MOSFET UND IGBT GATE DRIVERS MARKET ANALYSE

MOSFET und IGBT sind zwei Schaltnetzteiltransistoren. Ein Metall-Oxide-Halbleiter Feldeffekttransistor (MOSFET) ist ein Feldeffekttransistor, der typischerweise durch kontrollierte Oxidation von Silizium gebildet wird. Es verwendet isolierte Gates, die eine Änderung der Leitfähigkeit mit der Variation der angelegten Spannung nach Anforderung der Anwendung ermöglicht. Diese Eigenschaft wird in verstärkenden oder schaltenden elektrischen Signalen verwendet. Ein Insulated-gate Bipolar Transistor (IGBT) ist ein dreipoliges Leistungshalbleitergerät, das als elektronischer Schalter verwendet wird, bestehend aus vier alternierenden Schichten (P-N-P-N), die durch eine Metalloxid-Halbleiterstruktur (MOS) ohne regenerative Wirkung gesteuert werden. Es ist im Wesentlichen ein MOSFET, der einen Bipolar Junction Power Transistor (BJT) mit beiden Transistoren auf einem einzigen Stück Silizium steuert. Die IC-Gate-Treiber erzeugen den erforderlichen Spannungs- und Strompegel, der erforderlich ist, um die Leistungsstufe in Industrie-, Verbraucher-, Computer- und Automobilanwendungen, Motorantrieben, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (UPS) und Solarwechselrichtern genau und effizient zu aktivieren.

Das zunehmende Wachstum in der elektronischen Geräteindustrie ist ein wichtiger Faktor für das Wachstum des globalen MOSFET und IGBT-Tortreibermarktes

IC-Treiber von MOSFET und IGBT werden vor allem in elektronischen Geräten als Schalter und auch als Verstärker verwendet, d.h. einen laufenden Prozess auf eine höhere Spannung zu ändern. Die zunehmende Nachfrage nach elektronischen Geräten ist einer der Hauptfaktoren für das Wachstum des Marktes. So wird nach dem Bericht von Hong Kong Science and Technology Parks (HKSTP) der globale Markt für Unterhaltungselektronik bis 2020 mit einem CAGR von 15,4% im Prognosezeitraum (2015-2020) auf 2,976 Milliarden US-Dollar prognostiziert. MOSFETs können mit hohen Frequenzen arbeiten und schnelle Schaltanwendungen mit geringen Abschaltverlusten durchführen. IGBT kombiniert die im MOSFET gefundenen einfachen Gate-Antriebseigenschaften mit der Hochstrom- und Niedersättigungsspannungsfähigkeit eines Bipolartransistors. IGBT-Gate werden oft mit Verstärkern verwendet und große Leistungsimpulse erzeugt, sind daher in modernen Geräten wie Elektroautos, Zügen, Drehzahlkühlschränken und Klimaanlagen nützlich. Daher wird dieser IC-Treibertormarkt durch Wachstum im elektronischen Gerätemarkt beeinflusst. Darüber hinaus wird erwartet, dass auch der zunehmende Absatz von Elektrofahrzeugen im Wachstum des Marktes unterstützt wird. So belief sich der weltweite Vertrieb von Elektrofahrzeugen laut Coherent Market Insights 2017 auf 962 Tausend Einheiten von 695 Tausend Einheiten im Jahr 2016.

Globaler MOSFET und IGBT Gate Driver Market: Regional Insight

Der Markt für MOSFET und IGBT Gate auf Basis der Region ist in sechs Regionen, nämlich Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik, Lateinamerika, Der Nahe Osten und Afrika, segmentiert.

Asien-Pazifik hat 2017 die marktbeherrschende Stellung für den MOSFET und IGBT-Gate Driver gehalten und wird seine Dominanz während des gesamten Prognosezeitraums beibehalten. Dies ist auf eine hohe Produktion von Unterhaltungselektronik und Geräten in der Region zurückzuführen, die das Marktwachstum beeinflusst. Indien, China und Japan sind einige der wichtigsten Schwellenländer in der Region mit hoher Produktion von elektronischen Gütern. So wird nach Indien Brand Equity Foundation (IBEF), Mai 2018 der indische elektronische Markt voraussichtlich 41% CAGR im Prognosejahr (2017-2020) ausstellen und bis 2020 voraussichtlich 400 Milliarden US$ erreichen. Dies wird voraussichtlich zu einer hohen Übernahme von MOFSET und IGBT-Gate führen, was das Wachstum des Marktes begünstigt. Darüber hinaus haben die hohen Verkäufe von Elektrofahrzeugen in Asien-Pazifik auch das Wachstum des Marktes in dieser Region beschleunigt. So betrug der Verkauf von Elektrofahrzeugen in Asien-Pazifik laut Coherent Market Insights-Analyse 2017 rund 426 Tausend Einheiten. China hielt 2017 die beherrschende Stellung im Vertrieb von Elektrofahrzeugen. 2017 betrug der Verkauf von Elektrofahrzeugen in China 378 Tausend Einheiten.

Nordamerika hielt 2017 den zweitgrößten Anteil, aufgrund eines hohen Wachstums des Elektronikmarktes in dieser Region. Die USA und Kanada sind große Wachstumsmotoren in der Region. Der Markt für elektronische Güter und den damit verbundenen Handel hat in der jüngsten Vergangenheit in der Region eine deutliche Zunahme erlebt. So beliefen sich die Exporte von Elektromaschinen und -ausrüstungen laut Trade Statistics of International Business Development 2017 auf 174.2 Mio. US$ von 167.1 Mio. US$ 2016 in den USA. Da MOSFET und IGBT-Gatter wesentliche Komponenten in Verbrauchergeräten sind, wird die Nachfrage nach MOSFET und IGBT Gates mit steigender Nachfrage nach solchen Produkten deutlich zunehmen. Dies wird wiederum erwartet, dass das Wachstum des Marktes in der Region während des Prognosezeitraums (2018-2026) gefördert wird.

Globaler MOSFET und IGBT Gate Driver Market: Key Players

Hauptakteure im globalen MOSFET- und IGBT-Gate-Treibermarkt sind Infineon Technologies, ON Semiconductor, STMicroelectronics, ROHM Semiconductor, NXP Semiconductors, Texas Instruments, Microchip, Power Integrations Inc., Vishay, Broadcom, Analog Devices, IXYS, Toshiba, Renesas und Powerex.

Globaler MOSFET und IGBT Gate Driver Market: Taxonomy

Auf Basis des Produkttyps wird der globale MOSFET- und IGBT-Gate-Treibermarkt in:

• Single Channel Gate Treiber
• Half Bridge Gate Drivers
• Full Bridge Gate Drivers
• Drei Phasentor-Treiber
• Sonstige

Auf Basis der Anwendung wird der globale MOSFET- und IGBT-Gate-Treibermarkt in:

• Home Appliance
• Automobilindustrie
• Anzeige und Beleuchtung
• Stromversorgung
• Sonstige

Auf Basis der Region wird der globale MOSFET- und IGBT-Gate-Treibermarkt in:

• Nordamerika
• Europa
• Asien-Pazifik
• Lateinamerika
• Der Nahe Osten
• Afrika

Globaler MOSFET und IGBT Gate Driver Market: Schlüsselentwicklungen

• Im September 2018 startete Powerex Inc. die neuen und aktualisierten IGBTs der 7. Generation für Motorsteuerung. Dadurch erhöhte sich der Wirkungsgrad des Motors bei keiner Last um 7 %, bei Spitzenlast bis zu 20 % und die Leistung stieg ebenfalls auf 20 %.
• Im November 2018 startete Renesas Electronics Corporation einen 100V Half-Bridge Drive MOSFETs für Bidirektional Controller in 12V-48V Automotive Hybrid Powertrains. Es ist eine fortschrittliche ISL784x4 MOSFET Driver Family, die eine hohe Strom-DC-Wandlung mit einstellbarer Totzeit und maximaler Effizienz ermöglicht.
• Im Mai 2017 startete die Toshiba Corporation „TLP5214A“, einen Smart-Gate-Treiber-Fotokoppler für den Einsatz in treibenden Mittelstrom-IGBTs und Leistungs-MOSFETs, die Desaturierungs-Sensoreigenschaften liefern.
• Im Juli 2018 startete die Toshiba Corporation neues kompaktes Power-MOSFET-Gate-Treiber-Smart-Power-Gerät (IPD) für Auto 3-Phasen-Brushless-Motoren. Die Vorrichtung ist für den Einsatz in Automobilmotor Antriebsanwendungen wie 12V elektronische Servolenkung (EPS), Öl/Wasserpumpen, Lüftermotoren und elektrische Turbolader.
• Im November 2017 hat die IXYS Corporation einen neuen Treiber für Hochfrequenzanwendungen wie Wechselrichter vorgestellt, der IXRFDSM607X2 15 Ampere Low-Side RF MOSFET ist. Fahrer durch seine IXYS Colorado Division.
• Im Mai 2017 führte Analog Devices, Inc. (ADI) kleine Formfaktor-isolierte Gate-Treiber ein, die für höhere Schaltgeschwindigkeiten und Systemgrößenzwänge ausgelegt sind, die von Leistungsschaltertechnologien wie SiC benötigt werden (Siliciumcarbid) und GaN (Gallium Nitride).