MARCHé DES PILOTES MOSFET ET IGBT GATE ANALYSIS

MOSFET et IGBT sont deux transistors d'alimentation en mode commutateur. Un semi-conducteur métal-oxydé Le transistor à effet de champ (MOSFET) est un transistor à effet de champ qui se forme généralement par oxydation contrôlée du silicium. Il utilise des barrières isolées, ce qui a permis de changer la conductivité avec la variation de la tension appliquée selon les exigences d'application. Cette propriété est utilisée pour amplifier ou changer des signaux électriques. Un transistor bipolaire à porte isolée (IGBT) est un dispositif à semi-conducteur de puissance à trois bornes, utilisé comme commutateur électronique, composé de quatre couches alternées (P-N-P-N) qui sont contrôlées par une structure métal-oxyde-semiconducteur (MOS) sans action régénératrice. Il s'agit essentiellement d'un MOSFET contrôlant un transistor bipolaire de puissance de jonction (BJT) avec les deux transistors sur un seul morceau de silicium. Les pilotes de porte IC génèrent la tension et le niveau de courant nécessaires pour activer avec précision et efficacité le stade de puissance dans les applications industrielles, de consommation, informatiques et automobiles, les moteurs, les alimentations non interruptibles (UPS) et les onduleurs solaires.

La croissance croissante de l'industrie des appareils électroniques est un facteur moteur majeur de la croissance du marché mondial des moteurs MOSFET et IGBT

Les drivers IC de MOSFET et IGBT sont principalement utilisés dans les appareils électroniques comme commutateur et aussi comme amplificateurs, c'est-à-dire pour changer un processus continu en une tension plus élevée. L'augmentation de la demande de dispositifs électroniques est l'un des facteurs clés de la croissance du marché. Par exemple, selon le rapport de 2015 de Hong Kong Science and Technology Parks (HKSTP), le marché mondial de l'électronique grand public devrait atteindre 2 976 milliards de dollars d'ici 2020, avec un TCAC de 15,4 % pour la période de prévision (2015-2020). Les MOSFET peuvent fonctionner à haute fréquence et peuvent effectuer des applications de commutation rapide avec peu de pertes d'arrêt. IGBT combine les caractéristiques simples d'entraînement de la porte que l'on retrouve dans le MOSFET avec la capacité de courant élevé et de faible saturation-tension d'un transistor bipolaire. La porte IGBT est souvent utilisée avec des amplificateurs et pour générer de grandes impulsions, donc sont utiles dans les appareils modernes tels que les voitures électriques, les trains, les réfrigérateurs à vitesse variable et les climatiseurs. Par conséquent, le marché des portes d'accès à l'IC est touché par la croissance du marché des appareils électroniques. En outre, l'augmentation des ventes de véhicules électriques devrait également contribuer à la croissance du marché. Par exemple, selon l'analyse Coherent Market Insights, en 2017, les ventes mondiales de véhicules électriques se sont élevées à 962 000 unités contre 695 000 en 2016.

Marché mondial des moteurs MOSFET et IGBT Gate: Perspectives régionales

Le marché du MOSFET et de la Porte IGBT sur la base de la région est segmenté en six régions, à savoir l'Amérique du Nord, l'Europe, l'Asie-Pacifique, l'Amérique latine, le Moyen-Orient et l'Afrique.

Asia Pacific détenait la position dominante sur le marché du MOSFET et de l'IGBT gate Driver en 2017 et devrait conserver sa position dominante tout au long de la période de prévision. Cela est dû à la forte production d'électronique et d'appareils grand public dans la région, qui affecte la croissance du marché. L'Inde, la Chine et le Japon comptent parmi les principales économies émergentes de la région où la production de biens électroniques est élevée. Par exemple, selon l'Inde Brand Equity Foundation (IBEF), mai 2018, le marché électronique indien devrait présenter 41 % de TCAC au cours de l'année de prévision (2017-2020) et devrait atteindre 400 milliards de dollars d'ici 2020. Cela devrait conduire à une forte adoption de la porte MOFSET et de l'IBBT, contribuant ainsi à la croissance du marché. En outre, les ventes élevées de véhicules électriques en Asie-Pacifique ont également accéléré la croissance du marché dans cette région. Par exemple, selon l'analyse Coherent Market Insights, en 2017, les ventes de véhicules électriques en Asie-Pacifique étaient d'environ 426 000 unités. La Chine a occupé la position dominante dans les ventes de véhicules électriques en 2017. En 2017, les ventes de véhicules électriques en Chine étaient de 378 000 unités.

L'Amérique du Nord détenait la deuxième part en 2017, en raison de la forte croissance du marché de l'électronique dans cette région. Les États-Unis et le Canada sont d'importants moteurs de croissance dans la région. Le marché des biens électroniques et du commerce connexe a connu une augmentation importante dans le passé récent de la région. Par exemple, selon les Statistiques du commerce international, les exportations de machines et d'équipements électriques en 2017 se sont élevées à 174,2 millions de dollars américains, contre 167,1 millions de dollars américains en 2016 aux États-Unis. Étant donné que les portes MOSFET et IGBT sont des composants essentiels des appareils de consommation, la demande de portes MOSFET et IGBT devrait augmenter considérablement avec l'augmentation de la demande de ces produits. Cela devrait à son tour contribuer à la croissance du marché dans la région pendant la période de prévision (2018-2026).

Marché mondial des pilotes MOSFET et IGBT Gate : principaux acteurs

Les principaux acteurs du marché mondial MOSFET et IGBT sont Infineon Technologies, ON Semiconductor, STMicroelectronics, ROHM Semiconductor, NXP Semiconductors, Texas Instruments, Microchip, Power Integrations Inc., Vishay, Broadcom, Analog Devices, IXYS, Toshiba, Renesas et Powerex.

Marché mondial des moteurs MOSFET et IGBT Gate: Taxonomie

Sur la base du type de produit, le marché mondial des moteurs MOSFET et IGBT est classé en:

• Pilotes de porte monocanale
• Demi-pont chauffeurs de porte
• Conducteurs à passerelle complète
• Pilotes à trois volets
• Autres

Sur la base de l'application, le marché mondial des moteurs MOSFET et IGBT est classé en:

• Appareils ménagers
• Automobile
• Affichage et éclairage
• Alimentation électrique
• Autres

Sur la base de la région, le marché mondial des moteurs MOSFET et IGBT est classé en:

• Amérique du Nord
• Europe
• Asie-Pacifique
• Amérique latine
• Moyen-Orient
• Afrique

Marché mondial des moteurs MOSFET et IGBT Gate: Développements clés

• En septembre 2018, Powerex Inc. a lancé les IGBT de 7e génération pour le contrôle moteur. En conséquence, l'efficacité du moteur a augmenté de 7% à aucune charge, jusqu'à 20% à charge maximale, et la puissance a également augmenté à 20%.
• En novembre 2018, Renesas Electronics Corporation a lancé un MOSFET de 100 V pour contrôleur bidirectionnel en 12V-48V Automotive Hybrid Powertrains. Il s'agit d'une famille avancée ISL784x4 MOSFET Driver qui permet une conversion haute courant DC/DC avec un temps mort réglable et une efficacité maximale.
• En mai 2017, Toshiba Corporation a lancé ‘TLP5214A', un photocoupleur de pilote intelligent pour la conduite des IGBT de moyenne puissance et des MOSFET de puissance offrant des caractéristiques de détection de désaturation.
• En juillet 2018, Toshiba Corporation a lancé un nouveau dispositif d'alimentation intelligent (IPD) pour les moteurs automobiles 3 phases sans balais MOSFET. Le dispositif est destiné à être utilisé moteur automobile les applications d'entraînement telles que la direction électronique 12V (EPS), les pompes à huile/eau, les moteurs à ventilateur et les turbocompresseurs électriques.
• En novembre 2017, IXYS Corporation a introduit un nouveau pilote pour les applications haute fréquence telles que les onduleurs, qui est IXRFDSM607X2 15 Ampere Low-Side RF MOSFET Pilote par sa division IXYS Colorado.
• En mai 2017, Analog Devices, Inc. (ADI) a mis en place des pilotes de porte isolés de petits facteurs de forme conçus pour des vitesses de commutation plus élevées et des contraintes de taille du système requises par les technologies de commutation de puissance telles que SiC (Carbure de silicium) et GaN (Gallium Nitride).