SPEICHERTECHNOLOGIEN DER NäCHSTEN GENERATION MARKT ANALYSIS

Speicher der nächsten Generation ist ein großes Upgrade über Software-Hardware-Produkte. Es ist ein idealer Ersatz für bestehende Massenproduktionsspeicher wie SRAM und Flash. Es bietet bessere Funktionen und wird erwartet, dass die vorhandenen Massenproduktionsspeicher in naher Zukunft ersetzt werden. Diese Erinnerungen werden auch Nischen-Anwendungsbereiche für sich selbst ausbessern und in naher Zukunft Mainstream werden; jedoch würden nicht alle vorhandenen Erinnerungen ersetzt. Speicher der nächsten Generation umfassen ReRAM (Resistive Random Access Memory), MRAM (Magneto-resistive Random Access Memory), PCM (Phase-Change Memory) und FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory).

Der globale Speichertechnologien-Markt der nächsten Generation wird im Jahr 2021 auf 6567,5 Mio. US$ geschätzt und wird voraussichtlich einen CAGR von 56,8 % im Prognosezeitraum (2021-2028) aufweisen.

Aktuelle Entwicklungen:

Im Mai 2021 – Samsung, ein südkoreanisches Elektronikunternehmen angekündigt, entwickelt die nächste Generation DRAM Speicher in der Branche.

Im Dezember 2020 startete Intel Corporation, ein US-amerikanisches Halbleiterunternehmen, 6 nächste Genspeicher und Speicher, um Kunden dabei zu unterstützen, die Herausforderungen der digitalen Transformation zu bewältigen.

Statistik:

Abbildung 1. Global Next Generation Speichertechnologien Marktwert (US$ Mn), nach Region, 2020

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Asien-Pazifik hat im Jahr 2020 eine beherrschende Stellung im globalen Speichertechnologien-Markt der nächsten Generation gehalten, was einen Anteil von 42,6% in Bezug auf Wert, gefolgt von Nordamerika, Europa und Rest der Welt.

Marktdynamik- Treiber

Die zunehmende Nachfrage nach schnelleren und hoch skalierbaren Erinnerungen wird erwartet, dass das Wachstum des globalen Speichertechnologien-Markts der nächsten Generation während der Prognosezeit vorangetrieben wird.

Derzeit gibt es eine hohe Nachfrage nach aufstrebenden Speichertechnologien, aufgrund der hohen Nachfrage nach schnelleren, hoch skalierbaren und geringen Stromspeichern. Scaling ist ein wichtiges Thema in der Speicherindustrie geworden, mit einigen älteren Erinnerungen, die Skalierbarkeit Probleme. Darüber hinaus ist die aktuelle Leckage ein weiteres wichtiges Thema, wenn bei 65nm und darüber hinaus. Neben neueren Erinnerungen gab es eine Entwicklung in 3-D-Speicherstrukturen. Neben neueren Erinnerungen gab es eine Entwicklung in dreidimensionalen Speicherstrukturen. Diese Strukturen bieten eine temporäre Lösung; diese Technologie hat jedoch eigene Einschränkungen. Flash konfrontiert ernste architektonische Probleme, wenn unter 90nm. Daher werden diese Faktoren erwartet, dass das Wachstum des globalen Speichertechnologien der nächsten Generation während der Prognosezeit vorangetrieben wird.

Abnehmende Gewinnmargen mit alten Speichertechnologien werden erwartet, um die globale nächste Generation Memory-Technologien Marktwachstum im Prognosezeitraum

Hohe Volatilität der Preise bestehender Speicher ist zwingend Marktteilnehmer, um nach neueren Erinnerungen zu suchen, die höhere Gewinnspanne bieten können. Früher mussten die Unternehmen ihre Produktionskapazität reduzieren, um die Nachfrage und Hilfe bei der Erhöhung der Speicherpreise zu erhöhen. Dies war jedoch nur eine vorübergehende Lösung. Es besteht Bedarf an einer Speicherlösung, die zu nachhaltigen Gewinnmargen führen kann und dies treibt die Nachfrage nach Speichertechnologien der nächsten Generation voran. Daher werden diese Faktoren erwartet, dass sie das Wachstum der globalen Speichertechnologien der nächsten Generation in naher Zukunft vorantreiben.

Marktchancen

Die wachsende Nachfrage nach einer universellen Speicherlösung kann lukrative Wachstumschancen im globalen Speichertechnologien der nächsten Generation darstellen

Halbleiterspeicher hat heute einheitliche Qualitäten verschiedener Speichertechnologien. Es sollte eine hohe Geschwindigkeit haben, die mit SRAM vergleichbar ist, nichtflüchtiger Akin zum Blitz, und hohe Dichte vergleichbar mit DRAM. Darüber hinaus ist ein idealer Speicher kostengünstig und hoch skalierbar. Es sollte für den System-on-Chip (SoC) Markt geeignet sein. Derzeit bietet jede der verfügbaren Technologien akzeptable Leistung für einen einzigen Zweck; aber viele Systeme benötigen alle drei Speichertypen, um gute Gesamtleistung zu logischen Kosten zu liefern.

Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten von Marktteilnehmern können wichtige Geschäftsmöglichkeiten im globalen Speichertechnologien-Markt der nächsten Generation bieten

Schlüsselakteure, die auf dem Markt tätig sind, konzentrieren sich auf Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten, um das Produktportfolio zu verbessern. So startete Everspin im Februar 2013 MR10Q010, ein neues Produkt mit 1MB Serial MRAM mit SPI-Schnittstelle. Im Mai 2013 startete Micron einen neuen PCIe Input/Output-Beschleuniger.

Markttendenzen

Starker Wettbewerb mit neuen Technologien

Die globalen Speichertechnologien der nächsten Generation sind im Vergleich zu DRAM und Flash deutlich kleiner. Neue Speicher liegen noch in Bezug auf Skalierbarkeit und Dichte von NAND zurück; die Chipdichte dieser Speicher wird jedoch in den nächsten Jahren deutlich verbessert. Dies würde seine Annahme in mehreren neueren Anwendungen fördern. Die Einführung von PCM und MRAM dürfte in Cache-Speicher und Unternehmensspeicher deutlich wachsen, da neue Speicher die Input/Output-Leistung verbessern und pro Bit niedrigere Kosten bieten. Mit der Verfügbarkeit von 1GB-Chips wird die Einführung von PCM in Mobiltelefonen voraussichtlich deutlich zunehmen.

Partnerschaften und Kooperationen zwischen Marktteilnehmern

Schlüsselakteure auf dem Markt konzentrieren sich auf Partnerschaften und Kooperationen, um einen Wettbewerbsvorteil auf dem Markt zu gewinnen. So arbeitete Micron im November 2012 mit AgigA zusammen Tech für die Entwicklung der nichtflüchtigen DIMM (dual in-line Speichermodul) Technologie. Im Juni 2012 arbeitete das Unternehmen mit IBM zusammen, um PCM-Technologie zu entwickeln. Darüber hinaus arbeitete Hynix im Juli 2011 mit Toshiba Co. zusammen, um gemeinsam MRAM zu entwickeln.

Abbildung 2. Global Next Generation Memory Technologies Market Share, Nach Produkttyp, 2020

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Schlüsselübernahme des Graphen:

• Das NVM-Segment hielt die marktbeherrschende Stellung und machte im Jahr 2020 99,1% Anteil am globalen Speichertechnologien der nächsten Generation aus. Das Segment soll 2028 84,809,4Mio. US$ erreichen. Dieses Wachstum kann auf seine verbesserte Leistung, höhere Ausdauer, geringeren Stromverbrauch, bessere Skalierbarkeit mit extrem hoher Schreibfestigkeit und viel höhere Schreibgeschwindigkeiten als andere flüchtige Speichertechnologien zurückgeführt werden.
• Das Cache-Speicher- und Unternehmensspeichersegment hat eine beherrschende Position auf dem Markt gehalten und im Jahr 2020 einen Anteil von 26,7% am globalen Speichertechnologien der nächsten Generation ausmacht. Das Segment wird voraussichtlich 2028 auf 1530.7 Millionen US-Dollar erreichen. Dieses Wachstum kann den wachsenden Rechenzentren weltweit zugeschrieben werden. Ein zunehmender Bedarf an Datenspeicherfähigkeiten in Cloud-Speicher- und Datenzentren schafft auch die Nachfrage nach NGM-Technologien auf dem Markt.

Marktdynamik- Zurückhaltung

Es wird erwartet, dass hohe Kosten- und Dichteerwägungen das Wachstum der globalen Speichertechnologien der nächsten Generation im Prognosezeitraum behindern

Hohe Kosten für die Gestaltung bleiben ein wichtiges Thema für aufstrebende Erinnerungen. Der Entwurfsprozess muss standardisiert werden und die Wirtschaftlichkeit des Maßstabs muss erreicht werden, um ihn kostengünstiger zu machen als herkömmliche Speicher wie Flash oder DRAM. Daher wird erwartet, dass diese Faktoren das globale Wachstum der Speichertechnologien der nächsten Generation im Prognosezeitraum behindern.

Die mangelnde Stabilität unter extremen Umweltbedingungen wird erwartet, dass das Wachstum des globalen Speichertechnologien der nächsten Generation während der Prognosezeit zurückhalten wird.

Stabilität unter hoher Temperatur und extremen Umweltbedingungen sind einige der großen Anforderungen an neue Speichertechnologien. Die traditionellen Speichertechnologien können unter extremen Temperatur- und Umweltbedingungen erhalten. Unter extremen Temperatur- und Umweltbedingungen stehen aufstrebende Technologien jedoch vor Skalierbarkeit und Stabilisierungsproblemen. Dies wiederum wird erwartet, dass das Wachstum des globalen Speichertechnologien der nächsten Generation während der Prognoseperiode zurückhalten wird.

Global Speichertechnologien der nächsten Generation Markt: Wettbewerbslandschaft

Hauptunternehmen im globalen Speichertechnologien-Markt der nächsten Generation sind Micron Technology, Inc., Fujitsu Ltd., Everspin Technologies, Inc., Winbond Electronics Corporation, SK Hynix Inc., Cypress Semiconductor Corporation, Avalanche Technology, Inc., Adesto Technologies Corporation Inc. und Samsung Electronics Co. Ltd.

Schlüsselentwicklungen

Große Unternehmen konzentrieren sich auf das Produkt gestartet, um das Produktportfolio zu erweitern. So startete Micron Technology Inc. im August 2019 die hochkarätigste 16 GB Low-Power-Doppeldatenrate 4X (LPDDR4X) DRAM.

Schlüsselakteure sind an der Produktentwicklung beteiligt, um einen Wettbewerbsvorteil am Markt zu gewinnen. So hat Fujitsu Ltd. im November 2019 die nächste Generation der Speicherleistung ETERNUS AF S3 All-Flash-Arrays und ETERNUS DX S5 Hybrid-Speichersysteme vorgestellt.