード、および統合回路の一部ではないサイリスタなどの個々のディスクリート半導体コンポーネントの取引を含みます。 ディスクリート半導体は、単一の電子機能を実行し、回路設計の個々のビルディングブロックとして使用されるスタンドアローンコンポーネントです。 それらは住宅、産業、自動車および消費者の電子工学の適用で広く利用されています。 ディスクリート半導体市場は、信頼性と費用対効果の高い電子部品を提供することで、電子機器メーカーのニーズに役立ちます。

市場セグメンテーション

  • タイプ インサイト(Revenue、USD Bn、2019 - 2031)
    • マスク
    • IGBTについて
    • バイポーラトランジスタ
    • サイリスタ
    • 整流器
    • その他
  • エンドユーザーインサイト(Revenue、USD Bn、2019 - 2031)
    • 自動車産業
    • 消費者エレクトロニクス
    • コミュニケーション
    • 産業
    • 他のエンドユースの縦
  • 地域洞察 (Revenue, USD Bn, 2019 - 2031)
    • 北アメリカ
      • アメリカ
      • カナダ
    • ラテンアメリカ
      • ブラジル
      • アルゼンチン
      • メキシコ
      • ラテンアメリカの残り
    • ヨーロッパ
      • ドイツ
      • アメリカ
      • スペイン
      • フランス
      • イタリア
      • ロシア
      • ヨーロッパの残り
    • アジアパシフィック
      • 中国・中国
      • インド
      • ジャパンジャパン
      • オーストラリア
      • 韓国
      • アセアン
      • アジアパシフィック
    • 中東・アフリカ
      • 南アフリカ
      • GCCについて 国土交通
      • イスラエル
      • 中東・アフリカの残り
  • キープレーヤーの洞察
    • ABBについて
    • 株式会社 ダイオードス
    • GeneSiCセミコンダクター株式会社
    • インフィニオンテクノロジーズAG
    • エクステリア
    • NXPセミコンダクター
    • レネサス電子株式会社
    • 株式会社ローム
    • 半導体部品工業, LLC
    • スターパワー半導体 お問い合わせ
    • STマイクロエレクトロニクス
    • 台湾の半導体
    • テキサス・インスツルメンツ株式会社
    • 東芝電子デバイス&ストレージ株式会社
    • 株式会社バイシャイインターテクノロジー
    • WeEnセミコンダクター

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著者について

Pooja Tayade

Pooja Tayade は、半導体およびコンシューマー エレクトロニクス業界で豊富な経験を持つ、経験豊富な経営コンサルタントです。過去 9 年間、これらの分野の大手グローバル企業の業務の最適化、成長の促進、複雑な課題の解決を支援してきました。次のような、ビジネスに大きな影響を与えるプロジェクトを成功に導きました。

  • 中規模テクノロジー企業の国際展開を促進し、4 つの新しい国で規制遵守を順守し、海外収益を 50% 増加
  • 大手半導体工場でリーン製造原則を導入し、生産コストを 15% 削減

よくある質問

全世界の離散型半導体市場規模は、2024 年に 43.85 億米ドルで評価され、2031 億米ドルに達すると予想されます。

ディスクリート半導体市場は、2024年から2031年にかけて9.4%を予定しています。

デバイスやIoTアプリケーションにおける半導体チップの採用が増加し、自動車電子機器における半導体集積が増加する要因は、ディスクリート半導体市場の成長を牽引する大きな要因です。

有利なコストと地政的な混乱は、分離された半導体市場の成長を妨げる主要な要因です。

型面では、MOSFET は 2024 年の市場収益シェアを支配すると推定されています。

ABB, 半導体, GeneSiC Semiconductor Inc., Infineon Technologies AG, Nexperia, NXP Semiconductors, Renesas Electronics Corporation, ROHM CO., LTD., 半導体部品工業, LLC, StarPower Semiconductor Ltd., STMicroelectronics, 台湾セミコンダクター, テキサスインスツルメンツ株式会社, 東芝電子デバイス&ストレージ株式会社, Vishay Intertechnology, Inc., および WeEn Semiconductors は主要なプレーヤーです。
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