MOSFET E IGBT GATE DRIVERS MARKET ANALYSIS

MOSFET e IGBT sono due transistor di alimentazione della modalità switch. Un Metal-Ossido-Semiconduttore Field Effect Transistor (MOSFET) è un field Effect Transistor che è tipicamente formato da ossidazione controllata di silicio. Utilizza cancelli isolati, che hanno permesso di cambiare conducibilità con la variazione della tensione applicata secondo il requisito di applicazione. Questa proprietà è utilizzata per amplificare o commutare i segnali elettrici. Un transistor bipolare isolato (IGBT) è un dispositivo semiconduttore di potenza tre terminali, che viene utilizzato come interruttore elettronico, composto da quattro strati alternanti (P-N-P-N) che sono controllati da una struttura in metallo-ossido-semiconduttore (MOS) senza azione rigenerativa. È essenzialmente un MOSFET che controlla un transistor di potenza di giunzione bipolare (BJT) con entrambi i transistor su un unico pezzo di silicio. I driver di cancello IC generano la tensione necessaria e il livello corrente necessario per attivare con precisione ed efficacia la fase di potenza in applicazioni industriali, di consumo, di computer e automobilistiche, azionamenti motore, alimentatori ininterrotti (UPS), e inverter solari.

Aumentare la crescita dell'industria dei dispositivi elettronici è un importante fattore di guida per la crescita del mercato globale dei driver MOSFET e IGBT gate

I driver IC di MOSFET e IGBT sono utilizzati principalmente nei dispositivi elettronici come interruttore e anche come amplificatori, cioè per cambiare un processo in corso a una tensione più alta. L'aumento della domanda di dispositivi elettronici è uno dei fattori chiave per la crescita del mercato. Ad esempio, secondo il rapporto del 2015 di Hong Kong Science and Technology Parks (HKSTP), il mercato globale dell'elettronica di consumo è destinato a raggiungere entro il 2020 2.976 miliardi di dollari, con un CAGR del 15,4% nel periodo di previsione (2015-2020). MOSFETs può operare ad alte frequenze e può eseguire applicazioni di commutazione veloci con piccole perdite di spegnimento. IGBT combina le semplici caratteristiche di gate-drive presenti nel MOSFET con la capacità ad alta corrente e a bassa saturazione di un transistor bipolare. IGBT gate sono spesso utilizzati con amplificatori e per generare grandi impulsi di potenza, quindi sono utili in elettrodomestici moderni come auto elettriche, treni, frigorifero a velocità variabile e condizionatori d'aria. Pertanto, questo mercato dei gate del driver IC è influenzato dalla crescita nel mercato dei dispositivi elettronici. Oltre a questo, si prevede anche un aumento delle vendite di veicoli elettrici per favorire la crescita del mercato. Ad esempio, secondo l’analisi di Coherent Market Insights, nel 2017, le vendite globali di veicoli elettrici sono state di 962mila unità rispetto a 695 migliaia di unità nel 2016.

Global MOSFET e IGBT Gate Driver Market: Regional Insight

Il mercato per MOSFET e IGBT Gate sulla base della regione è segmentato in sei regioni: Nord America, Europa, Asia Pacifico, America Latina, Medio Oriente e Africa.

Asia Pacific ha ricoperto la posizione dominante sul mercato per il MOSFET e IGBT gate Driver nel 2017 ed è progettato per mantenere il suo dominio durante il periodo previsto. Ciò è dovuto all'elevata produzione di elettronica di consumo e di elettrodomestici nella regione, che colpisce la crescita del mercato. India, Cina e Giappone sono alcune delle principali economie emergenti della regione con alta produzione di beni elettronici. Per esempio, secondo India Brand Equity Foundation (IBEF), maggio 2018, il mercato elettronico indiano dovrebbe esporre il 41% CAGR nell'anno previsto (2017-2020) e dovrebbe raggiungere i 400 miliardi di dollari entro il 2020. Questo dovrebbe portare ad alta adozione di MOFSET e IGBT gate, aiutando così in crescita del mercato. Inoltre, le vendite elevate di veicoli elettrici in Asia Pacifico hanno anche accelerato la crescita del mercato in questa regione. Per esempio, secondo l’analisi di Coherent Market Insights, nel 2017, le vendite di veicoli elettrici in Asia Pacific erano circa 426mila unità. La Cina ha ricoperto la posizione dominante nelle vendite del veicolo elettrico nel 2017. Nel 2017, le vendite di veicoli elettrici in Cina erano 378mila unità.

L'America del Nord ha tenuto la seconda quota nel 2017, a causa dell'elevata crescita del mercato dell'elettronica in questa regione. Gli Stati Uniti e il Canada sono grandi motori di crescita nella regione. Il mercato dei beni elettronici e dei relativi scambi ha assistito ad un significativo aumento del recente passato nella regione. Ad esempio, secondo Trade Statistics of International Business Development, le esportazioni di macchinari e attrezzature elettriche nel 2017 sono state di 174,2 milioni di dollari rispetto a 167,1 milioni di dollari nel 2016 negli Stati Uniti. Poiché MOSFET e IGBT gate sono componenti essenziali negli elettrodomestici di consumo, la domanda per MOSFET e IGBT Gates, si prevede di aumentare significativamente con aumento della domanda di tali prodotti. Questo è a sua volta previsto per aiutare nella crescita del mercato nella regione durante il periodo di previsione (2018-2026).

Global MOSFET e IGBT Gate Driver Market: i giocatori chiave

I giocatori chiave che operano nel mercato globale dei driver MOSFET e IGBT sono Infineon Technologies, ON Semiconductor, STMicroelectronics, ROHM Semiconductor, NXP Semiconductors, Texas Instruments, Microchip, Power Integrations Inc., Vishay, Broadcom, Analog Devices, IXYS, Toshiba, Renesas e Powerex.

Global MOSFET e IGBT Gate Driver Market: Taxonomy

Sulla base del tipo di prodotto, il mercato globale dei driver MOSFET e IGBT gate è classificato in:

• Driver per il dispositivo Single Channel Gate
• Driver per il dispositivo
• Driver per il dispositivo
• Driver per il dispositivo a tre fasi
• Altri

Sulla base dell'applicazione, il mercato globale dei driver MOSFET e IGBT gate è classificato in:

• Home Appliance
• Automotive
• Visualizzazione e illuminazione
• Alimentazione elettrica
• Altri

Sulla base della regione, il mercato globale dei driver MOSFET e IGBT gate è classificato in:

• Nord America
• Europa
• Asia Pacifico
• America Latina
• Il Medio Oriente
• Africa

Global MOSFET e IGBT Gate Driver Market: sviluppi chiave

• Nel settembre 2018, Powerex Inc. ha lanciato i nuovi e aggiornati IGBT di 7a generazione per il controllo del motore. Di conseguenza, l’efficienza del motore è aumentata del 7% senza carico, fino al 20% a carico massimo, e la potenza è aumentata anche al 20%.
• Nel novembre 2018, Renesas Electronics Corporation ha lanciato un MOSFET a mezza cresta da 100V per controller bidirezionale in 12V-48V Motori ibridi Powertrains. È una famiglia driver MOSFET ISL784x4 avanzata che consente la conversione DC/DC ad alta corrente con tempi morti regolabili e massima efficienza.
• Nel maggio 2017, Toshiba Corporation ha lanciato ‘TLP5214A’, un photocoupler a cancello intelligente per l’uso nella guida di IGBT di media potenza e MOSFET di potenza che forniscono caratteristiche di rilevamento della desaturazione.
• Nel luglio 2018, Toshiba Corporation ha lanciato un nuovo dispositivo di potenza intelligente MOSFET gate driver (IPD) per motori brushless a 3 fasi. Il dispositivo è destinato all'uso in motore automobilistico applicazioni di azionamento come sterzo elettronico 12V (EPS), pompe di olio/acqua, motori a ventola e turbocompressori elettrici.
• Nel novembre 2017, IXYS Corporation ha introdotto un nuovo driver per applicazioni ad alta frequenza come inverter, che è IXRFDSM607X2 15 Ampere Low-Side RF MOSFET Guida alla sua divisione IXYS Colorado.
• Nel maggio 2017, Analog Devices, Inc. (ADI) ha introdotto driver di gate isolati di piccolo fattore di forma progettati per velocità di commutazione più elevate e vincoli di dimensione del sistema richiesti dalle tecnologie di commutazione come SiC (SiC)Carburo di silicio) e GaN (Gallium Nitride).