INGAAS PHOTO DIODE SENSOR MARKT ANALYSIS

InGaAs steht für Indium Galliumarsenid und enthält Eigenschaften zwischen denen von InAs und GaAs. InGaAs Photodiode wird üblicherweise zur Detektion von Nah-Infrarot-Licht verwendet, geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen wie Messung, Analyse, optische Kommunikation und andere. Der Sensor bietet geringes Rauschen, hohe Empfindlichkeit, hohe Geschwindigkeit und eine spektrale Reaktion von 0,5 μm bis 2,6 μm. Laut Coherent Market Insights-Analyse wird der Global InGaAs Photo Diode Sensor Market voraussichtlich bis 2027 US$ 311,0 Millionen erreichen, von 184,0 Millionen US$ im Jahr 2019.

InGaAs Photo Diode Sensor Market - Auswirkungen von Coronavirus (Covid-19) Pandemic

Die globale Elektronikbranche wurde durch COVID-19 sowohl im Angebot als auch im Bedarfsfall deutlich beeinflusst. Laut CMI-Analyse haben mehr als 47% der Hersteller von elektronischen Geräten berichtet, dass COVID-19 direkt ihre kurzfristigen strategischen Pläne beeinflusst hat und auch ihre Einnahmen für das Geschäftsjahr 2020 beeinflusst hat.

Coronavirus hat zu Lockdowns in mehreren Ländern wie Indien und den USA geführt, um die Auswirkungen des Virus zu verhindern. China ist der größte Verbraucher und der Hersteller von Elektronik- und Halbleiter-Geräten, und Wuhan (China) macht etwa 22% der chinesischen optischen Geräteindustrie aus. Lockdown in Wuhan, China hat die Versorgung von optischen Geräten auf der ganzen Welt gestört. Darüber hinaus förderten Unternehmen während der bundesweiten Abschlüsse die Arbeit aus der Heimatkultur, und Studenten nutzten virtuelle Plattformen für Klassen und Studien, die auf der optischen Technologie basiert. Zum Beispiel, nach Coherent Market Insights Analyse, während der Lockdown-Periode, Internet-Streaming stieg um etwa 12 % weltweit und Internet-Hits wurden um etwa 50 % auf 70 % weltweit erhöht.

Asien-Pazifik wird voraussichtlich während der Prognosezeit eine beherrschende Stellung im globalen InGaAs-Photodioden-Sensormarkt halten.

Statistik:

Asien-Pazifik hielt dominante Position im globalen InGaAs Photo Diode Sensor Market 2019, Bilanzierung 52,9% Anteil am Wert, gefolgt von Europa und Nordamerika.

Abbildung 1: Global InGaAs Photo Diode Sensor Market Anteil (%), Von Region, 2019

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Asien-Pazifik hat im Jahr 2019 eine beherrschende Stellung im globalen InGaAs-Photodioden-Sensor-Markt gehalten und wird im gesamten Prognosezeitraum seine Dominanz behalten, da medizinische Bildgebungsprodukte für medizinische Prozesse wie CT-Scans in der ganzen Region, vor allem in Volkswirtschaften der Region wie Australien, Indien, China und Vietnam, zunehmend angenommen werden. So werden laut National Center for Biotechnology Information und US National Library of Medicine in Japan jährlich mehr als 29,9 Millionen Patienten von CT-Scans unterzogen. Nach den von der Semiconductor Industry Association veröffentlichten Daten beliefen sich im Jahr 2020 Südkorea, Taiwan, Japan und China auf 19%, 6%, 5% bzw. 5% auf dem globalen Halbleitermarkt. Diese Länder verfügen über vier Spitzenpositionen in der Halbleiterindustrie, die durch erhebliche FuE-Ausgaben und staatliche Unterstützung getrieben werden.

Hauptunternehmen im globalen InGaAs-Photodiodensensormarkt sind First Sensor, Hamamatsu Photonics K.K., Laser Components GmbH, OSI LaserDiode, Kyoto Semiconductor Co., Ltd., Teledyne Judson Technologies (TJT), SphereOptics GmbH und Voxtel, Inc.

Unter Produkttyp-Segment wird erwartet, dass das Multielement-Array-Teilsegment den Markt während der Prognoseperiode aufgrund einer Vielzahl von Anwendungen im Zusammenhang mit Multielement-Arrays dominiert.

Das Multi-Dimension-Array entfiel 2018 auf einen größeren Marktanteil von 61,6%. Dies ist auf eine breite Palette von Anwendungen, die mit diesen InGaAs-Arrays verbunden sind, einschließlich der Füllstandsmessung, Analyse, Messung und optischen Kommunikation. Wenn eine Vielzahl von Detektoren benötigt wird, bietet Multielement-Array eine kostengünstige Alternative, die es für eine Reihe von Anwendungen bevorzugt. In Multielement-Photodioden-Array werden Hunderte oder Tausende Photodioden in einen einzigen Chip gelegt. InGaAs Photodioden-Arrays haben breitere Anwendungsbereiche als einzelne Photodioden.

Abbildung 2: Global InGaAs Photo Diode Sensor Marktwert (US$ Mn), 2017 - 2027

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Der globale InGaAs-Photodioden-Sensormarkt wurde auf US$ 184.0 Mn in 2019 und wird voraussichtlich erreichen US$ 311.0 Mn von 2027 bei einem CAGR 7,3% zwischen 2019 und 2027.