GAN EPITAXIAL WAFERS MARKET ANALYSIS

Un wafer epitassiale noto anche come, epi wafer, è un wafer di materiale semiconduttore fatto da crescita epitassiale (epitassi) per l'uso in fotonici, microelettronica, Spintronics, o fotovoltaico. Gli strati epitassiali sono costituiti da vari composti come il nitruro di gallio (GaN), l'arsenide di gallio (GaA), o una qualche combinazione degli elementi del gallio, dell'indio, dell'alluminio, dell'azoto, del fosforo o dell'arsenico. L'elevata mobilità degli elettroni, le basse perdite di commutazione, e meno errori di reticolo sono alcuni dei vantaggi principali di GaN Substrate, che stanno conducendo la sua adozione in settori come l'elettronica di potenza e l'optoelettronica.

Inoltre, i wafer epitassiali GaN sono sviluppati dal metodo di deposizione di vapor-fase idruro (HVPE) o di deposizione chimica organica del vapore (MOCVD), e possono essere utilizzati come substrato ideale ed eccellente per alta frequenza, alta velocità e dispositivi ad alta potenza. I wafer epitassiali GaN sono sviluppati da diverse aziende come Aixtron, EpiGaN nv, Sciocs e Semiconductor Wafer Inc.

L'adozione crescente di LED sta portando alla crescente domanda di wafer epitassiali GaN

GaN è ampiamente implementato in dispositivi di radiofrequenza, diodi emettenti di luce (LED), e elettronica di potenza, grazie alla sua capacità di operare ad alta frequenza e ad alta temperatura. L'adozione crescente di LED è un fattore importante che aumenta la crescita del mercato epitassiale di wafer GaN. Inoltre, l'avanzamento della tecnologia GaN ha portato allo sviluppo di substrati GaN efficienti con densità di difetti macro e bassa densità di difetto. Quindi, i substrati GaN possono essere sempre più utilizzati per la realizzazione di LED con un diametro wafer da 2 pollici fino a 6 e 8 pollici. L'adozione crescente di LED dovrebbe guidare la crescita del mercato dei wafer epitassiali GaN durante il periodo di previsione. Tuttavia, la concorrenza da Sic in applicazioni semiconduttori ad alta tensione e ad alto costo del prodotto sono fattori che dovrebbero ostacolare la crescita del mercato globale dei wafer epitassiali GaN durante il periodo di previsione.

Global GaN Epitaxial Wafers Market Regional Insight:

In termini di geografia, l'Asia Pacifico dovrebbe essere dominante nel mercato globale dei wafer epitassiali GaN durante il periodo di previsione. Ciò è dovuto all'ampio utilizzo dei transistor basati su GaN nel settore della difesa e militare, aumentando la domanda di LED provenienti da varie industrie come l'elettronica di consumo e l'automotive e aumentando energia rinnovabile generazione nella regione. Ad esempio, nel giugno 2019, Samsung ha annunciato il lancio del display micro-LED Wall Luxury GaN configurabile da 73” in 2K a 292” in 8K. Inoltre, la regione Asia-Pacifico dovrebbe testimoniare una crescita significativa nel periodo di previsione, che può essere attribuita all'alta adozione di tecnologie innovative come l'epi-nucleazione, la tecnologia della struttura tampone ecc in paesi come Cina, Giappone, Corea del Sud e India. I principali attori di questa regione si concentrano sull'offerta di nuovi prodotti per soddisfare le crescenti esigenze e esigenze dei consumatori. Ad esempio, nel giugno 2019, Xiamen San'an Integrated Circuit Co., Ltd., una fonderia di wafer basata sulla Cina con la sua piattaforma avanzata di tecnologia a semiconduttore composto, ha annunciato il lancio del suo nitruro di litio da 150mm (GaN) sui servizi di fonderia di wafer di silicio, che è destinato alle più recenti applicazioni di elettronica DC/AC ad alta tensione e AC/DC in tutto il mondo.

Global GaN Epitaxial Wafers Market Background competitivo:

Giocatori chiave nel GaN globale mercato dei wafer epitassiali sono RF Globalnet, Aixtron, EpiGaN nv, Sciocs, Semiconductor Wafer Inc. IGSS GaN, SweGaN, NTT Advanced Technology Corporation, Infineon Technologies AG, Mitsubishi Electric Corporation, Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation, Koninklijke Philips N.V. e ALLOS Semiconductors GmbH tra gli altri.

Global GaN Epitaxial Wafers mercato tassonomia:

Sulla base del tipo di prodotto, il mercato globale dei wafer epitassiali GaN è segmentato in:

• GaN Homoepitaxial Wafer Epitaxial
• GaN Eteroepitaxial Wafer Epitaxial

Sulla base della dimensione del wafer, il mercato globale dei wafer epitassiali GaN è segmentato in:

• Wafer da 2 pollici
• Wafer da 4 pollici
• 8 pollici e sopra Wafer

Sulla base dell'applicazione, il mercato globale dei wafer epitassiali GaN è segmentato in:

• LED
• Lasers
• Dispositivi di frequenza radio
• Unità di alimentazione
• Transistori
• Altri

Sulla base dell'industria degli utenti finali, il mercato globale dei wafer epitassiali GaN è segmentato in:

• IT e telecomunicazioni
• Industriale
• Automotive
• Rinnovabili
• Elettronica di consumo
• Militare, Difesa e Aerospaziale
• Assistenza medica e sanitaria
• Altri

Sulla base della regione, il mercato globale dei wafer epitassiali GaN è segmentato in:

• Nord America
• Europa
• Asia Pacifico
• America Latina
• Medio Oriente
• Africa